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半导体学报(英文版)2005年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 嵌入式Flash Memory要求低的工作电压.采用反应离子刻蚀技术,用CF4气体在低功率下对硅片做预处理,再热生长薄氧化层,从而在氧化层中引入F,降低氧化层势垒:势垒高度从3.05eV降低...
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272. 硅基微型直接甲醇燃料电池的研究刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 设计了一种基于MEMS技术的硅基微型直接甲醇燃料电池(DMFC),采用流体力学软件进行了DMFC三维阳极模型的模拟,利用MEMS加工技术和PDMS封装工艺实现了这种燃料电池,并在室温下对有效...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 介绍了一种K波段双桥结构的电容式RF MEMS开关.该开关的结构特点是,以共面波导上的悬空金属膜为双桥结构,并且膜桥的支撑呈折叠弹簧结构.使用Agilent ADS软件对该开关进行了设计和优...
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274. MOEMS光开关动力学过程分析刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 采用静电力驱动方式的MOEMS光开关,从运动机制上来说,是由静电力矩、恢复力矩、空气压膜阻尼力矩以及重力力矩等条件共同作用的结果.对于微驱动器驱动条件的研究,不能单纯地从力矩平衡的角度来分析...
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275. SiO2/Si波导应力双折射数值分析刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 采用有限元法对SiO2/Si掩埋光波导制备工艺中的应力变化进行了系统的分析,在此基础上,应用有限差分束传播法(FDBPM)对应力光波导的双折射进行了计算.结果表明上包层的玻璃化过程是SiO2...
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276. 氧化限制型垂直腔面发射激光器串联电阻分析刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 含氧化限制孔的VCSEL具有低的阈值电流,但氧化孔的存在也会加大串联电阻.本文采用理论模型,详细计算了氧化限制型VCSEL的串联电阻.把串联电阻分解为垂直方向电阻和横向电阻,分析了串联电阻与...
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277. 运算放大器不同剂量率的辐射损伤效应刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 对几种不同类型(TTL,CMOS,JFET-Bi,MOS-Bi)的典型星用运算放大器在不同剂量率(100,10,1及0.01rad(Si)/s)辐照下的响应规律及随时间变化的退火特性进行了研...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 利用动态掩膜湿法腐蚀技术,研究了HCl/HF/CrO3溶液对与InP衬底晶格匹配的InxGa1-xAs1-yPy(y=0,0.2,0.4,0.6)材料的腐蚀特性.对于HCl(36wt%)/H...
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279. CdZnTe材料的表面钝化新工艺刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 研究了一种新的钝化CdZnTe(CZT)器件表面的工艺,即先采用KOH-KCl溶液对CZT表面进行处理,再用NH4F/H2O2溶液对其进行表面氧化的二步法钝化工艺.并借助俄歇电子能谱(AES...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年7期页码:摘要： 作为分辨率增强技术(RET)之一,离轴照明技术(OAI)通过调整照明方式,不但能提高分辨率还能很好地改善焦深.成像干涉光刻技术(ⅡL)利用多次曝光分别记录物体空间频率的不同部分,极大地提高了...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 采用固态磷源分子束外延技术在InP(100)衬底上生长了高质量的InP外延材料.实验结果表明InP/InP外延材料的电学性质与诸多生长参数密切相关.根据霍耳测量结果,对生长条件和实验参数进行...
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282. 高压nMOS器件的设计与研制刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 根据TCAD软件模拟的最优工艺条件成功研制了高压nMOS器件.测试结果表明器件的击穿电压为114V,阈值电压和最大驱动能力分别为1.02V和7.5mA(W/L=50).详细比较了器件的模拟结...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 利用化学湿法选择技术和监控电极技术设计并研制了一种新型台面结构超薄基区AlGaAs/GaAs负阻异质结双极晶体管,该器件具有独特且显著的电压控制型负阻特性,其峰谷比可高于120.通过器件模拟...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 报道了关于并行光发射模块的设计与制作.优化设计、制作并测试了12信道并行光发射模块,单信道传输速率可达3Gbit/s.采用波长为850nm的垂直腔面发射激光器作光源,激光器与驱动电路芯片直接...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 采用选择区域生长、量子阱混杂和非对称双波导技术制作了电吸收调制器与半导体光放大器和双波导模斑转换器的单片集成器件.器件在波长1.55～1.60μm范围内,3dB带宽大于10GHz,直流消光比...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 利用蒙特卡罗分析法对GaAs flash ADC的成品率及其关键参数的灵敏度进行了定性及定量的分析.当器件阈值电压的标准偏差增大时,flash ADC的DNL,INL性能会以近似线性的关系降...
