700 V VDMOS终端结构优化设计

• 作者: 冯全源 吴克滂 干红林 王丹
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 垂直双扩散金属氧化物(VDMOS)场效应晶体管 终端结构 场限环(FLR) 复合场板(FP) 击穿电压
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 274-278
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.04.007

摘要

基于垂直双扩散金属氧化物(VDMOS)场效应晶体管终端场限环(FLR)与场板(FP)理论,在场限环上依次添加金属场板与多晶硅场板,并通过软件仿真对其进行参数优化,最终实现了一款700 V VDMOS终端结构的优化设计.对比场限环终端结构,金属场板与多晶硅复合场板的终端结构,能够更加有效地降低表面电场峰值,增强环间耐压能力,从而减少场限环个数并增大终端击穿电压.终端有效长度仅为145 μm,击穿电压能够达到855.0 V,表面电场最大值为2.0×105 V/cm,且分布比较均匀,终端稳定性和可靠性高.此外,没有增加额外掩膜和其他工艺步骤,工艺兼容性好,易于实现.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯全源	西南交通大学微电子研究所	261	1853	19.0	26.0
2	王丹	西南交通大学微电子研究所	52	211	8.0	12.0
3	干红林	西南交通大学微电子研究所	4	12	3.0	3.0
4	吴克滂	西南交通大学微电子研究所	2	8	2.0	2.0