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半导体学报(英文版)2005年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
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6983
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31. 蓝牙接收机中镜像信号的抑制刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 介绍了一种用于蓝牙低中频接收机的镜像抑制电路,包括改进的吉尔伯特型混频器(采用折叠级联输出)和跨导-电容复数滤波器,二者利用电流信号直接耦合.整个电路用TSMC 0.35μm单层多晶硅CMO...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 讨论分析了衬底驱动MOSFET的工作原理、频率特性和噪声特性,并对其低压特性进行了分析和仿真.基于PMOS衬底驱动技术,设计实现了超低压运算放大器.在0.8V电源电压下,运算放大器的直流开环...
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33. 一种新型二元判定图器件和电路刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 提出了一种基于二元判定图(BDD)原理的新型逻辑器件和电路.BDD器件以电流模式的开关电流存储器为基本单元,具有符合二元判定图的两向通路的特点.用这种器件按照BDD树形图可以构成任意形式的组...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 针对SRAM阵列中的串扰,给出了一种新型布局结构,即字线的"错序译码"组织结构和位线的"间隔译码"组织结构."错序译码"组织结构是根据程序"顺序局部性"的特点提出的,"间隔译码"组织结构是根...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 提出了一种零中频两次变频802.11a接收机频率合成方案,降低电路功耗的同时,提高了电路可靠性.改进了双模预分频器的结构,提出了一种新型集成"或"逻辑的SCL结构D锁存器.采用0.18μm数...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 设计了一种单片集成的CMOS串行数据收发器.该收发器用于线上速率为1.25Gb/s的千兆以太网中,全集成了发送和接收的功能,主要由时钟发生器、时钟数据恢复电路、并串/串并转换电路、线驱动器和...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 设计了一种全差分高速环形压控振荡器(VCO).该VCO有三级,每一级的增益是快慢通路增益的矢量叠加和,快慢通路的增益由底部电流源决定,差分控制电压通过镜像电流源控制快慢通路的各自电流,最终实...
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38. 基于硅微加工工艺的微热板传热分析刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 针对常压和真空两种环境,通过三维有限元模拟分析了背面体硅加工型、正面体硅加工型和表面加工型三种微热板(MHP)的传热主渠道和加热功率.制作了背面体硅加工型和表面加工型MHP,并对两者在常压及...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 为实现精确控制VCSELs器件中氧化孔的大小,对Al0.98Ga0.02As的湿法氧化规律进行了分析研究.首先运用一维Deal-Grove模型分析了Al0.98Ga0.02As条形台面湿法氧...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 基于直接边界元素法,提出一种边界电容矩阵概念,从而实现了三维互连电容的层次式提取算法.该算法将三维求解区域划分为若干小块,对每个小块分别计算其边界电容矩阵,再通过层次式合并算法便可得到全耦合...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 运用实验和有限元模拟相结合的方法,研究了非导电膜和金-金共金工艺中键合力对芯片Al压焊块内应力分布的影响,并分析了样品的失效部位和失效原因.挠性基板上印制线宽度不同时键合力对芯片损伤情况的研...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 2004年国家自然科学基金委员会半导体学科受理的面上项目申请数终于有了突破,文中介绍了2004年半导体学科基金申请与资助概况,分析半导体学科受理申请的近期动态,介绍学科拟采取的对策,并附20...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 报道了CdS薄膜的CBD法沉积及其结构特性,其中的水浴溶液包括硫脲、乙酸镉、乙酸铵和氨水溶液.研究了水浴溶液的pH值、温度、各反应物溶液的浓度和滴定硫脲与倾倒硫脲等基本工艺参数对CdS薄膜结...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 设计了一种将β-FeSi2颗粒埋入非故意掺杂Si中的Si p-π-n二极管来确定β-FeSi2-Si异质结的能隙差.当二极管处于正向偏置时,通过Si n-p-结注入的电子扩散到β-FeSi2...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 在SIMOX衬底上制备了H形栅和环形栅PD SOI nMOSFETs,并研究了浮体效应对辐照性能的影响.在106rad(Si)总剂量辐照下,所有器件的亚阈特性未见明显变化.环形栅器件的背栅阈...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 提出了一种在标准CMOS工艺上集成肖特基二极管的方法,并通过MPW在charted 0.35μm工艺中实现.为了减小串连电阻,肖特基的版图采用了交织方法.对所设计的肖特基二极管进行了实测得到...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 提出了一个均匀、阶梯和线性掺杂漂移区SOI高压器件的统一击穿模型.基于分区求解二维Poisson方程,得到了不同漂移区杂质分布的横向电场和击穿电压的统一解析表达式.借此模型并对阶梯数从0到无...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 利用金属有机气相淀积方法生长了一种新型吸收体:高反射率半导体可饱和吸收镜.用这种吸收体兼作端镜,实现了1.044μm半导体端面泵浦Yb∶YAB激光器被动锁模,脉冲宽度为3.05ps,重复率为...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 介绍了一种新型16通道、100GHz通道间隔的硅基二氧化硅单侧耦合阵列波导光栅(AWG).通过增加一个Y分支波导结构,并且将AWG的输入、输出波导等间距整齐排列,实现了仅用一个光纤阵列进行A...
