TiSi2在微波低噪声SiGe HBT中的应用

• 作者: 刘爱华 单一林 张伟 李希有 熊小义 王玉东 许军 钱佩信
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 锗硅异质结双极晶体管 二硅化钛 微波 低噪声
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 支撑技术
• 页码范围: 40-43
• 页数: 4页
• 分类号: TN322+.6
• 字数: 2371字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2006.01.013

摘要

通过在SiGe HBT外基区和多晶发射极上制作TiSi2,从而使器件的高频噪声系数得到进一步降低.以PD=200mW的SiGe HBT为例,采用TiSi2工艺的噪声系数典型值为F=1.6dB@1.1GHz,明显低于无TiSi2工艺SiGe HBT的2.0dB@1.1GHz,且频率越高,二者差别越大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张伟	清华大学微电子学研究所	180	2989	27.0	49.0
2	许军	清华大学微电子学研究所	32	200	7.0	13.0
3	钱佩信	清华大学微电子学研究所	29	158	7.0	11.0
4	李希有	清华大学微电子学研究所	8	30	4.0	5.0
5	熊小义	清华大学微电子学研究所	5	18	3.0	4.0
6	王玉东	清华大学微电子学研究所	3	5	1.0	2.0
7	单一林	清华大学微电子学研究所	3	9	2.0	3.0
8	刘爱华	清华大学微电子学研究所	3	16	2.0	3.0