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半导体技术2019年出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 隧穿氧化物钝化接触 (TOPCon) 技术已成为当前产业化高效太阳电池的重点研究方向之一.报道了可应用于规模化生产的n型双面TOPCon太阳电池技术, 对前表面SiO2/多晶硅钝化层进行了优...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 采用预铺Ga或NH3氮化等方式原位处理图形化蓝宝石衬底 (PSS) 表面, 然后外延生长了GaN薄膜, 研究了PSS表面预处理对GaN薄膜表面形貌、晶体质量以及残余应力的影响.结果显示, P...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 研究了不同掺杂浓度的Co3O4-ZnO纳米复合材料的丙酮气敏特性, 并讨论了可见光照射下的光电响应及丙酮气敏响应机理.采用溶胶-凝胶法, 制备了Co3O4掺杂质量分数分别为0、2.13％、4...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 对富铟磷化铟 (InP) 晶体中铟夹杂物的基体特征进行了分析和表征.在富铟熔体中制备了InP单晶, 利用金相显微镜及红外透射显微镜研究InP晶体中的铟夹杂物形态及其基体周围的影响区的形成.研...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 通过仿真键合引线不同拱高、直径和数量对回波损耗的影响, 探究了高频下先进封装结构中典型键合引线的电磁特性, 以指导其优化设计.结合其电磁全波仿真模型建模, 提出了改进的"T"型等效电路并解释...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 建立了Elman神经网络模型来实现绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 的寿命预测.分析了IGBT的结构及其失效原因, 结合NASA埃姆斯中心的加速热老化试验数据, 确定了以集电极-发射极关断电...
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67. p型SiC欧姆接触理论及研究进展刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年6期页码:摘要： 碳化硅(SiC)具有宽禁带、高临界击穿电场、高热导率等优异特性,是制备高温、高频、大功率器件最理想的半导体材料之一.然而,制备良好的SiC欧姆接触尤其是p型SiC欧姆接触仍然是SiC器件研制...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年6期页码:摘要： 芯片原子钟(CSAC)可以提供精准的时间基准,具有较好的应用前景.利用微型PIC(R)单片机和增量式比例-微分-积分(PID)算法设计了一种CSAC微电子机械系统(MEMS)原子气室数字温控...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年6期页码:摘要： 基于HHNEC 0.35 μm 40 V BCD工艺,采用峰值电流检测模式的脉冲宽度调制方式,设计了一款能在8～42 V的输入电压范围内,-40～ 125℃的温度范围内正常工作的高转换效率、...
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70. 一种高线性无源双平衡混频器刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年6期页码:摘要： 设计了一种适用于1.0～2.0 GHz的高线性下变频混频器.电路设计采用了无源双平衡结构,片内集成宽带巴伦、限幅本振放大器、混频核和偏置电路.为了提高混频器的线性度,在对无源双平衡的结构进行...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年6期页码:摘要： 研究了无凹槽AlGaN/GaN肖特基势垒二极管(SBD)的正向电流输运机制.分别采用Ni/Au和TiN作为阳极金属材料制备了无凹槽AlGaN/GaN SBD,对比了两种SBD的直流特性.并通...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年6期页码:摘要： 研制了一款X波段增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT).在3英寸(1英寸=2.54 cm)蓝宝石衬底上采用低损伤栅凹槽刻蚀技术制备了栅长为0.3 μm的增强型AlGaN/Ga...
