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半导体学报(英文版)2005年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 应用紫外光化学气相淀积技术在450和480℃超高真空的背景下在Si衬底上分别生长出应变Si1-xGx和Si材料.在此低温下,有效地控制了衬底中的杂质外扩以及界面的不清晰.X射线分析结果表明S...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 采用同步辐射XRD极图法对低温MOCVD生长的GaN缓冲层薄膜进行了研究.极图研究表明,低温GaN薄膜中除有正常结晶外还存在一次孪晶和二次孪晶.在χ固定为55°时的{111}ψ扫描中发现了异...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 研究了高质量超薄氮化硅/氮氧化硅(N/O)叠层栅介质的金属栅pMOS电容的电学特性,制备了栅介质等效厚度小于2nm的N/O复合叠层栅介质,该栅介质具有很强的抗硼穿通能力和低的漏电流.实验表明...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 分别采用具有硅化物和不具有硅化物的SOI工艺制成了部分耗尽SOI体接触nMOS晶体管.在体接触浮空和接地的条件下测量了器件的关态击穿特性.通过使用二维工艺器件模拟,并测量漏体结的击穿特性,详...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 利用同一外延层集成工艺方法制作了10Gb/s电吸收调制器/分布反馈(DFB)半导体激光器单片集成光发射模块.在器件中引入增益耦合机制以提高单模成品率,并采用感应耦合等离子体干法刻蚀技术以降低...
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126. FinFET器件的集约阈电压模型刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 对FinFET器件(或称三栅MOSFET器件)的二维截面做了解析静电学分析以得出阈电压的计算公式.结果显示,由于三栅结构在高度方向的限制作用,需要引入一个H系数来修正栅电容,随着高度不断变大...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 采用新的工艺技术,成功研制了具有抬高源漏结构的薄膜全耗尽SOI CMOS器件.详细阐述了其中的关键工艺技术.器件具有接近理想的亚阈值特性,nMOSFETs和pMOSFETs的亚阈值斜率分别为...
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128. CMOS单片光接收机的带宽设计刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 设计了一个由调节型级联跨阻抗放大器(TIA)和双光电二极管(DPD)构成的光电集成接收机.给出了DPD小信号电路模型和单片集成光接收机的带宽设计方法,给出限制DPD和光接收机带宽的重要因素,...
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129. 改善FPGA互连阻性短路的测试能力刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 通过HSPICE模拟和理论分析研究了FPGA互连中的阻性短路缺陷行为.结果表明,阻性短路产生了时序故障,小电阻缺陷甚至产生了布尔故障.对于大电阻缺陷,当被测通路进行v-to-v转换,且引起短...
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130. 信号流驱动的模拟电路版图综合方法刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 提出了一种新的基于信号流分析的模拟电路版图综合方法.电路分析子系统采用新提出的信号流分析方法再结合已有的电路拓扑分析和电路灵敏性分析方法生成布图约束控制电路性能的衰减.由于考虑了电路中有关信...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场和量子点的三维约束效应,研究了Al含量对局域在GaN/AlxGa1xN量子点中激子性质的影响.结果表明,随着Al含量的增加,GaN/AlxGa1-xN...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 采用真空、无氧退火方法对立方晶型FeS2进行了稀土钕掺杂实验.利用X射线衍射仪和紫外可见分光光度计对样品的结构及光吸收谱进行了研究.利用Rietveld方法对掺杂样品的结构进行了精修.结果显...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 采用动力学蒙特卡罗模拟方法对GaAs图形衬底上自组织生长InAs量子点的停顿过程进行了研究.用衬底束缚能的表面分布模拟衬底图形,考察生长之后的停顿时间对量子点形成的影响.结果表明,合适的停顿...
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134. In掺杂对ZnO薄膜结构及光学特性的影响刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 通过射频反应溅射法在硅衬底上制备了具有c轴择优取向和小晶格失配的In掺杂ZnO薄膜.在室温下测量样品的光致发光(PL)光谱,观察到波长位于415nm(3.02eV)和430nm(2.88eV...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 研究了在氩氧气氛下近空间升华沉积CdTe的技术.发展了在表面十分平整的玻璃衬底上沉积优质CdTe薄膜的方法,对比了在玻璃衬底和CdS薄膜上CdTe薄膜的结构特征.通过研究氧分压对CdTe薄膜...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 利用溶胶-凝胶提拉法在石英玻璃衬底上制备出吸收边波长位于地球表面太阳光谱日盲区(240～280nm)内的MgxNi1-xO薄膜.XPS和XRD结果显示,MgxNi1-xO在1000℃下形成具...
