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半导体学报(英文版)2004年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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31. 优化时延与拥挤度的增量式布局算法刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年2期页码:摘要： 提出了一种优化时延的增量式布局算法,该算法根据时延分析的结果在迭代求解的过程中动态调整线网权值.在此基础上,提出了三种同时优化时延和拥挤度的多目标优化的布局算法,在满足时延和拥挤度约束的前提...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年2期页码:摘要： 采用直流放电辅助脉冲激光沉积技术,在Si(111)衬底上生长了GaN薄膜.XRD、AFM、PL和Hall测量的结果表明在2～20Pa沉积气压范围内,提高沉积气压有利提高GaN薄膜的结晶质量;...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年2期页码:摘要： 报道了一种长波长的InP基谐振腔(RCE)光电探测器.采用选择性湿法刻蚀,制备出基于InP/空气隙的分布布拉格反射镜,并将该结构的反射镜引入RCE光电探测器.制备的器件在波长1.510μm处...
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34. 一种新型CMOS兼容湿度传感器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年2期页码:摘要： 给出了与CMOS工艺兼容的一种新型梳齿状湿度传感器的结构、工艺流程及其测试结果.利用Coventor软件对这种新型结构进行了理论分析,对制备出的湿度传感器的性能如灵敏度、滞回特性、重复性、响...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年2期页码:摘要： 采用巴丁(Bardeen)传输哈密顿方法,数值计算了p沟道锗/硅异质纳米结构存储器的时间特性.由于台阶状隧穿势垒和较高价带带边的作用,这种新型的存储器单元可以同时实现器件的快速编程和长久存储...
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36. 梳状谐振器的大信号等效电路宏模型刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年2期页码:摘要： 研究了梳状谐振器在大信号作用下的机电特性方程.采用SPICE中的多项式受控源,给出了其F-I类比的大信号等效电路,同时根据所得到的等效电路宏模型运用SPICE软件进行了系统级的模拟,并采用两...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年2期页码:摘要： 采用SOA (semiconductor optical amplifier)光纤环镜将2.5Gbit/s的NRZ (non-return-to-zero)信号转换为相应的PRZ (pseu...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年2期页码:摘要： 介绍了一种低串扰、频谱响应平坦化的刻蚀衍射光栅(EDG)解复用器的机理与设计方法,设计带有预整形输入的优化的多模干涉(MMI)结构.该设计采用了广角束传播方法(BPM)、基耳霍夫衍射理论以及...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年2期页码:摘要： 提出了一种基于器件物理的4H-SiC n-MOSFET反型沟道电子迁移率模型.该模型包括了界面态、晶格、杂质以及表面粗糙等散射机制的影响,其中界面态散射机制考虑了载流子的屏蔽效应.利用此模型...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年2期页码:摘要： CMOS折叠预放电路的失调是限制CMOS折叠结构A/D转换器实现高分辨率应用的主要原因之一.文中提出差分对的动态匹配技术改善了折叠预放电路的失调,从而为研制CMOS工艺中的高分辨率折叠结构A...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年2期页码:摘要： 针对当前集成电路中日益复杂的互连结构,提出了一种边界元电容提取中的形体处理方法,可适用于填充气隙、保形介质、多平面介质,以及任意复杂的寄生电容结构.在该处理方法中采用多叉树组织三维形体对象,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年2期页码:摘要： 研制出检测ULSI芯片的薄层电阻测试仪,可用于测试无图形样片电阻率的均匀性,用斜置的方形四探针法,经显微镜、摄像头及通信口接入计算机,从计算机显示器观察,用程序及伺服电机控制平台和探针移动,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年2期页码:摘要： 为了改善深亚微米CMOS器件p+-poly栅中硼扩散问题,通过选择合适的注氮能量和剂量,采用多晶硅栅注氮工艺,既降低了硼在多晶硅栅电极中的扩散系数,又在栅介质内引入浓度适宜的氮,有效地抑制了...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年2期页码:摘要： 利用有限元分析方法对SCSP器件内部粘结剂的溢出问题进行了研究.对粘结剂不同溢出高度的模型进行有限元建模分析,模拟结果能很好地和实验结果相吻合.为了有效减少由热应力引发产生的分层,模拟得到了...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年2期页码:摘要： 半导体科学经过几十年的迅猛发展,在基础研究和应用研究方面都取得了丰硕的成果.近年来在相关的基金申请项目中,涉及与其他学科相互交叉渗透的项目逐年增多,有关新材料、新器件的探索层出不穷.但各学科...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 利用无机络合溶胶-凝胶法制备多孔ZnO薄膜,同时利用多种测试手段对薄膜的晶体结构、表面形貌、多孔和光学性能进行了研究.XRD和SEM的测试结果表明,ZnO薄膜的晶体结构为六方纤锌矿,薄膜表面...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 研制了Al0.24Ga0.76As/In0.22Ga0.78As单平面掺杂PHEMT器件(SH-PHEMT)和双平面掺杂PHEMT器件(DH-PHEMT),并对其特性进行了比较.由于采用了双...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 介绍了一种可以用于片上温度监控的CMOS温度传感器,该传感器具有面积小、功耗低、精度高、易于实现等优点,可以比较容易地集成到芯片上实现温度监测功能.
