SiN钝化对W波段AlGaN/GaN HEMT射频性能的影响

• 作者: 付兴昌 吕元杰 崔玉兴 李保第
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN W波段 SiN钝化 射频器件 HEMT
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 431-435,454
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.06.006

摘要

在SiC衬底上制备了栅长为110 nm、漏源间距为2μm的W波段AlGaN/GaN高电子迁移率场效应晶体管(HEMT),分析了SiN钝化对器件直流和射频特性的影响.研究发现:100 nm SiN钝化可显著提升器件的漏源饱和电流及峰值跨导,漏源饱和电流从1.27 A/mm增加至1.45 A/mm (Vgs=1 V),器件峰值跨导从300 mS/mm提升至370 mS/mm,这是由于SiN钝化显著提高了AlGaN/GaN异质结材料沟道电子浓度.此外,SiN钝化可有效抑制器件电流崩塌,显著改善器件直流回扫特性.然而,由于沟道电子浓度增大,钝化后器件中短沟效应增强,器件夹断特性变差.此外,SiN钝化后W波段AlGaN/GaN HEMTs的射频特性得到显著改善,器件的电流增益截止频率从钝化前的33 GHz提升至107 GHz,最高振荡频率从钝化前的65 GHz提升至156 GHz.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	付兴昌	中国电子科技集团公司第十三研究所	27	68	5.0	7.0
2	崔玉兴	中国电子科技集团公司第十三研究所	30	88	6.0	8.0
3	吕元杰		12	11	2.0	2.0
4	李保第	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	2	1.0	1.0