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半导体学报(英文版)2005年出版文献
出版文献量（篇）
6983
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： AlAs/AlGaAs湿法氧化技术是制备氧化物限制型VCSELs工艺中极为重要的一步,形成的氧化孔会直接影响到器件的各个特性参数,故有必要对氧化动力学规律进行深入地研究.首先根据大量氧化实验...
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482. Si基微纳集成光波导的理论设计刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 提出了一种宽度从微米到亚微米、深亚微米、再到纳米级渐变的微纳集成结构光波导,并通过理论分析和模拟计算得到了基于Si基半导体材料的微纳集成光波导参数.其制作工艺非常简单,插入损耗在1～2.5d...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 用过腐蚀自对准离子注入工艺制备SiGe/Si异质结双极型晶体管,过腐蚀湿法腐蚀的横向钻蚀,为自对准离子注入提供了技术保障.对外基区的离子注入既减小了外基区的串联电阻,又有利于欧姆接触的制备,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 介绍了非掺杂GaN HEMT微波功率器件的结构、制造工艺和测试结果.制作了几种0.6μm栅长、100～1000μm不同栅宽的器件,对于栅宽分别为100,300和500μm的器件,典型最大跨导...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 介绍了万兆以太网技术(10 gigabit ethernet technology).万兆以太网使用以太网结构实现10Gbit/s点对点传输,距离可达到40km,使以太网的应用从局域网扩展到...
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486. 热光调谐滤波器的高温性能分析刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 研究了热处理对Si基热光Fabry-Perot(F-P)腔可调谐滤波器的影响,用原子力显微镜分析了高温热退火前后的器件表面变化.发现随着退火温度的升高,器件的透射峰发生蓝移,同时透射峰强度及...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 化学气相沉积(CVD)是微电子器件用SiC外延材料的主要生长技术.为了获得高质量的4H-SiC外延材料,在偏向<1120>方向8°的4H-SiC(0001)Si-面衬底上,利用台阶控制生长技...
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488. n型4H-SiC欧姆接触特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 对不同工艺条件下的NiCr/4H-SiC欧姆接触特性进行了对比研究,得到了良好欧姆接触的最佳工艺条件,为SiC MESFET器件的实现奠定了基础.文中介绍了欧姆接触的工艺流程,并通过TLM方...
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489. AlGaN/GaN MSM紫外探测器特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 在蓝宝石衬底上,用MOCVD(金属有机物气相沉积)法外延生长AlGaN/GaN异质结样品.溅射Ti/Al/Ni/Au和Ni/Au金属膜,在氮气气氛中高温快速退火,分别与样品形成欧姆接触和肖特...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 研究了阱中生长自组装InAs量子点的光谱特性,获得了室温1.265μm近红外荧光发光,探讨了与量子点尺寸分布相关的发光峰随温度的超常红移现象.制备了内嵌InAs量子点的异质结调制掺杂场效应晶...
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491. 硅基二氧化硅阵列波导光栅相位误差数值分析刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 采用传输函数法对硅基二氧化硅阵列波导光栅(AWG)的相位系统误差和随机误差进行了详细的分析.系统误差的模拟结果表明阵列波导的有效折射率和相邻阵列波导长度差ΔL的偏移将会对使中心波长λ0偏离设...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 利用13.56MHz射频等离子体增强化学气相沉积技术高速沉积非晶/微晶过渡区的微晶硅(μc-Si:H)薄膜.研究了沉积压力、射频功率、电极间距、氢稀释度等参数对沉积速率、电学性质等的影响.选...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 利用反应磁控溅射法对CeO2薄膜的生长规律进行了研究.通过实验发现,溅射时氧气和氩气的比例对薄膜的成分和晶体质量有很大影响.在室温下测试了CeO2薄膜的PL谱,结果表明CeO2薄膜的发光主要...
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494. 大功率670nm半导体激光器的研制刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 采用低压金属有机化学气相沉积生长了670nm激光器外延片,有源区采用单量子阱结构,阱区、垒区分别为InGaAsP和AlGaInP.利用该外延片制作了带无电流注入区的氧化物条形激光器.激光器腔...
