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半导体技术2009年出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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121. LED用GaAs抛光片清洗技术研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年5期页码:摘要： 伴随着LED照明产业的迅猛发展,高质量的GaAs抛光片需求量日益增大.研究了一种有效的直径5.08 cm低阻GaAs免洗抛光片的清洗技术,采用异丙醇低温超声去蜡结合兆声温法清洗工艺,使晶片表...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年5期页码:摘要： GaN HEMT器件经过钝化后,抑制电流崩塌效应明显,但同时产生其他负面效应,为了改善目前GaN HEMT钝化后漏电增加和击穿电压减小等情况,研究了钝化技术对GaN HEMT电流特性的影响,...
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123. 功率LED使用寿命评价刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年5期页码:摘要： 概述了照明用功率LED的发展历程,遵循LED的退化规律和退化系数与结温间满足阿列尼斯方程的关系,提出了一种实用的温度应力加速寿命试验对功率LED寿命进行评价的试验方法,并利用上述方法对CRE...
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124. 大功率LED稳态热阻测试的关键因素刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年5期页码:摘要： 热阻值是衡量LED芯片和封装导热性能的主要参数,但在热阻的测试过程中时间、温度和电流等因素都会对结果造成直接影响,因此测试时应综合各种因素,透彻理解参数定义,根据相关标准灵活运用测试设备,以...
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125. OLED彩屏显示驱动芯片控制电路的设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年5期页码:摘要： 有机发光二极管显示器(OLED)是一种新型的平板器件,介绍了一种用于220×176彩色PM-OLED的显示驱动芯片.该芯片可以选择262 k色和65 k色的显示模式.芯片为18 V高压CMO...
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126. 大功率激光二极管无助焊剂烧焊技术刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年5期页码:摘要： 烧焊质量对大功率激光二极管的可靠性及寿命影响很大.为获得良好的烧焊质量通常在烧焊过程中使用助焊剂,但是助焊剂残留物会因腐蚀作用对激光二极管的性能及寿命产生不利影响.对蚁酸气体保护下的激光二极...
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127. 新型OLED测试系统的设计与实现刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年5期页码:摘要： 为了满足OLED准确批量测试及降低系统成本的需要,根据表征OLED器件性能指标的特点,设计并建立了一套可测试OLED电流密度-电压-亮度以及器件衰减曲线的测试系统.该系统在计算机程控测控稳压...
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128. 大功率白光LED封装工艺技术与研制刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年5期页码:摘要： 与传统的白炽灯、荧光灯照明相比,由于大功率白光LED具有显著的节能、环保、使用寿命长等一系列不可比拟的优势,代表着新型绿色、环保照明的发展方向,正迅速进军照明领域.从1 W大功率白光LED的...
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129. 大功率LED的光衰机制研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年5期页码:摘要： 为了研究大功率LED的光衰机制,选用了一系列的大功率白光、蓝光发光二极管分别进行恒流点亮,在点亮不同时间阶段测量其光通量、发光谱及伏安特性.发现在光衰过程中,光通量有时会上升;通过LED光谱...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年5期页码:摘要： 分析了二极管的噪声机理和降低噪声的措施,探索了低噪声齐纳二极管的特殊制作工艺,包括Si平面结加保护环、掺氯缓慢升降温氧化、CVD表面钝化、凸点电镀等.用此组合降噪工艺研制的1N4626型齐纳...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年5期页码:摘要： 研究了AlGaN/GaN异质结构上的肖特基接触的基本原理及载流子的高温输运特性.将AlGaN/GaN异质结SBD和AlGaN SBD,在27～250℃进行实验比较.发现随着温度上升,AlGa...
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132. 含氰基三联苯聚噻吩液晶共轭聚合物单体合成刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年5期页码:摘要： 通过Sszuki偶联和Mitsunobu酯化等反应,设计合成了一种新型含氰基三联苯聚噻吩类液晶共轭聚合物单体,利用核磁共振(1H NMR)、红外光谱(IR)等方法表征了单体的结构.利用示差扫...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年5期页码:摘要： 利用直流磁控溅射法在有ZnO:Zr缓冲层的水冷玻璃衬底上成功制备出了ZnO:Zr透明导电薄膜,缓冲层的厚度介于35～208 nm.利用XRD、SEM、四探针测试仪和紫外-可见分光光度计研究Z...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年5期页码:摘要： Si微波功率器件应用十分广泛,其可靠性直接影响使用设备的性能.以L波段Si微波脉冲功率晶体管为例,提出了一种基于Arrhenius模型的Si微波功率晶体管可靠性寿命评价方案.采用L波段Si微...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年5期页码:摘要： 研究了TEM样品制备条件对Cu/低k制程ILD TDDB失效样品及含更低介电常数(k=2.7)介质层样品的TEM成像质量的影响,发现在一定的样品制备条件下低介电常数介质的疏松特性可在TEM成...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年5期页码:摘要： 随着超高频RFID标签的应用越来越广泛,在提高其性能上的需求也越来越迫切.对于无源标签,工作距离是一个非常重要的指标.要提高工作距离,就要降低标签的功耗.着重从降低功耗方面阐述了一款基于IS...
