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半导体技术期刊
出版文献量（篇）
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄179信箱46分箱
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  • 1. 高k材料用作纳米级MOS晶体管栅介质薄层(上)
    作者： 汪辉 翁妍
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  1-5
    摘要： 随着45 nm和32 nm技术节点的来临,传统的SiO2作为栅介质薄膜材料的厚度需缩小到1 nm之下,材料的绝缘性、可靠性等受到了极大的挑战,已不能满足技术发展的要求.高k材料成为代替SiO...
  • 2. 显示控制CMOS锁相环频率合成器设计
    作者： 张涛 沈绪榜 邹雪城
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  6-10
    摘要： 从工程的角度出发,设计了一个应用于显示控制芯片的新颖实用的CMOS锁相环频率合成器.详细论述了系统设计的关键问题,研究了电荷泵充放电电流匹配、精度和输出电压等工程设计问题,并对环路滤波器的计...
  • 3. 高速低功耗钟控比较器的设计
    作者： 徐振 李亮 臧佳锋 钟传杰 韩郑生
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  11-14,18
    摘要： 在分析各种比较器的基础上,设计了一种高速低功耗的钟控比较器,着重优化了比较器的速度和功耗.在SMIC 0.35μm n阱CMOS工艺条件下,采用Cadence Spectre对电路进行了模拟...
  • 4. 基于TCAD软件的单层多晶EEPROM器件模拟分析
    作者： 宣晓峰 杨明武 许高斌 邓勇
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  15-18
    摘要： 利用TCAD软件对单层多晶EEPROM器件特性进行了模拟分析,介绍了单层多晶EEPROM存储单元结构与原理的基础,针对TCAD软件中模拟分析单层多晶EEPROM器件特性时存在的困难,提出了一...
  • 5. 低功耗高动态范围CMOS图像传感器的设计
    作者： 卢结成 张小波 朱青云 鄢铭
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  19-21,29
    摘要： 设计了一种低功耗高动态范围的CMOS图像传感器16×16像素阵列电路,采用条件重置的方法,钟控比较器的低功耗设计及相关时序电路的优化,在扩展CMOS图像传感器的动态范围下,极大地降低了系统的...
  • 6. 宽调节范围的二级压控振荡器
    作者： 倪丹 叶君青 戴庆元 林佳明 程嘉
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  22-24
    摘要： 介绍了一种具有较宽频率调节范围的二级压控振荡器(VCO),调节频率达80%以上.在延时单元中利用传输门来控制振荡频率,通过理论推导和仿真证明了所采用传输门的等效电导随着控制电压线性变化.同时...
  • 7. 基于MC68HC908RF2的无线温度传感器
    作者： 杜吉龙
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  25-29
    摘要： 针对不能直接布线的旋转设备的温度检测问题,设计了一款低成本、微功耗的无线温度传感器.详细阐述了实现方法和设计要点,对系统中采用的关键元器件进行了介绍,给出了系统的硬件结构及软件流程图.设计中...
  • 8. 用于时钟芯片的Pierce晶体振荡器设计
    作者： 刘惩 李冰
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  30-34
    摘要： 分析了Pierce晶体振荡器的起振条件以及传统结构的局限性.基于CSMC 0.5 μmCMOS工艺设计实现了一种应用于时钟芯片的32.768 kHz的Pierce晶体振荡器电路.采用自动增益...
  • 9. 适用于半速率CDR改进型VCO的设计与实现
    作者： 何小威 唐世民 陈吉华 陈怒兴
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  35-38
    摘要： 在0.13μm数字CMOS工艺下设计实现了一种改进型的差分振荡器电路,该电路采用四级环形结构,其中心工作频率为1.25 GHz,版图面积为50μm×50μm,工作范围1.1～1.4 GHz,...
  • 10. 基于宏模型的同步开关噪声仿真分析
    作者： 施国勇 蒋历国
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  39-41
    摘要： 同步开关噪声(SSN)对具有上百个输入/输出端口的高性能FPGA系统具有很大的影响,已经成为深亚微米设计所必须考虑的主要问题之一.由于没有考虑电压反馈效应,IBIS模型在仿真SSN时,总是过...
  • 11. 基准电流源的小信号分析与设计
    作者： 冯全源 冯春涛 王锴
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  42-45
    摘要： 研究了一种常用Widlar型基准电流源结构,分析电源电压对于基准电流的影响.通过引入小信号分析方法,建立基准电流源的小信号等效模型,运用反馈电路分析理论,得出基准电流与电源电压之间的关系.进...
  • 12. 半导体测试调度研究
    作者： 张智聪 张涛 郑力
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  46-50
    摘要： 半导体测试是资金高度密集、涉及产品种类与设备种类繁多的半导体生产环节.半导体测试需要同时使用测试机、送料机台和使能器等资源.资源组合及其可加工的产品类型的对应关系错综复杂,大多数半导体测试调...
  • 13. SiGe HBT低频噪声PSPICE模拟分析
    作者： 张万荣 沙永萍
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  51-55
