硅片CMP抛光工艺技术研究

• 作者: 刘玉岭
• 来源期刊: 电子工艺技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅片 化学机械抛光 去除速率 缺陷
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 299-302
• 分类号: TN305.2
• 字数: 3118字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3474.2010.05.014

摘要

介绍了硅片机械-化学抛光技术,重点分析了10.16 cm硅片抛光加工过程中抛光液的pH值、抛光压力和抛光垫等因素对硅片抛光去除速率及表面质量的影响.通过试验确定了硅片抛光过程中合适的工艺参数,同时对抛光过程中出现的各种缺陷进行了分析总结,并提出了相应的解决方案.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	中国电子科技集团公司第四十六研究所	9	51	3.0	7.0