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半导体学报(英文版)期刊
出版文献量（篇）
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半导体学报(英文版)

Journal of Semiconductors
曾用名： 半导体学报

CACSCDJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2430
本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）  全国优秀期刊三等奖（92）  全国优秀期刊三等奖（97） 
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
北京912信箱
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  • 1. 高倍增GaAs光电导开关的光激发电荷畴模型
    作者： 施卫
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年12期
    页码:  1481-1485
    摘要： 结合实验中观察到的光激发电荷畴现象,提出光激发电荷畴理论模型描述高倍增GaAs光电导开关的瞬态特性,讨论了高倍增GaAs光电导开关的非线性特性如上升时间、时间延迟和光能、电场阈值,光激发电荷...
  • 2. 新颖的衬底pn结隔离型硅射频集成电感
    作者： 严金龙 刘畅 陈学良
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年12期
    页码:  1486-1489
    摘要： 提出了一种新的减小硅集成电感衬底损耗的方法.这种方法是直接在硅衬底形成间隔的pn结隔离以阻止螺旋电感诱导的涡流.衬底pn结间隔能用标准硅工艺实现而不需另外的工艺.本文设计和制作了硅集成电路,...
  • 3. 一种快速的组合电路RTL功耗估算器
    作者： 唐璞山 崔铭栋 赵文庆
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年12期
    页码:  1490-1496
    摘要： 提出了一种快速分析组合RTL模块功耗的方法,经过建立模块功耗库,可快速计算出任意输入向量驱动的电路功耗.该方法使用泰勒一阶近似的公式模型,并在建库过程中采用Monte-Carlo模拟方法.I...
  • 4. 一种实用的磷化铟MMIC背面工艺技术
    作者： A.Falcou A.Scavennec C.Courbet G.Post S.Sanchez Y.Nissim 李拂晓 杨乃彬
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年12期
    页码:  1497-1500
    摘要： 采用湿法技术发展了磷化铟MMIC的背面通孔刻蚀工艺,PMMA用作粘片剂,InP衬底粘附于玻璃版上,溅射钽膜用作湿法刻蚀掩膜,HCl+H3PO4腐蚀液实现100μm的通孔腐蚀.已证实这种湿法通...
  • 5. 用于制备SOI材料的基于硅片键合和双层多孔硅剥离的薄外延硅膜转移技术
    作者： 李爱珍 竺士炀 黄宜平
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年12期
    页码:  1501-1506
    摘要： 采用在阳极化反应时改变电流强度的办法,在高掺杂的P型硅(111)衬底上制备了具有不同多孔度的双层结构多孔硅层.用超高真空电子束蒸发技术在多孔硅表面外延生长了一层高质量的单晶硅膜.在室温下,该...
  • 6. C掺杂对离子注入合成β-FeSi2薄膜的影响
    作者： 张泽 徐雷 李晓娜 聂冬 董闯
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年12期
    页码:  1507-1515
    摘要： 采用离子注入方法制备β-FeSi2薄膜,选择C作为掺杂元素,得到了β-FeSi2硅化物层与基体间的界面平直、厚度均一的高质量薄膜.经透射电镜分析可知,引入C离子后硅化物层的微结构向有利于薄膜...
  • 7. 硅片发生室温键合所需的平整度条件
    作者： 余金中 韩伟华
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年12期
    页码:  1516-1518
    摘要： 根据薄板弹性力学,推导了室温键合过程中硅片接触表面缝隙封闭的临界条件.硅片的表面起伏幅度、起伏的空间波长、表面张力、材料弹性和硅片厚度都是影响接触表面缝隙封闭的重要因素,越薄的硅片越容易室温...
  • 8. Monte Carlo方法模拟低能电子束曝光电子散射轨迹
    作者： 任黎明 陈宝钦
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年12期
