氮化镓器件的共晶焊接技术

• 作者: 刘美玥 姚友谊 谢飞
• 来源期刊: 电子工艺技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓器件 共晶 超声扫描
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 微组装技术 SMT PCB
• 页码范围: 138-140,158
• 页数: 4页
• 分类号: TN605
• 字数: 2239字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14176/j.issn.1001-3474.2017.03.005

摘要

作为第三代半导体材料的典型代表,氮化镓具有比硅和砷化镓更为优越的性能,其制成的器件可用共晶焊接的方式进行组装.结合影响共晶焊的工艺因素以及试验芯片本身的特质,选取了不同参数进行试验,得到了适用于硅衬底、底面镀金的氮化镓芯片的较好共晶焊工艺参数,证明氮化镓器件的共晶焊接技术可行.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘美玥		3	3	1.0	1.0
2	姚友谊		4	3	1.0	1.0
3	谢飞		2	30	2.0	2.0