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137. GaN生长速率的研究刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 采用在位监控方法研究了MOCVD系统中GaN材料的外延生长速率与NH3流量、TMGa流量、Ⅴ/Ⅲ比等生长参数的关系.GaN生长速率随NH3流量的提高先增加后减小,而随TMGa流量的增加线性的...
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138. N-Al共掺ZnO薄膜的p型传导特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 利用直流反应磁控溅射技术制得N-Al共掺的p型ZnO薄膜,N2O为生长气氛.利用X射线衍射(XRD),Hall实验,X射线光电子能谱(XPS)和光学透射谱对共掺ZnO薄膜的性能进行研究.结果...
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139. MOCVD生长GaN材料的模拟刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 基于计算流体力学在三维空间中模拟了水平行星式金属有机物化学气相沉积(MOCVD)反应器生长GaN材料的流场、热场、反应物与生成物的分布以及材料生长速率等重要物理参数.计算结果与同样条件下的实...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法在氧化铝陶瓷衬底上沉积金刚石膜,并制作梳状电极的α粒子探测器.通过优化薄膜生长条件,发现酒精浓度为0.8%、沉积温度为850℃时,金刚石薄膜的介电...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 采用等离子体增强化学气相沉积技术和电子束蒸发技术制备了一种新型的线性缓变异质结变容二极管--Au/Cr合金(电极)/multi-layer(p)nc-Si:H/(n)c-Si/(电极)Au/...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 提出一种基于0.6μm n阱标准CMOS工艺的扇形分裂漏磁敏晶体管,给出了器件相对灵敏度的数学模型.模型重点在于研究扇形分裂漏磁敏晶体管几何参数对相对灵敏度的影响.通过计算机数值积分计算和实...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 利用Mo/W/Ti/Au难熔金属作为发射极欧姆接触设计并制作了一种用于功率放大器的新结构AlGaInP/GaAs双异质结双极晶体管(DHBT),分析了与传统AuGeNi作为接触电极的AlGa...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 提出了一种快速精确地提取GaAs MESFET寄生参数方法.这种方法以两组S参数为基础,应用解析表达式直接确定GaAs MESFET的九个寄生参数.该方法适用范围广.以一个0.3μm×280...
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145. SOI基双级RESURF二维解析模型刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 提出了SOI基双级RESURF二维解析模型.基于二维Poisson方程,获得了表面电势和电场分布解析表达式,给出了SOI的双级和单级RESURF条件统一判据,得到RESURF浓度优化区(DO...
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146. 基于PEEC方法的片内螺旋电感建模刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 采用部分元等效电路方法,结合近似的三维闭式格林函数,在10GHz以下的频率范围提出了一种针对有耗硅衬底上螺旋电感的准静态建模新方法.该方法充分考虑了有耗的硅衬底、趋肤效应、接近效应等因素对螺...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 提出了一种适合射频电子标签应用的振荡器设计方法.针对低电压低功耗的要求,选择了比较简单的振荡器结构,通过调节电流的方法来调节振荡器的输出频率.输出电流与电源无关的偏置电路设计保证了振荡器输出...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 分析并讨论了应用于相位体制数字射频存储器的DAC静态参数的表征方法.提出用时间非线性(TDNL和TINL)、幅度非线性(ADNL和AINL)以及相位非线性(PNL)来全面描述相位体制DAC的...
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149. 高增益自偏S波段MMIC低噪声放大器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 报道了具有高增益自偏结构的低噪声S波段MMIC宽带低噪声高增益放大器.该放大器是采用国际先进的0.25μm PHEMT工艺技术加工而成.电路设计采用了两级级联负反馈结构,并采用电阻自偏压技术...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 利用single-ehded folded-cascode结构和MOS管工作在线性区做反馈电阻,实现了一种在77K工作的高性能低功耗、低噪声前置放大器.分析了它的噪声特性,提出了减少噪声的措...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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