    页码:  1519-1524
    摘要： 建立了一个适用于描述低能电子散射的物理模型,利用Monte Carlo方法对低能电子在多元多层介质中的散射过程进行模拟.低能电子弹性散射采用较严格的Mott截面描述,为了节约机时,利用查表与...
  • 9. Ge覆盖多孔硅结构的桔绿光发射
    作者： 吴兴龙 唐宁 顾沂 鲍希茂
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年12期
    页码:  1525-1528
    摘要： 使用514.5nm Ar+激光检测了Ge覆盖多孔硅结构的光致发光谱(PL),观察到峰位2.25eV,半峰宽约0.1eV的一个新的桔绿发光峰.随着覆盖Ge薄膜的加厚,这个桔绿发光峰的峰位保持不...
  • 10. LPCVD制备纳米硅镶嵌结构氮化硅膜及其内应力
    作者： 叶甜春 李兵 胥兴才 谢常青 赵玲莉 陈大鹏 韩敬东
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年12期
    页码:  1529-1533
    摘要： 报道了在采用LPCVD法制备的富硅SiNx膜中发现的部分晶化的硅镶嵌微结构.视生长条件和工艺不同,该结构的尺度范围从数十到几百纳米不等.利用不同条件下生长的SiNx膜的应力测试结果和透射电镜...
  • 11. 高能铒离子注入硅单晶的辐射损伤及其退火行为
    作者： 李玉国 薛成山
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年12期
    页码:  1534-1537
    摘要： 利用卢瑟福背散射及沟道技术研究了2MeV Er+以不同剂量注入硅(100)所引起的辐射损伤及其退火行为.采用多重散射模型计算了2MeV 1×1014/cm2注入硅(100)引起的损伤分布,并...
  • 12. CMOS集成电路用φ150-200mm外延硅材料
    作者： 何自强 何龙珠 林兰英 王启元 王建华 蔡田海 邓惠芳 郁元桓 高秀峰 龚义元
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年12期
    页码:  1538-1542
    摘要： 报道了Ф150mm CMOS硅外延材料的研究开发及集成电路应用成果,对Ф200mm P/P硅外延材料进行了初步探索研究.Ф150mm P/P+硅外延片实现了批量生产,并成功应用于集成电路生产...
  • 13. 一种新颖微机械数模转换器的模拟与设计优化
    作者： 刘清惓 黄庆安
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年12期
    页码:  1543-1545
    摘要： 提出了一种基于权间隙原理的微机械数模转换器(WGDAC),它与电路中的权电阻数模转换器的原理类似,利用间隙的长度作为比例因子,从而实现由二进制电压输入到模拟位移输出的转换.给出了有限元方法分...
  • 14. 硅基SiO2光波导
    作者： 徐永青 杨拥军 梁春广 赵彤
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年12期
    页码:  1546-1550
    摘要： 在硅基上通过氢氧焰淀积的SiO2,厚度达到了20μm;通过掺Ge增加芯层的折射率,折射率比小于1%,并可调;用反应离子刻蚀工艺对波导的芯层进行刻蚀,刻蚀深度为6μm,刻蚀深宽比大于10;波导...
  • 15. MEMS光开关
    作者： 徐永青 杨拥军 梁春广
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年12期
    页码:  1551-1556
    摘要： 采用MEMS体硅工艺,制作了三种结构的微机械光开关:水平驱动2D(二维)光开关、垂直驱动2D光开关和扭摆驱动2D、3D(三维)光开关.水平驱动光开关采用单层体硅结构,另外两种光开关都采用了硅...
  • 16. LP-MOVPE生长宽波导有源区无铝单量子阱激光器
    作者： 张兴德 李忠辉 杨进华 王向武
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年12期
    页码:  1557-1560
    摘要： 介绍了无铝激光器的优点,利用LP-MOVPE生长出宽波导有源区无铝SCH-SQW结构激光器.该结构采用宽带隙InGaAlP作限制层,加宽的InGaP作波导层,增加对载流子和光子的限制作用,以...
  • 17. 新型程控模拟量发生器
    作者： 李刚 林雨 王东辉
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年12期
    页码:  1561-1564
    摘要： 对SIMI2000数模IC测试系统的模拟量发生器进行了改进,采用多级分布式流水线步进传输结构,解决了从控制器到终端之间的数据传输问题以及灵活扩展的问题.
