大直径硅晶片化学机械抛光及其终点检测技术的研究与应用

• 作者: 康仁科 罗余庆 郭东明 金洙吉
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅片 化学机械抛光 平坦化 终点检测
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 集成电路制造技术
• 页码范围: 24-29,37
• 页数: 7页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 4643字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2004.06.009

摘要

化学机械抛光是硅片全局平坦化的核心技术,然而在实用阶段上,这项技术还受限于一些制造系统整合上的问题,其中有效的终点检测系统是影响抛光成效的重要关键.若未能有效地监测抛光运作,便无法避免硅片产生抛光过度或不足的缺陷.本文在介绍CMP机制与应用的基础上,系统分析了CMP终点检测技术的研究现状及存在的问题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	康仁科	大连理工大学机械工程学院	165	2562	24.0	44.0
2	郭东明	大连理工大学机械工程学院	273	4547	35.0	54.0
3	金洙吉	大连理工大学机械工程学院	105	1334	18.0	32.0
4	罗余庆	大连理工大学机械工程学院	1	16	1.0	1.0