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73. 《半导体技术》稿约刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年6期页码:摘要：
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年6期页码:摘要： 制备了Al/Al2O3/InP金属氧化物半导体(MOS)电容,分别采用氮等离子体钝化工艺和硫钝化工艺处理InP表面.研究了在150、200和300 K温度下样品的界面特性和漏电特性.实验结果...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年6期页码:摘要： 研究了不同条件的非原位NH3等离子体钝化对Al2O3/SiGe/Si结构界面组分的影响.在p型Si(100)衬底上外延一层30 nm厚的应变Si0.7Ge0.3,采用双层Al2O3结构,第一...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年6期页码:摘要： 锗外延片表面的雾、水印及点状缺陷等会影响太阳电池的性能和成品率,其中点状缺陷出现的比例最高.研究了锗抛光片清洗工艺对外延片表面点状缺陷的影响,获得了无点状缺陷、低粗糙度及高表面质量的锗单晶片...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年6期页码:摘要： 利用磁控溅射法在玻璃衬底上淀积铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜作为缓冲层,在其上制备了ZnO薄膜.重点研究了AZO薄膜作为缓冲层对玻璃衬底上ZnO薄膜特性的影响.扫描电子显微镜(SEM)图像和X射...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年6期页码:摘要： 以化学气相沉积(CVD)方法在蓝宝石衬底上沉积一层较厚的MoS2膜作为前驱体,使用物理气相传输(PVT)方法制备了层状MoS2薄膜.用光学显微镜、扫描电子显微镜、喇曼光谱和光致发光光谱对制备...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年6期页码:摘要： 对基于全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)的隧穿场效应晶体管(TFET)器件和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件进行了总剂量(TID)效应仿真,基于两种器件不同的工作原理,研究了总剂...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年6期页码:摘要： 研究了不同脉冲工作条件对GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)结温的影响,通过改变脉冲信号发生器的输出频率和占空比来改变器件的工作条件,利用具备高空间分辨率的显微红外热像仪进行瞬态结温测试.结...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年6期页码:摘要： 介绍了高分辨X射线衍射(HRXRD)面扫描技术在评估4H-SiC抛光片整体结晶质量方面的应用.对4H-SiC抛光片整片及局部特定位置进行HRXRD摇摆曲线面扫描,并拟合摇摆曲线半高宽(FWH...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年6期页码:摘要： 采用新型半导体开关漂移阶跃恢复二极管(DSRD)研制了一种纳秒级固态脉冲发生器.通过建立DSRD仿真等效模型,模拟DSRD器件的真实输出波形;采用双极并联结构电路设计,满足DSRD工作所需的...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年7期页码:摘要： 提出了一种带宽为1～32 MHz、以1 MHz为步进的可调的连续时间Δ-∑模数转换器(ADC),并且在标准65 nm CMOS工艺下进行了流片验证.设计采用传统三阶级联反馈型(CRFB)结构...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年7期页码:摘要： 为满足可穿戴集成电路的低功耗应用需求,设计了一种自偏置全集成的带隙基准电压电路.该电路采用纯CMOS结构,利用金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的阈值电压与温度呈反比、热电压与温度...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年7期页码:摘要： 基于开关电容分割结构设计并实现了一种分辨率为6～10 bit可配置的逐次逼近寄存器型(SAR)模数转换器(ADC).对这种电容分割结构的功耗性能、静态非线性以及电源噪声抑制模型等进行了详细分...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年7期页码:摘要： 在一些特殊图像处理任务如模式识别、目标跟踪和图像压缩等中需要图像传感器能够实现动态的可编程帧频和多分辨率.介绍了一种CMOS图像传感器设计,可以通过编程方式获得动态像素分辨率.在普通模式下,...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年7期页码:摘要： 设计了一款应用于GSM/WCDMA/LTE发射机中的多模10 bit数模转换器(DAC),该DAC采用了5+5的分段式电阻型结构,达到面积和性能优化折中.通过数字可编程设计,该DAC可根据不...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年7期页码:摘要： 介绍了一种应用在DC-DC变换器芯片中的片内电源电路.其核心是设计了一种带“浮地”结构的对称型跨导放大器电路,既可显著提高电路的瞬态响应速度,也减少了硬件成本,且电路结构简单、易于实现.此外...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年7期页码:摘要： 设计了一款GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)单片微波集成正电压控制开关.该电路设计采用片上集成隔直电容,对传统负电压控制开关的拓扑结构进行改进.针对PHEMT开关低频(0.1 GH...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年7期页码:摘要： 随着器件特征尺寸的缩小,半导体器件受到热载流子注入(HCI)导致的损伤越来越小,采用常用的I-V测试方法很难获得其内部陷阱电荷的准确数据.采用I-V测试和低频噪声测试相结合的方式,分析了65...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
半导体技术评价信息
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
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