  • 18. 低功耗IGBT(LPL-IGBT)及其仿真
    作者： 亢宝位 吴郁 王哲 程序 陆秀洪 高琰
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年12期
    页码:  1565-1571
    摘要： 提出了一种新结构的IGBT,取名为低功耗IGBT(LPL-IGBT),它具有离子注入形成的超薄且轻掺杂的背P型发射区,从而具有NPT-IGBT的优点;同时具有由衬底预扩散残留层构成的n型缓冲...
  • 19. 大功率半导体激光器光纤耦合模块的耦合光学系统
    作者： 胡传贤 金才政 陈少武 韩勤
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年12期
    页码:  1572-1576
    摘要： 针对808nm大功率GaAs/GaAlAs半导体量子阱激光器的远场光场分布特点,提出了与多模光纤耦合时对耦合光学系统的特殊要求,并根据低成本、实用化的要求设计制作了专用的耦合光学系统,对耦合...
  • 20. FN应力下超薄栅N-MOSFET失效的统计特征及寿命预测
    作者： 段小蓉 穆甫臣 许铭真 谭长华
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年12期
    页码:  1577-1580
    摘要： 通过对不同氧化层厚度的N-MOSFET在各种条件下加速寿命实验的研究,发现栅电压漂移符合Weibull分布.Weibull分布统计分析表明,5.0、7.0和9.0nm器件在27和105C下本...
  • 21. 双栅和环栅MOSFET中短沟效应引起的阈值电压下降
    作者： 张兴 王旭社 甘学温
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年12期
    页码:  1581-1585
    摘要： 基于电荷分享原理,推导了双栅和环栅MOSFET短沟效应引起的阈值电压下降,分析了衬底掺杂浓度、栅氧化层厚度及硅膜厚度等因素对阈值电压下降的影响,并用数值模拟验证了理论结果.这些研究结果对进一...
  • 22. PMOSFET's热载流子退化模拟及寿命评估的统一模型
    作者： 张进城 朱志炜 郝跃
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年12期
    页码:  1586-1591
    摘要： 对PMOSFET's几种典型器件参数随应力时间的退化规律进行了深入研究,给出了一个新的器件退化监控量,并建立了不同器件参数退化的统一模型.模拟结果和测量结果的比较表明,新的退化模型具有较高的...
  • 23. 薄栅介质TDDB效应
    作者： 刘红侠 郝跃
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年12期
    页码:  1592-1595
    摘要： 在恒压和恒流应力条件下测试了超薄栅氧化层的击穿特性,研究了TDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown)的可靠性表征方法.对相关击穿电荷量QBD进行了实验...
  • 24. 氮化H2-O2合成薄栅氧抗辐照特性
    作者： 刘忠立 刘新宇 刘运龙 吴德馨 和致经 孙海锋 海潮和
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年12期
    页码:  1596-1599
    摘要： 对氮化H2-O2合成薄栅氧抗辐照性能进行了研究,将H2-O2合成和氮氧化栅两种技术结合起来,充分利用两者的优点制成三层结构的Sandwich栅,对比常规氧化、H2-O2合成氧化和氮化H2-O...

半导体学报(英文版)基本信息

刊名 半导体学报(英文版) 主编 王守武
曾用名 半导体学报
主办单位 中国电子学会和中国科学院半导体研究所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
eng
ISSN 1674-4926 CN 11-5781/TN
邮编 100083 电子邮箱 jos@semi.ac.cn
电话 010-82304277 网址 www.jos.ac.cn
地址 北京912信箱

半导体学报(英文版)评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中科院优秀期刊二等奖（90）
2. 全国优秀期刊三等奖（92）
3. 全国优秀期刊三等奖（97）

半导体学报(英文版)统计分析

被引趋势
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学科分布
研究主题
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