磁控溅射法制备Bi2Te3热电薄膜的研究

• 作者: 周欢欢 张建新 檀柏梅 潘国峰 牛新环 王如
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 热电材料 Bi2Te3薄膜 磁控溅射 退火 热电性能
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 半导体先进制造技术
• 页码范围: 126-129,134
• 分类号: TN305.92
• 字数: 2466字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2012.02.008

摘要

Bi2Te3薄膜是室温下热电性能最好的热电材料,利用磁控溅射在长有一薄层SiO2的n型硅样品上制备Bi/Te多层复合薄膜,经后续退火处理生成Bi2Te3.通过分析Bi2Te3薄膜的生长和退火工艺,探讨Bi/Te中Te的原子数分数对薄膜热电性能的影响.采用XRD和SEM对薄膜的结构、形貌和成分进行分析,并测量不同条件下的Seebeck系数.薄膜Seebeck系数均为负数,表明所制备样品是n型半导体薄膜,且最大值达到-76.81μV·K-1;电阻率ρ随Te的原子数分数增大而增大,其趋势先缓慢后迅速.Bi2Te3薄膜的热电性能良好,Te的原子数分数是60.52％时,功率因子最大,为1.765×10 -4W·K-2·m-1.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	檀柏梅	河北工业大学微电子研究所	85	534	13.0	18.0
2	潘国峰	河北工业大学微电子研究所	70	462	10.0	18.0
3	牛新环	河北工业大学微电子研究所	69	406	10.0	17.0
4	王如	河北工业大学微电子研究所	44	252	8.0	14.0
5	张建新	天津工业大学信息与通信工程学院	19	102	6.0	9.0
6	周欢欢	河北工业大学微电子研究所	2	32	2.0	2.0