4H-SiC MESFET频率特性研究

• 作者: 卢豫曾 秦建勋 鞠家欣
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC MESFET 截止频率
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 所属期刊栏目: 专题报道
• 页码范围: 28-31
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 3224字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2003.03.013

摘要

研究了4H-SiC MESFET的频率特性与器件几何及物理参数的关系.发现常温300K时,4H-SiC MESFET的截止频率随沟道掺杂浓度增加而上升;随沟道厚度的增加而降低;随栅长的增加而下降;随工作温度的增加变化很小,500K以上时略有降低.300K下,在沟道掺杂为4×101 7cm-3、沟道厚度为0.25μm、栅长0.30μm、栅压偏置为-5V时,模拟得到的截止频率ft达到1 8.62 GHz,显示该器件在高频、高温、大功率领域的极大优越性和应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	卢豫曾	电子科技大学微电子所	3	2	1.0	1.0
2	秦建勋	电子科技大学微电子所	1	0	0.0	0.0
3	鞠家欣	电子科技大学微电子所	2	2	1.0	1.0