InP/Si键合技术研究进展

• 作者: 刘邦武 夏洋 李勇涛 李超波
• 来源期刊: 电子工艺技术
• 学科: 工学
• 关键词: Si InP 键合 层转移
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 微组装·SMT·PCB
• 页码范围: 12-15
• 页数: 4页
• 分类号: TN405
• 字数: 2720字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3474.2010.01.004

摘要

InP材料及其器件的研制是近年来研究热点之一,而键合技术又是光电子集成研究领域内一项新的制作工艺.利用键合技术结合离子注入技术可以InP薄膜及器件集成到Si衬底上,改善机械强度,降低成本,具有非常诱人的应用前景.概括地介绍了近年来InP在Si上的键合工艺及层转移技术研究进展,并对InP和Si的几种键合工艺进行了分析.降低InP和Si键合温度,进行低温键合是其发展趋势.比较几种键合技术,利用等离子活化辅助键合是降低键合温度的有效途径.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏洋	中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室	67	325	9.0	14.0
2	李超波	中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室	31	120	7.0	9.0
3	刘邦武	中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室	17	96	6.0	8.0
4	李勇涛	中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室	1	4	1.0	1.0