4H-SiC MESFET直流Ⅰ-Ⅴ特性解析模型

• 作者: 任学峰 杨银堂 贾护军
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-碳化硅 射频功率金属半导体场效应晶体管 Ⅰ-Ⅴ特性 解析模型
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 器件制造与应用
• 页码范围: 129-132
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 2717字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.02.010

摘要

提出了一种改进的4H-SiC MESFET非线性直流解析模型,基于栅下电荷的二维分布,对该模型进行了分析,采用多参数迁移率模型描述速场关系.在分析了电流速度饱和的基础上,考虑沟道长度调制效应对饱和区漏电流的影响,建立了基于物理的沟道长度调制效应模型,模拟结果符合高场下漏极的MC(蒙特卡罗)计算的结果.与以前的研究模型相比较,结果说明了该研究的有效性,饱和电流的结果与实测的Ⅰ-Ⅴ特性更加吻合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂		32	202	6.0	13.0
2	任学峰		2	2	1.0	1.0
3	贾护军		2	2	1.0	1.0