    摘要： 对SiGe HBT低频噪声的各噪声源进行了较全面的分析,据此建立了SPICE噪声等效电路模型,进一步用PSPICE软件对SiGe HBT的低频噪声特性进行了仿真模拟.研究了频率、基极电阻、工...
  • 14. 逆压电极化效应对AlGaN/GaN异质结2DEG特性的影响
    作者： 张志国 李若凡 杨瑞霞 武一宾 马永强
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  56-58,72
    摘要： 从正-逆压电极化效应对GaN材料的影响出发,通过自洽求解一维Poisson-Schr(o)dinger方程,研究了逆压电极化效应对AlGaN/GaN异质结中2DEG浓度的影响.计算结果显示,...
  • 15. 表面处理与离子注入对GaN HEMT肖特基特性的影响
    作者： 冯志宏 冯震 宋建博 张志国 杨克武 杨瑞霞 王勇
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  59-61
    摘要： 研究了不同的表面处理方法及离子注入对AlGaN/GaN HEMT肖特基特性的影响.在栅金属化前,采用不同的表面处理方法进行实验,发现通过表面处理,栅肖特基特性得到一定的改善,但还不能从根本上...
  • 16. 5 W Si衬底GaN基HEMT研究
    作者： 冯志宏 冯震 刘晨晖 王勇 蔡树军 默江辉
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  62-64
    摘要： 介绍了Si衬底上外延生长GaN基HEMT的制备及其直流特性与微波特性的研究结果:栅宽200 μm器件Vgs=0 V时饱和电流密度达0.975 A/mm,最大跨导240 mS/mm,夹断电压-...
  • 17. 槽栅型肖特基势垒静电感应晶体管
    作者： 刘肃 李思渊 李海蓉 杨涛 王永顺
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  65-67
    摘要： 传统的静电感应晶体管多采用扩硼的方法制备栅极区,这种工艺热预算较高,使得工艺复杂程度和生产成本较高,基于此提出并设计了一种新型的槽栅型肖特基势垒静电感应晶体管.使用V形槽工艺,用溅射铝的方法...
  • 18. VDSM集成电路互连特性及RC延迟研究
    作者： 邝嘉 黄河
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  68-72
    摘要： 利用多层金属导体寄生电容模型,详细分析了不同的金属互连线参数对寄生电容的影响,并采用一个闭合公式对超深亚微米级集成电路中的RC互连延迟进行估计.结果表明,当金属导线的纵横比接近2时,线间耦合...
  • 19. 磁控溅射的TaN薄膜的扩散阻挡性能
    作者： 刘兴刚 张丛春 杨春生 石金川
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  73-76
    摘要： 用反应磁控溅射方法在SiO2/Si(100)衬底和Cu薄膜间溅射一层TaN阻挡层,测试不同N气分压及热处理温度下Cu/TaN/SiO2/Si薄膜的显微结构和电阻特性.同时利用微细加工技术加工...
  • 20. 退火温度对Cu膜微结构与电阻率的影响
    作者： 吴学勇 赵海阔 雒向东
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  77-79,89
    摘要： 采用磁控溅射方法在玻璃衬底上淀积500 nm厚Cu膜,在不同温度下进行原位退火处理.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)及四探针测试仪分析了薄膜微结构与电阻率...
  • 21. QPSK非平衡性调制技术
    作者： 赵夕彬
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  80-82
    摘要： 正交相移键控(QPSK)调制技术已经在工程中得到了广泛应用,然而随着电子对抗技术的发展,QPSK的非平衡调制技术水平也得到了相应的提高,以专门针对通信或定位中的QPSK调制进行干扰.介绍一种...
  • 22. 可重构的低温共烧陶瓷电容高频等效电路模型
    作者： 朱樟明 李小珍 李跃进 杨银堂 邢孟江
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  83-85
    摘要： 低温共烧陶瓷电容元件在微波多芯片组件设计中具有重要地位,其模型是系统仿真的关键.根据电容的物理结构特点,提出了一个可重构的高频电容模型,并给出其模型参数的计算公式.最后用ADS对双层电容和四...
  • 23. 塑封双极型功率晶体管的失效与案例分析
    作者： 谢劲松 陈颖 霍玉杰
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  86-89
    摘要： 由于其自身的结构与封装形式,塑封双极型功率管存在很多可靠性问题.介绍了塑封双极型功率晶体管可靠性问题及失效机理,包括封装缺陷、粘结失效以及由于温度变化而引起的热应力失效和由于吸入潮气而导致的...
  • 24. 飞思卡尔接近传感器加速便携终端的触控设计
    作者： 飞思卡尔半导体(中国)有限公司
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  90-91
    摘要：
  • 25. 综合新闻
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  91
    摘要：
  • 26. 2007"中国芯"颁奖典礼在京举行
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  92
    摘要：
  • 27. 《半导体技术》稿约
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  插1
    摘要：

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
2. 中国科技论文统计用刊
3. 中文核心期刊

半导体技术统计分析

被引趋势
(/次)
(/年)
学科分布
研究主题
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