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半导体技术2013年出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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61. 全自动荧光粉涂覆工艺研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年4期页码:摘要： 自行设计并搭建了一套全自动荧光粉涂覆系统.针对涂覆工艺,通过扫描电子显微镜研究真空搅拌除泡处理时间对涂覆质量的影响,结果发现未经真空搅拌除泡处理的荧光粉涂覆层中有直径达140μm的气泡,且涂...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年4期页码:摘要： 介绍了在Si(111)衬底上MOCVD外延生长高质量A1N成核层,系统研究了预铺铝时间对成核层的影响.分别利用扫描电子显微镜(SEM)和高分辨率X射线衍射(HRXRD)对A1N层的表面形貌和...
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63. 硅基不同晶面上的空穴迁移率研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年4期页码:摘要： 近年来,金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的特征尺寸减小并进入纳米尺度,为了改善器件的短沟道效应,器件由原来的平面结构改为立体结构.而在立体结构器件中,沟道由不同于传统Si(100...
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64. 高温氩退火对提高Si片质量的研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年4期页码:摘要： 首先研究了氩退火对大直径直拉Si单晶表面的空洞型微缺陷的影响.样品在1 200 c℃下进行退火,退火前后样品上的晶体原生粒子缺陷(COP)利用激光计数器SP1来观察.试验表明Si片经过1h退...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年4期页码:摘要： 为提高IC封装过程中钉头Au凸点制备效率,需对Au凸点的形成机理进行分析,得出影响Au凸点质量的各种工艺参数.采用有限元仿真与实验相结合的方法,针对不同的劈刀剪切速度模拟剪切断丝过程,并在实...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年4期页码:摘要： 相对于噪声系数,噪声参数更加全面地反映了半导体器件噪声特性.介绍了微波低噪声器件噪声参数产生机理及测量原理,分析了噪声参数测量方法.针对低噪声封装器件的特点,自制了测试夹具以及表征测试夹具的...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年5期页码:摘要： 三维高深宽比硅基结构是基于微纳制造技术的功能载体或执行机构.其由于小尺寸特征而获得特殊的微纳效应,具有灵敏度高、分辨率高、噪声低、位移量小等特点,在光电、生物、微能源和集成互连等技术领域具有...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年5期页码:摘要： 近年来,随着微电子系统不断向微小型化发展,3D集成技术的开发和应用倍受关注.3D技术通常使用硅通孔把RF前端、信号处理、存储、传感等功能垂直集成在一起,从而达到增强功能密度、缩小尺寸和提高可...
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69. CMOS宽带I/Q解调器的设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年5期页码:摘要： 设计了一款基于CMOS工艺的高动态范围宽带I/Q解调器.该解调器电路包括射频V/I转换电路、混频电路、中频缓冲电路,并且内部集成了高性能I/Q信号产生电路.此外,该解调器可以通过电流调控引脚...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年5期页码:摘要： 采用GaN HEMT工艺,解决了GaN功率HEMT材料结构、大信号模型提取、电路设计、芯片测试等难题,分析了如何提高电路效率,并利用ADS软件对电路进行了原理图与版图优化设计,成功研制出Ka...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年5期页码:摘要： 为了获得4H-SiC横向BJT器件高耐压下的高电流增益,文中通过降低漂移区的掺杂浓度(NDRI),使得漂移区内靠近基极方向的电场强度降低,从而使集-基结在基区的耗尽大幅减小.通过对基区的优化...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年5期页码:摘要： 绝缘栅双极晶体管(IGBT)具有驱动简单、易于并联的优点,在高端领域得到广泛应用.以1 200 V非穿通型IGBT (NPT-IGBT)为例,仿真研究IGBT的器件结构对瞬态特性的影响(主要...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年5期页码:摘要： 微波放大器的级间匹配是两个复数阻抗之间的双端口共轭匹配,但目前多数资料很少介绍这种共轭匹配电路的具体设计.基于微波传输线基本理论,详细介绍了用Smith导抗圆图直接进行级间共轭匹配的匹配理念...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年5期页码:摘要： 随着第三代半导体GaN技术的发展成熟,GaN功率器件在各种电子系统中逐渐得到了广泛应用.由于GaN的功率器件具有击穿场强高和功率密度大的特点,因此很适合应用于功率放大技术中.结合商用GaN高...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年5期页码:摘要： 报道了对SiC MESFET器件多种纵向结构设计进行的研究和分析,设计了采用单凹槽栅结构、多凹槽栅结构和介质埋栅结构三种不同纵向结构器件,并对三种器件结构进行了仿真优化.对于大功率微波器件,...
