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半导体技术2021年出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年1期页码:摘要： 以SiC/GaN为代表的第三代半导体功率电子学已成为当今功率电子学创新发展的主流,超宽禁带半导体金刚石功率电子学将有可能成为下一代固态功率电子学的代表,受到研究人员的广泛关注.介绍了金刚石功...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年1期页码:摘要： ZnO是一种带隙宽度约为3.0 eV的Ⅱ-Ⅵ族n型半导体材料,其具有优异的光学性能、压电性能和电化学性能,广泛应用于传感器、太阳电池和催化净化等领域.介绍了目前纳米ZnO的主要制备方法,包括...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年1期页码:摘要： 设计了一款低温度系数的自偏置CMOS带隙基准电压源电路,分析了输出基准电压与关键器件的温度依存关系,实现了低温度系数的电压输出.后端物理设计采用多指栅晶体管阵列结构进行对称式版图布局,以压缩...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年1期页码:摘要： 研制了一款低电调电压、多频段压控振荡器(VCO)微波单片集成电路(MMIC),MMIC主要由6频段振荡电路、控制电路、译码电路等组成.将10～20 GHz的频率范围分为6个频段覆盖,从而将电...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年1期页码:摘要： 基于0.15 μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,成功研制了一款30～34 GHz频带内具有带外抑制特性的低功耗低噪声放大器(LNA)微波单片集成电路(MMIC).该MM...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年1期页码:摘要： 为满足当前通信系统中存在的多种通信标准要求,提出了一种基于滑窗回溯的多标准Viterbi译码器.与其他Viterbi译码器相比,该译码器在支持任意长度序列译码的基础上,实现了1/2、1/3和...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年1期页码:摘要： 为了精确地表征高频GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)的器件特性,提出了一种考虑端口引线趋肤效应的GaAs PHEMT器件小信号模型.采用传输线理论,建立GaAs PHEMT的源-漏...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年1期页码:摘要： 针对CMOS器件随着技术节点的不断减小而产生的短沟道效应和漏电流较大等问题,设计了一种新型直肠形鳍式场效应晶体管(FinFET),并将该新型器件与传统的矩形结构和梯形结构的FinFET通过S...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年1期页码:摘要： 介绍了一款高压高功率GaN功率器件及其匹配电路.基于国内高压GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的研究基础,选取了GaN HEMT芯片,确定了器件的总栅宽.根据GaN HEMT芯片阻抗,器件...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年1期页码:摘要： 热退火技术是集成电路制造过程中用来改善材料性能的重要手段.系统分析了两种不同的退火条件(氨气氛围和氧气氛围)对TiN/HfO2/SiO2/Si结构中电荷分布的影响,给出了不同退火条件下Si0...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年1期页码:摘要： 高密度陶瓷封装倒装焊器件的焊点尺寸已降低至100 μm以下,焊点电流密度达到104 A/cm2以上,由此引发的电迁移失效成为不可忽视的问题.以陶瓷封装菊花链倒装焊器件为研究对象,开展了Sn1...
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12. 晶圆级导通电阻测试精度的改进方法刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年1期页码:摘要： 针对晶圆级导通电阻测试误差过高,满足不了低压金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)毫欧级导通电阻的测试精度要求,给产品晶圆测试规范的制定及品质监控带来困扰的问题,提出了晶圆级导通电阻测...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年2期页码:摘要： 3功率晶体管与逻辑电路 金刚石晶体管在功率电子学和微波电子学两大领域均有进展.在功率电子学领域向高击穿电压、高击穿场强、高温工作、低导通电阻、高开关速率和常关器件的方向发展.金刚石晶体管以...
