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半导体技术期刊
出版文献量（篇）
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄179信箱46分箱
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  • 1. 铁电存储器技术
    作者： 徐子亮 黄寅
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年3期
    页码:  1-4
    摘要： 详细论述了铁电存储器(FRAM)的工作原理、发展过程、技术特性、理论和技术及实际生产中的限制,分析了FRAM的优势及弱点,认为1G位的FRAM可望在五年内实现.
  • 2. APD、PMT及其混合型高灵敏度光电探测器
    作者： 宋登元 王小平
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年3期
    页码:  5-8,12
    摘要： 介绍了雪崩光电二极管(APD)和光电倍增管(PMT)的工作原理、结构及其特性;论述了为提高它们的竞争力在改善性能方面的新进展;介绍了将半导体器件与真空电子器件结合在一起制成的新型光电探测器-...
  • 3. IGCT--GTO技术的最新进展
    作者： 刘国友
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年3期
    页码:  9-12
    摘要： IGCT是一种基于GTO结构、利用集成门极结构进行门极硬驱动、采用缓冲层结构及阳极透明发射极技术的新型大功率半导体开关器件,具有晶闸管的通态特性及晶体管的开关特性.本文将对IGCT的开发过程...
  • 4. 工艺可靠性及其关键技术
    作者： 贾新章
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年3期
    页码:  13-17
    摘要： 在引入工艺可靠性基本概念的基础上,具体介绍相关的关键技术,并指出工艺可靠性的发展方向.
  • 5. GaN的同质外延生长
    作者： 李栓庆
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年3期
    页码:  17
    摘要：
  • 6. 量子器件的计算机模拟
    作者： 何红波 周继承 李义兵
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年3期
    页码:  18-22
    摘要： 综述了量子器件的几种输运模型及其模拟结果,并对量子器件物理模型及其辅助设计提出了设想.
  • 7. fmax为107GHz的AlGaN/GaN HFET
    作者： 李和委
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年3期
    页码:  22
    摘要：
  • 8. 适用于MPEG2 MP@ML标准的视频解码器设计
    作者： 俞颖 叶波 秦东 章倩苓
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年3期
    页码:  23-26
    摘要： 设计了一个适用于MPEG2 MP@ML标准的视频解码器结构,用VHDL语言进行了系统级的仿真和综合.系统工作时钟频率40MHz.用标准图象测试序列进行了验证,给出了测试结果和有关参数,满足M...
  • 9. ULSI制备中二氧化硅等介质化学机械抛光的研究
    作者： 刘玉岭 刘立威 蔡冰祁
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年3期
    页码:  27-28
    摘要： 对ULSI制备中Si、SiO2等CMP工艺技术条件,尤其是温度对提高全局平面化即平整度、粗糙度(抛光雾)进行了深入研究,从机理上提出了以化学作用为主的溶除机理,确定了低温、快速率、大流量的新...
  • 10. C-V技术及其在半导体工艺检测上的应用
    作者： 何德湛
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年3期
    页码:  29-31,33
    摘要： 介绍了C-V测量技术特点及其在半导体工艺检测上的应用,这对提高工艺质量及产品的可靠性起着重要的作用.
  • 11. 功率晶体管击穿电压与硅片电阻率的取值关系
    作者： 李茵 陈中祥
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年3期
    页码:  32-33
    摘要： 介绍了用于节能灯照明电路的高耐压功率晶体管的反向击穿电压、饱和压降和开关时间等参数的设计要求.合理选用硅片单晶材料的电阻率,对器件工艺设计和制造起到了关键作用.
  • 12. 集成电路工艺仿真系统TSUPREM-Ⅳ
    作者： 李惠军
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年3期
    页码:  34-36,63
    摘要： SUPREM系列集成电路工艺模拟系统是当今国际上用户群最大的集成电路工艺计算机辅助设计系统.本文介绍该系列系统的最新版本TSUPREM-Ⅳ.
  • 13. 半导体表面腐蚀工艺方法改进
    作者： 张宏杰
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年3期
    页码:  37
    摘要：
  • 14. 半导体/介质纳米颗粒镶嵌材料的超快激光光谱学
    作者： 丁瑞钦 周国荣 杨恢东 王浩
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年3期
    页码:  38-42
    摘要： 报道了近年来半导体/介质纳米颗粒镶嵌材料中超快过程的激光光谱学的主要测量方法和技术、探测结果、机理分析和我们的一些见解.
  • 15. Si-Ge粉粒在冷等离子体中沉降的提纯效应分析
    作者： 冯信华 张巍 王宇 王敬义 罗文广 陈文辉 陶甫廷
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年3期
    页码:  43-46
    摘要： 本文论述了粉粒在等离子体中的影响,并利用所提供的受力和加速度模型,进行了具体计算.最后分析了沉降时间的各种影响因素和提纯效果.
  • 16. InP系列异质材料中的宽带隙夹层和它对材料特性的影响
    作者： 丁国庆
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年3期
    页码:  47-50
    摘要： InGaAs/InGaAsP/InP等异质材料在室温和低温下光荧光测试中的厚度为3～30nm宽带隙夹层峰.夹层的化学成分主要是InGaP,它与MOCVD生长时开关程序和PH3或AsH3气流空...
  • 17. (CdSe)1/(ZnSe)1应力半导体材料缺陷能级
    作者： 刘贵立 张国英
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年3期
    页码:  51-53,46
    摘要： 用实空间Recursion方法计算(CdSe)1/(ZnSe)1应力半导体材料的总态密度、局域态密度、分波态密度,研究了局域特性和缺陷能级,得出了一些有价值的结论.
  • 18. 用于Si1-xGex异质结外延材料生长的高真空化学汽相外延炉
    作者： 严军 洛红 谢自力 过海洲 陈桂章
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年3期
    页码:  54-56,59
    摘要： 研制出满足Si1-xGex异质结薄膜材料生长工艺的高真空化学汽相外延炉,详述了该汽相外延设备的性能、结构组成和设计原理,并且给出了利用该设备生长Si1-xGex异质薄膜的实验结果.
  • 19. 一种正负输入电压ASIC的输入保护电路设计
    作者： 于宗光 叶守银 夏树荣 徐征 杨功成
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年3期
    页码:  57-59
    摘要： 提出一种适用于正负输入电压专用集成电路的输入保护电路.该电路设计思想新颖,可在不影响电路工作的情况下,对正负过压都能起良好的保护作用.
  • 20. 锁相环技术及CD4046的结构和应用
    作者： 宋吉江 牛轶霞
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年3期
    页码:  60-63
    摘要： 叙述了锁相环的应用及其结构特点,较详细地介绍了锁相集成电路CD4046的结构特点和应用.
  • 21. 借鉴德国经验推进行业协会建设
    作者： 于燮康
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年3期
    页码:  64
    摘要：

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

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期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
2. 中国科技论文统计用刊
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