热原子层沉积技术制备TiAlCN薄膜的特性

• 作者: 岳莉 李娜 杨永亮 陈广萍
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 热原子层沉积 TiAlCN薄膜 光学带隙 吸收边 电阻率
• 年，卷（期）: 2017,（10）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 759-764
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.055
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.10.007

摘要

在Si和SiO2基底上,采用热原子层沉积技术,以四(二甲基氨基)钛(Ti(N (CH3)2)4)和三甲基铝(Al (CH3)3)为前驱体,制备TiAlCN薄膜.测试结果表明,随着基底温度的升高,膜层的沉积速率升高,电阻率降低,光学带隙由3.45 eV降低到2.00 eV,并在基底温度为300和350℃时出现了双吸收边;基底温度为350℃时,Al (CH3)3分解,使Al进入膜层与TiN和TiC形成TiAlN和TiAlC;膜层中TiN和TiC的形成,可以有效抑制膜层的自然氧化;基底温度为250和300℃时,薄膜为无定型结构,当基底温度为350℃时,有TiN晶体产生;膜层的表面粗糙度随着基底温度的升高先降低后升高,表面粗糙度的升高可能是因为在基底温度为350℃时前驱体材料的分解,使C-H键进入膜层所导致的.