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50. 镜像法分析静电感应晶体管特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 针对埋栅型静电感应晶体管(SIT)提出一种柱栅模型.用镜像法计算了器件内电势分布,并在此基础上计算了沟道势垒、栅效率、电压放大因子等.结果表明:沟道势垒直接取决于沟道过夹断因子;栅效率随栅尺...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 利用栅氧化前在硅衬底内注氮可抑制氧化速率的方法,制得3.4nm厚的SiO2栅介质,并将其应用于MOS电容样品的制备.研究了N+注入后在Si/SiO2中的分布及热退火对该分布的影响;考察了不同...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 报道了一种利用硅乳胶作为键合介质的新型键合技术.高反射率的SiO2/Si反射镜预先用PECVD系统生长在硅片上,然后键合到InGaAs有源区上,键合温度为350℃,无需特殊表面处理,反射镜的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 一个适用于光纤通信系统中的1×8多模干涉功率分束器被设计并通过ICP刻蚀方法成功研制.这种基于SOI材料的功率分束器是采用多模波导作为输入/输出波导;经过光束传播方法模拟,该器件显示出了优良...
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54. 一种新型体硅谐振加速度计刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 设计了一种谐振加速度计.这种加速度计包括两个双端固定音叉、一个质量块、四套放大惯性力的杠杆系统以及激励和敏感梳.利用梳状电极每个音叉被静电激励和敏感.利用MEMS体硅工艺研制了这种新型加速度...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 提出了多电压时间限制下电路功耗最小的高层综合设计算法,其输入为数据流图及时间限制条件.由于多电压设计会引起低层布局时的连线复杂性提高,所以提出的算法在进行高层调度过程同时考虑了低层分区问题,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 假设超晶格"折沟道"对粒子的作用等效为形状相似的周期调制,利用正弦平方势把粒子运动方程化为具有阻尼力和周期调制的非线性微分方程.利用Melnikov方法分析了系统的全局分叉和它的混沌行为.指...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 利用蒙特卡罗方法对SiGe/Ge/SiGe异质结构的自旋极化输运特性进行了模拟研究.在Ge沟道调制掺杂异质结构形成的二维空穴气中,空穴的自旋进动主要受Rashba自旋轨道相互作用控制.在77...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 研究了非故意掺杂和掺Si的n型GaN外延材料持续光电导的光淬灭.实验发现,非故意掺杂GaN的持续光电导淬灭程度远大于掺Si的n型GaN;撤去淬灭光后前者的持续光电导几乎没有变化,后者却明显减...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 在InP(001)衬底上使用分子束外延技术自组织生长了多周期InAs/InAlGaAs量子点阵列结构.根据对透射电镜和光致发光谱结果的分析,认为引入与InP衬底晶格匹配的InAlGaAs缓冲...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出高质量的镓掺杂氧化锌(ZnO∶Ga)透明导电膜,并对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究.制备的ZnO∶Ga是具有六角纤锌矿结构的多...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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