γ辐照对硅单晶电学参数的影响

• 作者: 佟丽英 史继祥 张继荣
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: γ辐照 硅单晶 电阻率 少子寿命
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 支撑技术
• 页码范围: 67-68
• 页数: 2页
• 分类号: TN0644.29|TN304.1+2
• 字数: 1414字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2005.05.019

摘要

对CZ(直拉法)和FZ(区熔法)硅单晶进行了一定剂量的γ辐照实验,并将辐照前后的电学参数变化进行了对比.结果表明,在实验中所用剂量的γ辐照,对CZ和FZ硅单晶电阻率影响不大而对其少子寿命影响很大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张继荣	中国电子科技集团公司第四十六研究所	4	2	1.0	1.0
2	佟丽英	中国电子科技集团公司第四十六研究所	19	22	3.0	3.0
3	史继祥	中国电子科技集团公司第四十六研究所	8	5	2.0	2.0