半导体技术期刊
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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  • 作者: 张威虎 张富春 杨延宁 董军堂
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年9期
    页码:  657-660
    摘要: 采用氢氧化钾(KOH)和二水醋酸锌(Zn (CH3COO)2·2H2O)配制不同浓度的反应溶液,反应过程中加入表面活性剂聚乙二醇(HO(CH2CH2O)13H),在80℃水热反应条件下制备出...
  • 作者: 吴洪江 王绍东 赵永志
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年9期
    页码:  661-663
    摘要: 利用低温共烧陶瓷(LTCC)工艺,通过通孔互联实现了三维结构的发夹型宽带带通滤波器.该结构将谐振单元的横向尺寸转移到z轴方向实现,有效减小了滤波器的尺寸并且谐振器间的耦合系数为传统结构的1....
  • 作者: 何彦刚 刘效岩 刘玉岭 周建伟 李伟娟 甘小伟
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年9期
    页码:  664-667
    摘要: 抛光磨料在抛光衬底和抛光垫间做磨削运动,它是CMP工艺的重要组成部分,是决定抛光速率和平坦化能力的重要影响因素.因此分析磨料的各物性参数对CMP过程的影响尤为重要.随着晶圆表面加工尺寸的进一...
  • 作者: 冯志红 刘波 尹甲运 敦少博 李佳 王晶晶 蔡树军
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年9期
    页码:  668-671
    摘要: 通过改变高温AlN形核层生长时提前通入TMAl的时间,分别在Si (111)衬底上生长了4个1μm厚的GaN样品,并对每个样品的GaN外延材料进行了分析研究.通过显微镜观察发现,Al的沉积时...
  • 作者: 刘英坤 贾素梅 辛启明
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年9期
    页码:  672-676,729
    摘要: 以全球信息产业需求及技术发展为背景,回顾了以能带工程为基础的、在现代通信领域得到广泛应用的SiGe异质结晶体管技术的发展历程.介绍了分子束外延、超高真空化学气象淀积和常压化学气象淀积3种典型...
  • 作者: 任浩 孙雷 张存善 王媛媛 赵润
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年9期
    页码:  677-680
    摘要: 对典型量子阱激光器的光束特性和光纤特性进行了简要分析,在此基础上,利用光线踪迹理论,对光纤激光器所用976 nm泵浦模块的耦合光路进行设计,并采用光学设计软件Tracepro对设计的光路进行...
  • 作者: 宋晶 张伟才 杨洪星 赵权
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年9期
    页码:  681-683
    摘要: 介绍了晶片表面Haze值的定义和理论依据,通过对SSIS系统的原理分析,揭示了H aze是一种间接反映晶片表面状态的光学信号.通过对不同表面状态抛光片的光学扫描,研究了晶片表面粗糙度与Haz...
  • 作者: 侯珏 肖斐 陈栋
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年9期
    页码:  684-688
    摘要: 随着电子封装持续向小型化、高性能的方向发展,基于硅通孔的三维互连技术已经开始应用到闪存、图像传感器的制造中,硅通孔互连技术的可靠性问题越来越受到人们的关注.将硅通孔互连器件组装到PCB基板上...
  • 作者: 刘英坤 杨瑞霞 贾素梅 辛启明 邓建国
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年9期
    页码:  689-692
    摘要: 台面结构SiGe/Si异质结晶体管制作过程中,发射区台面形成尤为关键.由于干法刻蚀速率难以精确控制,且易损伤SiGe外基区表面,SiGe自中止湿法腐蚀成为台面结构SiGe/Si异质结晶体管制...
  • 作者: 姜维宾 张礼 李东华 李惠军 赵志桓 韩希方
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年9期
    页码:  693-696
    摘要: 依据垂直双扩散场效应晶体管(VDMOSFET)的结构设计及参数要求,使用新一代Sentaurus系列TCAD工具对分立器件VDMOSFET进行分析.通过此工具可以对VDMOSFET的工艺结构...
  • 作者: 叶波 赖宗声 阮颖 陈磊
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年9期
    页码:  697-700,725
    摘要: 采用0.18 μm SiGe BiCMOS工艺设计实现了一款用于3GPP WCDMA 850/2100 (band-Ⅰ/band-Ⅴ)的双频单芯片功率放大器(PA).PA采用单端共射级3级级...
  • 作者: 万培元 彭蓓 李浩 林平分 黄冠中
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年9期
    页码:  701-704
    摘要: 基于65 nm CMOS工艺、1.2V供电电压,设计了一款结合偏移双通道技术的流水线模数转换器( analog-to-digital convertor,ADC).芯片的测试结果表明,该校正...
  • 作者: 万培元 张玥 林平分
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年9期
    页码:  705-709
    摘要: 超大规模集成电路特征尺寸逐步缩小的发展过程中,芯片面积是制约芯片成本的最重要因素之一,也是直接影响半导体产品市场竞争力的最重要因素之一.本文介绍了将所有可测性设计(DFT)的输入输出端口(I...
  • 作者: 李俊敏
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年9期
    页码:  710-713
    摘要: 设计了一种独特的极间匹配网络,使驱动放大器的输出阻抗直接匹配到末级放大器的输入阻抗,而不通过极间50 Ω匹配转换.应用这种极间匹配网络,提高了30~512 MHz,100 W功率放大器的线性...
  • 作者: 刘宇 王珺
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年9期
    页码:  714-718
    摘要: 高密度塑封器件不同材料间分层断裂常导致器件失效,且界面通常为正应力作用下的张开型(模式Ⅰ)断裂和切应力作用下的滑开型(模式Ⅱ)断裂的混合模式.环氧塑封料和Cu引线框架之间热失配较大,在热、力...
  • 作者: 李沫 董玮
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年9期
    页码:  719-725
    摘要: 为了实现跨越不同网络的无间断服务和随时随地的高速率数据接入,提出了采用光学方法产生超宽带信号的技术,该技术的采用避免了额外的电光或者光电转换,节省了系统资源,有益于全光网络的形成.基于国内外...
  • 作者: 保爱林 傅剑锋 邓爱民
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年9期
    页码:  726-729
    摘要: 整流器件在工作中的可靠性往往与其漏电流特别是在高温下的漏电流有密切关系,然而对高温下的漏电流往往关注不够.通过对常温与高温漏电流的对比测试,发现两者并没有一致的对应关系;通过对高温漏电流有较...
  • 作者: 姚若河 邹心遥
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年9期
    页码:  730-733
    摘要: 现代高可靠元器件在寿命试验时会出现失效数据很少的小子样情形,而传统的可靠性评估方法需要大量的失效数据,针对此情况,从工程实践的实际需求出发,提出了基于最小二乘支持向量机的小子样元器件寿命预测...
  • 作者: 飞思卡尔半导体(中国)有限公司
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年9期
    页码:  734-735
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年9期
    页码:  736
    摘要:

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

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