AlGaN缓冲层结构对Si基GaN材料性能的影响

• 作者: 冯志红 尹甲运 张志荣 房玉龙 王波 邹学锋 郭艳敏
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 外延 铝镓氮 金属有机化合物化学气相沉积技术(MOCVD) Si衬底
• 年，卷（期）: 2017,（8）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 631-635
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.24
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.08.013

摘要

Si衬底与GaN之间较大的晶格失配和热失配引起的张应力使GaN外延层极易产生裂纹,如何补偿GaN所受到的张应力是进行Si基GaN外延生长面临的首要问题.采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术在4英寸(1英寸=2.54 cm)Si (111)衬底上制备了GaN外延材料并研究了不同AlGaN缓冲层结构对Si基GaN外延材料性能的影响,并采用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、原子力显微镜(AFM)、喇曼光谱以及光学显微镜对制备的GaN材料的性能进行了表征.采用3层A1GaN缓冲层结构制备了表面光亮、无裂纹的GaN外延材料,其(002)晶面半高宽为428 arcsec,表面粗糙度为0.194 nm.结果表明,采用3层A1GaN缓冲层结构可以有效地降低GaN材料的张应力和位错密度,进而遏制表面裂纹的出现,提高晶体质量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王波	中国电子科技集团公司第十三研究所	32	71	5.0	7.0
3	邹学锋	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	73	2.0	5.0
4	郭艳敏		3	2	1.0	1.0
5	房玉龙		15	24	2.0	3.0
6	冯志红		38	81	5.0	5.0
7	尹甲运		13	32	4.0	5.0
10	张志荣	中国电子科技集团公司第十三研究所	3	2	1.0	1.0