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14. 硅通孔抛光液的研究进展刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年2期页码:摘要： 硅通孔(TSV)技术是一种先进的封装技术,化学机械抛光(CMP)是集成电路TSV制作过程中的重要步骤之一,是可兼顾材料表面局部和全局平坦化的技术.抛光液是影响抛光表面质量和加工效率的关键因素...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年2期页码:摘要： 面向高速串行接口应用,设计了一款25 Gibit/s的大摆幅电压模逻辑发送器.输出驱动器由3个相同的子驱动器并联而成,且每个子驱动器都包含依据二进制权重递增的5个驱动单元,从而实现32种不同...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年2期页码:摘要： 工作在饱和区的MOSFET存在零温度系数(ZTC)特定工作点,基于这一特性设计实现了一款具有低温度系数的电压基准芯片.所设计的电路利用ZTC工作点的温度系数接近于0这一特点,辅以高阶曲率补偿...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年2期页码:摘要： 基于SiC衬底0.25 pm GaN HEMT工艺,设计实现了一款C波段、高效率和高线性的单片微波集成电路(MMIC)功率放大器.通过优化电路匹配结构,选择合适的有源器件和恰当的直流偏置条件...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年2期页码:摘要： 基于0.25 μm GaAs增强/耗尽型(E/D模)赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并实现了一款集成了并行驱动器的多功能单片微波集成电路(MMIC)芯片.该芯片的移相器采用磁耦...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年2期页码:摘要： 采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀系统,研究了氧等离子体表面处理对AlGaN/GaN HEMT欧姆接触电阻的影响.利用能量色散X射线光谱仪、光致发光谱和原子力显微镜以及电学测试设备对处理前后...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年2期页码:摘要： 着重对紫外(UV)LED芯片的反向漏电进行研究,使用高Al组分的AlGaN材料作为LED外延结构中的电子阻挡层(EBL),旨在解决UV LED芯片在老化后的漏电问题.结果表明,高Al组分的A...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年2期页码:摘要： IGBT模块一般采用多芯片并联的方式进行封装,但由于模块参数、驱动控制等差异,模块内部存在电流分布不均衡的问题.相比于稳态电流分布,瞬态电流分布的影响因素众多,是研究的热点.针对IGBT的芯...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年2期页码:摘要： 氢化物气相外延(HVPE)法具有生长成本低、生长条件温和、生长速率快等优点,被认为是生长高质量GaN单晶衬底的最有潜力的方法.为了优化HVPE生长GaN的条件,通过改变NH3流量调控Ⅴ/Ⅲ比...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年2期页码:摘要： 以AlN材料为陶瓷基材,采用陶瓷绝缘子的射频传输端口结构及陶瓷焊球阵列封装形式,结合多层陶瓷加工工艺,设计并制备了一款可封装多个芯片的X波段AlN陶瓷外壳.采用应力仿真软件对外壳进行结构设计...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年2期页码:摘要： 为研究自加热效应对绝缘体上硅(SOI)MOSFET漏电流的影响,开发了一种可同时探测20 ns时瞬态漏源电流-漏源电压(Ids-Vds)特性和80 μs时直流静态Ids-Vds特性的超快脉冲...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 目前场效应晶体管生物传感器(BioFET)已成功用于生物医学检测.虽然BioFET在生物检测方面具有快速响应、无标记和高灵敏度检测等优点,但是BioFET用于生理环境检测时,容易受到德拜屏蔽...
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26. 晶圆级多层堆叠技术刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 随着5G和人工智能等新型基础设施建设的不断推进,单纯通过缩小工艺尺寸、增加单芯片面积等方式带来的系统功能和性能提升已难以适应未来发展的需求.晶圆级多层堆叠技术作为能够突破单层芯片限制的先进集...
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27. 一种新型抗多节点翻转加固锁存器刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 在纳米锁存器中,由电荷共享效应导致的多节点翻转(MNU)正急剧增加,成为主要的可靠性问题之一.尽管现有的辐射加固锁存器能够对MNU进行较好的容错,但是这些加固锁存器只依赖于传统的冗余技术进行...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 研制了一款60～90 GHz 功率放大器单片微波集成电路(MMIC),该MMIC 采用平衡式放大结构,在较宽的频带内获得了平坦的增益、较高的输出功率及良好的输入输出驻波比(VSWR).采用G...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 通常PMOSFET 栅源电压为-20～20 V,而用于GaN 功率放大器的高压PMOSFET 驱动器,其工作电压为28～50 V,因此需要一种新型电路结构来保证PMOSFET 栅源电压工作在...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 通过旋涂法制备垂直型的g-C3N4/p++-Si异质结器件,研究该异质结器件的光电特性,探索其在可见和紫外光区的光电响应规律.该器件在零偏压和反偏压下均有明显的光电响应.在-1 V偏压下器件...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
半导体技术评价信息
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
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