SiC化学机械抛光技术的研究进展

• 作者: 于妍 李响 杨洪星 许德洪
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 抛光液 化学机械抛光 纳米粗糙度 平行度
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 470-472
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 1973字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.06.003

摘要

介绍了半导体材料SiC抛光技术的发展及直接影响器件成品率的衬底材料几何参数和表面质量因素.讨论了SiC化学机械抛光方法(CMP),包括磨削、粗抛和精抛三个过程,其中粗抛又分重压和轻压两个过程,通过这种方法能够制造出平整度好,表面低损伤的SiC晶片的抛光片,切割线痕通过磨削和抛光可以有效地去除,最终达到表面粗糙度小于1 nm.分析了CMP的原理和相关工艺参数对抛光的影响,指出了其发展前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于妍	中国电子科技集团公司第四十六研究所	8	39	3.0	6.0
2	李响	中国电子科技集团公司第四十六研究所	20	72	4.0	8.0
3	杨洪星	中国电子科技集团公司第四十六研究所	50	145	6.0	8.0
4	许德洪	中国电子科技集团公司第四十六研究所	7	20	2.0	4.0