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495. 硅集成电感元件的分析、设计与优化刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 利用采用FDTD(finite-difference time-domain method)方法的计算软件ISE-EMLAB对片上集成电感进行了模拟,并分析了电感的金属宽度、金属间隔、线圈外...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 介绍了并行光发射模块制作过程中,垂直腔面发射激光器列阵与列阵光纤的对准及固定方法.对斜面光纤折弯耦合和垂直耦合两种方法进行了实验研究,得到的平均耦合效率均达70%以上.比较了两种耦合方式的利...
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497. MOCVD法侧向外延生长高质量GaN刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 利用金属有机物气相外延法(MOCVD),在GaN/蓝宝石复合衬底上,采用侧向外延生长技术制备出高质量的GaN外延膜,并对其进行扫描电镜、X射线双晶衍射、透射电镜测量和分析.发现完全合并后的G...
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498. SiC基的高性能紫外光电探测器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 用宽禁带半导体n-4H-SiC和金属Au作肖特基接触,Ti,Ni,Ag合金作背底形成欧姆接触,研制出Au/n4H-SiC肖特基紫外探测器.测试分析了器件在高温高压下的光谱响应特性,响应范围在...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 利用射频等离子体辅助分子束外延技术,在LSAT(111)衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜.研究了衬底表面预处理及生长温度对ZnO外延膜的生长过程、外延取向关系以及表面形貌的影响.发现在较低温度...
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500. 30GHz PHEMT振荡器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 介绍了一种30GHz单片压控振荡器的设计、制作和性能.该芯片采用PHEMT工艺制作,电路基于负阻匹配共源网络结构设计.根据PHEMT器件的小信号S参数和直流I-V参数,提取出该器件的Modi...
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501. 大功率倒装结构GaN LED p电极研究刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 从接触电阻、反射率、电流扩展等方面对Ni/Au/Ag,ITO/Ag,Ag等多种倒装结构p电极金属体系进行分析比较,给出了实现倒装结构大功率GaN LED p电极的多种设计方案.指出Ni/Au...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 采用磁控溅射方法分别在n型4H-SiC上沉积Cu,Ni金属薄膜形成Schottky接触,并进行不同温度下的退火,通过I-V和C-V测试,研究不同退火温度对Schottky势垒高度以及理想因子...
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503. 投稿须知刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要：
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 对n-p-n型AlGaN/GaN基HBTs的高频特性进行了模拟计算,分析了发射区、基区、集电区的一些材料参数对n-p-n型AlGaN/GaN基HBTs的高频特性的影响.发现基区的设计对频率性...
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505. GaN1-x Px三元合金的红外谱刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 对GaN1-xPx三元合金进行了红外谱的测试和拟合.分析结果表明在GaN1-xPx三元合金中存在两个彼此竞争的机制制约着载流子浓度的变化.一个是来自等电子陷阱的影响,它将减少三元合金中载流子...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 通过高分辨X射线衍射、光致发光、二次离子质谱(SIMS)、原子力显微镜和同步辐射X射线衍射分析了AlN缓冲层的厚度对GaN外延层的影响.实验表明,在缓冲层厚度为13～20nm之间时,GaN外...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 测量了两种纳米粒子Bi2S3和NiS的光限幅特性和非线性光学响应,测量了非线性吸收特性,数值模拟计算了Bi2S3的非线性吸收系数β≈9cm/GW,NiS非线性吸收系数β≈8cm/GW.
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508. 量子点分布误差对镜像电荷自动元胞机的影响刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 研究了量子点分布的误差对镜像电荷量子元胞自动机(QCA)的影响.镜像电荷QCA每个元胞中的四个量子点是被严格限制在正方形元胞的四个角上的,考虑到现有的量子点生长技术,量子点偏离理想位置的情况...
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509. 化合物半导体的THz发射光谱刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 利用反射式太赫兹(THz)辐射产生与探测系统,研究了基于不同半导体的THz发射光谱.通过快速傅里叶变换,由测得的THz时域光谱得到了其相应的频域光谱,从而对不同半导体的THz发射性质进行了比...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 采用磁控溅射方法制备了性能优良的以Pt为缓冲层的(CoCr/Pt)20纳米多层膜,研究了溅射气压对(CoCr/Pt)20纳米多层膜的微结构和磁性的影响.结果表明,Ar溅射气压对(CoCr/P...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
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| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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