3 mm 频段InP HEMT 低噪声器件研究

• 作者: 付兴昌 孙希国 崔玉兴 廖龙忠 张力江
• 来源期刊: 电子工艺技术
• 学科: 工学
• 关键词: 3 mm频段 寄生电阻 低噪声 InP HEMT 增益
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: SMT PCB
• 页码范围: 219-221,248
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 1850字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14176/j.issn.1001-3474.2015.04.009

摘要

通过优化设计材料纵向结构，得到了满足3 mm频段工作的InP外延材料结构，最终采用外延工艺制作了InP外延材料。设计了3 mm频段InP HEMT器件横向结构，确定合适源漏间距和单指栅宽，基于InP外延材料采用自主研发流片工艺，优化了欧姆接触工艺，最终制作成功3 mm频段InP HEMT低噪声器件。测试结果表明，在频率为75～110 GHz，Uds为1.2 V，Ugs为-0.1 V时，InP HEMT单胞器件最大增益大于9 dB，噪声系数1.2 dB。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	付兴昌	中国电子科技集团公司第十三研究所	27	68	5.0	7.0
2	孙希国	中国电子科技集团公司第十三研究所	6	29	2.0	5.0
3	崔玉兴	中国电子科技集团公司第十三研究所	30	88	6.0	8.0
4	张力江	中国电子科技集团公司第十三研究所	13	32	3.0	5.0
5	廖龙忠	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	13	1.0	2.0