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287. 矩形缺陷轮廓的成品率模型刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 现有成品率及关键面积估计模型中,假定缺陷轮廓为圆,而实际缺陷轮廓为非规则形状.本文提出了矩形缺陷轮廓的成品率模型,该模型与圆模型相比,考虑了缺陷的二维分布特性,接近真实缺陷形状及IC版图布线...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 对垂直腔面发射激光器(VCSEL)的AlxGa1-xAs/GaAs分布布拉格反射镜(DBR)进行了高温湿法氧化.由于AlxGa1-xAs层的氧化产生了应力而导致Al2O3/GaAs界面处出现...
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289. CMOS集成频率综合器的稳定性补偿刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 通过分析频率综合器的完整三阶闭环s域模型,同时采用根轨迹分析技术,定量分析了工艺、电压和温度引起的环路参数变化对频率综合器稳定性的影响,并提出变化裕量的概念来进行稳定性分析和参数设计.为了获...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 用0.25μm CMOS工艺实现一个复杂的高集成度的2.5Gb/s单片时钟数据恢复与1:4分接集成电路.对应于2.5Gb/s的PRBS数据(231-1),恢复并分频后的625MHz时钟的相位...
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291. 一种新型低功耗多功能漏电保护器芯片的设计刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 提出了一种新型漏电保护芯片,使用0.6μm CMOS工艺、数模混合信号设计.与传统的漏电保护芯片相比,该设计功耗低(10mW),数字延时响应确保控制保护的精确性,且实现了多功能集成(如漏电/...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 研究了单束双能高剂量Ge离子注入、不经过退火在非晶态SiO2薄膜中直接形成镶嵌结构Ge纳米晶的物理机制.实验中利用不加磁分析器的离子注入机,采用Ge弧光放电离化自动形成的Ge+和Ge2+双电...
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293. 铸造多晶硅中铁的磷吸杂和氢钝化机理刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 应用微波光电导衰减仪的方法研究了在不同温度情况下引入铁沾污后再分别进行磷吸杂和等离子体增强化学气相沉积钝化处理对铸造多晶硅片电学性能的影响.实验发现:在中、低温(低于900℃以下)情况下被铁...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 在3.75eV的激光激发下,利用LPCVD在800～950℃不同温度下沉积富硅的SiNx薄膜中,在室温下观测到1～5个高强度可见荧光的发射.通过TEM,IR,XPS等的分析研究表明,文中所获...
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295. 量子阱GaAs太阳电池的质子辐射效应刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 用I-V特性、光谱响应和深能级谱分析辐射效应,分析了1×109～2×1013cm-2,2MeV质子辐照量子阱GaAs太阳电池.结果表明,随辐照注量增大,电池Jsc,Voc,Pmax衰降程度增...
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296. 硅纳米管的水热法合成与表征刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 采用水热法成功合成了新型的硅纳米管一维纳米材料,并采用透射电子显微镜、选区电子衍射分析、能量色散光谱及高分辨透射电子显微镜对合成的硅纳米管进行了表征.研究表明硅纳米管是一种多壁纳米管,为立方...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 利用低压MOCVD技术在(0002)蓝宝石上外延获得高质量的ZnO:Ga单晶薄膜,并研究了Ga的不同掺杂浓度对材料电学和光学特性的影响.当Ga/Zn气相摩尔比为3.2 at%时,ZnO(00...
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298. YAG激光晶化多晶硅刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 报道了采用YAG脉冲激光器对硅基薄膜进行晶化制备多晶硅的实验结果,其中主要针对以PECVD法制备的不同硅基薄膜(如非晶硅和微晶硅)为晶化前驱物,以及对激光能量的利用等问题进行了分析研究.实验...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 利用LP-MOCVD技术在Si(111)衬底上,用不同温度生长AlN缓冲层,再在缓冲层上外延GaN薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)技术和扫描电子显微镜(SEM)分析这些样品,比...
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300. 微晶硅太阳电池刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 采用VHF-PECVD技术制备了系列微晶硅太阳电池.综合测试结果表明:硅烷浓度、热阱温度和前电极都对微晶硅太阳电池的性能有影响.在湿法腐蚀的ZnO衬底上制备的电池的效率比在ZnO/SnO2复...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
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| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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