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76. 一种分子筛芯片的设计、制备与应用刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年5期页码:摘要： 细菌的快速检测可以对疾病、疫情和环境污染给出早期预警,以便及早控制,防止病菌的蔓延.介绍了一种可用于快速细菌检测的分子筛芯片,给出了分子筛芯片的制备方法.通过研究KOH溶液对硅的不同晶面的湿...
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77. 原子层沉积制备ZnO薄膜研究进展刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年5期页码:摘要： 随着半导体技术的发展,ZnO作为第三代半导体材料,具有禁带宽度大、载流子漂移饱和速度高和介电常数小等优点,更适合制作蓝光和紫外光的发光器件.与传统的薄膜制备技术相比,原子层沉积技术(ALD)...
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78. n型CuInS2薄膜的制备及特性刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年5期页码:摘要： 将高纯Cu,In和S粉末按1∶0.1∶1.2(原子个数比)配比混合均匀,热蒸发沉积CuInS2薄膜,再将薄膜进行热处理.研究热处理工艺对薄膜性能和导电类型转换的影响.本研究制备的薄膜经360...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年5期页码:摘要： 在接入网中,低成本、小尺寸的同轴结构封装10 Gb/s光接收组件起着非常重要的作用.在微波频段,封装器件引入的寄生参数已经成为制约其高频特性的主要因素之一.基于传输线理论,建立了包含芯片、金...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年5期页码:摘要： 论述了低气压放电与微放电的产生机理.以要求在低气压和真空环境下能正常工作的某星载微波固态功率放大器为例,详细介绍了在设计和生产中对低气压放电和微放电所采取的预防措施,重点从放气孔设计、多余物...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年5期页码:摘要： 随着金价的不断上升,集成电路封装成本越来越高.为此,集成电路封装厂商纷纷推出铜线键合来取代金丝键合,以缓解封装成本压力.但是纯铜丝非常容易氧化,为了提高键合生产效率及产品可靠性,目前封装厂商...
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82. 信息动态刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年5期页码:摘要：
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年6期页码:摘要： ZnO是一种光电性能优异的半导体材料.由于ZnO的宽禁带、良好的电导率和高的可见光谱的透光率,使ZnO非常适合作为异质结太阳电池的发射极及薄膜电池的透明导电电极材料.由于ZnO/Si异质结太...
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84. 钇掺杂氧化锌薄膜的研究进展刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年6期页码:摘要： 氧化锌材料具有优异的光电特性,易于掺杂,近年来一直是半导体材料领域关注的热点.稀土元素钇掺杂氧化锌(YZO)薄膜属于新兴的研究方向,相关研究还处于初级阶段.评述了国内外关于YZO薄膜的最新研...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年6期页码:摘要： 针对无源超高额射频识别标签芯片的应用需求设计了一种非易失性存储单元及其灵敏放大电路.该存储单元包括了两个浮栅节点并利用隧道效应(FN)隧穿机制来实现电子向浮栅的注入和擦除,因此其具有较低的编...
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86. 信息动态刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年6期页码:摘要：
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年6期页码:摘要： 描述了一种基于台湾稳懋(WIN)半导体公司商用0.5 μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺的高隔离度吸收式单刀双掷射频开关芯片的设计.设计中使用两级串并结构提高隔离度,加入了吸收电阻减小关断...
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88. X波段宽带单片驱动功率放大器刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年6期页码:摘要： 基于4英寸(1英寸=2.54 cm)GaAs PHEMT工艺,设计和制作了一款X波段驱动功率放大器单片集成电路.详细介绍了微波单片集成电路(MMIC)的设计方法,并对芯片进行了测试,测试结果...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年6期页码:摘要： 相对GaAs材料而言,GaN具有更高的击穿电压和更高的功率密度,使得GaN更适合用于宽带功率放大器的设计和实现.采用比GaAs赝配高电子迁移率晶体管更小栅宽的器件,设计和实现了一种2～4 G...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年6期页码:摘要： 采用氯苯/三氯甲烷混合溶剂配制聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA):富勒烯(C60)溶液,运用旋涂法以氧化铟锡为基底制备薄膜,运用原子力显微镜对薄膜表面形貌进行表征.制备了ITO/PMMA∶C60/...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
半导体技术评价信息
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
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