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137. 深亚微米混合信号全芯片ESD电路设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年5期页码:摘要： 随着CMOS工艺的发展,集成电路元件的尺寸持续减小,芯片的静电放电(ESD)保护设计受到了更大的挑战.从系统的角度出发,采用电压域分别保护后通过隔离器件连接的方法完成了对深亚微米芯片ESD保...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年5期页码:摘要： 给出了采用虚地和反馈等原理实现振荡器设计的方法,该方法改变了设计振荡器的传统观念,不同形式的振荡电路总是可以变成放大器和移相选频网络级联,后经反馈构成.并给出了完整的计算公式和设计过程,另外...
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139. 曲率补偿的2.5 V参考电压源设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年5期页码:摘要： 设计了一种基于电流模式的低温度系数参考电压源,并采用具有不同温度系数的电阻来补偿三极管的基极-发射极电压的温度特性非线性,设计了2.5 V参考电压源.同时采用高精度的电流镜结构,来减小电路的...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年5期页码:摘要：
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年6期页码:摘要： 多孔低介电常数的介质引入硅半导体器件给传统的化学机械抛光(CMP)技术带来了巨大的挑战,低k介质的脆弱性难以承受传统CMP技术所施加的机械力.一种结合了电化学和机械平坦化技术的新颖铜平坦化工...
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142. 锑化物半导体材料与器件应用研究进展刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年6期页码:摘要： 窄禁带的锑化物半导体材料近年来被国际上公认为第三代超高速、超低功耗集成电路和第三代焦平面阵列红外探测器的首选材料体系.概述了它们独特的能带结构和物理特性及其为各种新型功能器件的研发提供的极大...
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143. 半导体器件生产中的静电与防护刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年6期页码:摘要： 绝大多数半导体器件都是静电敏感器件,而在生产过程中静电又是无处不在的,生产厂必须对静电防护措施给予充分的重视.生产厂应通过对器件采用防静电设计,并在生产过程中对静电采用泄漏、屏蔽和中和等控制...
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144. 图形反转工艺用于金属层剥离的研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年6期页码:摘要： 研究了AZ-5214胶的正、负转型和形成适用于剥离技术的倒台面图形的工艺技术.用扫描电镜和台阶仪测试制作出的光刻胶断面呈倒台面,倾角约为60°,胶厚1.4μm.得到了优化的制作倒台面结构的光...
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145. 激光开槽技术在毫米波产品中的应用刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年6期页码:摘要： 在毫米波产品设计中,芯片的安装方式及连接路径是影响产品性能的一个重要因素.目前的手工操作方法不能满足高性能产品设计的需要,同时也是批量化生产的工艺技术瓶颈.介绍了一种新型的在电路基片上制作芯...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年6期页码:摘要： 台面制作工艺对1.3 μm应变补偿多量子阱SLD的器件性能有重要的影响.根据外延结构,分析比较了两种台面制作的方法,即选择性湿法腐蚀法和ICP刻蚀+湿法腐蚀法.InGaAs层ICP刻蚀避免了...
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147. 台面刻蚀深度对埋栅SITH栅阴击穿的影响刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年6期页码:摘要： 针对台面刻蚀深度对埋栅型静电感应晶闸管(SITH)栅阴击穿特性的影响做了实验研究.实验结果表明,随着台面刻蚀深度的增大,器件栅阴击穿由原来的软击穿变为硬击穿,同时击穿电压升高,SITH设计了...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年6期页码:摘要： 针对SiC衬底缺陷密度相对较高的问题,研究了消除或减弱其影响的工艺技术并进行了器件研制.通过优化刻蚀条件获得了粗糙度为2.07 nm的刻蚀表面;牺牲氧化技术去除刻蚀带来的表面损伤层,湿氧加干...
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149. 基于TCAD工具的超突变结变容二极管设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年6期页码:摘要： 根据超突变结变容二极管设计和工艺特点,报道了利用SILVACO公司工艺模拟软件Athena、器件模拟软件Atlas等完成超突变结变容二极管的几何结构、浓度分布、工艺参数、电学参数等的设计,根...
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150. 新型亚纳秒高功率半导体开关器件刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年6期页码:摘要： 介绍了一种基于半导体内部的等离子体波理论而设计制造的全固态高功率半导体开关器件--快速离化器件(FID),阐述了FID器件的工作机理.采用传统的电力电子器件的制造工艺技术,研制出了新型亚纳秒...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
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