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 研究了不同厚度的超薄栅1.9nm到3.0nm器件在恒压应力下的栅电流变化.实验结果显示应力诱导漏电流包括两个部分,一部分是由界面陷阱辅助隧穿引起的,另一部分是氧化物陷阱辅助隧穿引起的.
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 采用低压金属有机化合物气相外延(LP-MOCVD),制备了顶端发射氧化物限制、内腔接触结构980nm的垂直腔面发射激光器.应用了选择氧化和自对准工艺来实现电流限制.在28mA脉冲电流驱动下,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 研究了具有混合型I-V特性的静电感应晶体管,提出了实现混合I-V特性所必需的器件结构参数、材料参数和工艺参数之间的最佳匹配关系.工艺实践表明沟道尺寸在确定器件特性是混合型、类三极管型还是类五...
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52. 一种应用于二次布局的有效划分方法刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 提出了一种基于二次布局的结合MFFC结群和hMETIS划分的算法.实验表明:这种方法能得到很好的布局结果,但是运行消耗的时间比较长.为了缩短划分在二次布局中运行的时间,提出了一种改进的结群算...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 利用X射线衍射(XRD)测量用MOCVD生长的InGaN样品,观察到InN相.通过X射线衍射理论,计算得到InN相在InGaN中的含量.通过退火和变化生长条件发现InN相在InGaN薄膜中的...
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54. 氮对重掺锑直拉硅中氧沉淀的影响刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 通过在不同条件下退火,研究氮杂质对重掺锑硅(HSb-Si)中氧沉淀的影响.实验结果表明,在高温单步退火(1000～1150℃)和低高两步退火(650℃+1050℃)后,掺氮HSb-Si中与氧...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 研究了多孔硅衬底微波CVD金刚石薄膜的制备工艺及其场电子发射特性.以多孔硅作为生长金刚石突起阵列的模板,生长出带多微尖的微晶金刚石晶粒,使场电子发射阈值下降(＜1V/μm),发射电流增大(＞...
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56. 多晶硅薄膜压阻系数的理论研究刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 利用应力退耦模型,分别对多晶硅薄膜晶粒中性区和晶界势垒区的压阻系数进行了理论分析,并推导出多晶硅压阻系数的表达式.实验结果表明,利用文中推导出的理论公式所获得的计算值与实验测量结果基本符合,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 提出了一种快恢复二极管新结构:少数载流子寿命横向非均匀分布(minority-carrier life time lateral non-uniform distribution,MLD)结...
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58. CMOS器件的等时、等温退火效应刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 研究了辐射后CMOS器件的等温、等时退火特性,给出了nMOSFET和pMOSFET器件不同条件下的对比结果.研究表明:100℃等温退火是最有效的,等时退火所需的全过程时间最短,通过25℃与1...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 以表面沟道前射电荷耦合器件(CCD)为例,从理论上讨论了CCD内载流子扩散的机制,提出了利用光积分周期内收集的总信号电荷密度求CCD调制传递函数的方法,并获得了耗尽宽度随信号电荷密度改变时的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 采用全耗尽的InGaP材料在基区GaAs表面形成钝化边(passivation ledge)的方法,研制出了带钝化边的自对准InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT).通过对不同尺寸、有...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
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