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半导体学报(英文版)2006年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 提出并设计了一种用于数字电视接收调谐芯片的宽带低噪声放大器.该设计采用0.35μm SiGe BiCMOS工艺,器件的主要性能为:增益等于18.8dB,增益平坦度小于1.4dB,噪声系数小于...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 提出了体硅LDMOS漂移区杂质浓度分布的一种二维理论模型,根据该模型,如果要使带有场极板的LDMOS得到最佳的性能,那么LDMOS漂移区的杂质浓度必须呈分段线性分布.用半导体专业软件Tsup...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 讨论了利用TSMC 0.13μm CMOS工艺实现的共面波导的特性及其建模.通过Momentum等电磁场仿真软件计算了传输线的基本参数,例如特征阻抗和衰减常数.并设计了特征阻抗分别为30,5...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 提出了一种应用于无线内窥镜系统的2.4GHz低功耗ASK发射机.为了获得高的数据传输速率,采用了基于混频器的直接上变换发射机结构.为了节省功耗,提出了一种基于电流复用技术的伪差分堆栈结构的A...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 采用Chartered 0.35μm EEPROM工艺设计并实现了一个适用于无源射频电子标签的256位超低功耗EEPROM存储器.芯片实现了块编程和擦写功能,并通过优化敏感放大器和控制逻辑的...
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186. 无源射频电子标签模拟前端的设计与分析刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 提出了与ISO/IEC 18000-3兼容的高频无源射频电子标签模拟前端.分析了设计中的考虑因素,尤其是射频电子标签的能量传输.基于这些分析,提出了一种新架构、高能量转换效率、低电压、低功耗...
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187. 高速抗噪声CMOS动态电路设计刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 提出了一种利用窄脉冲发生器驱动输出级,以提高电路抗噪声能力,同时保持动态电路的高速特性的多输入动态逻辑电路.提出了这种电路的分析模型,用于说明电路的抗噪声特性和管子的参数设置.在0.18μm...
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188. 不同淀积厚度InAs量子点的喇曼散射刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 利用喇曼散射方法在77K温度下对不同淀积厚度的InAs/GaAs量子点材料进行了研究.在高于InAs体材料LO模的频率范围内观察到了量子点的喇曼特征峰,分析表明应变效应是影响QD声子频率的主...
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189. 激光诱导单层纳米硅结构的形成及其发光特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 结合激光退火与常规热退火方法对超薄非晶硅层作用,在绝缘衬底上获得了高密度的、均匀的单层纳米硅结构.所得样品通过原子力显微镜、透射电子显微镜和Raman散射谱进行表征,证实了晶化过程的发生和纳...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 用高温熔融-退火扩散法合成了富Co组成的方钴矿化合物CeyFexCo4-xSb12(y=0～0.42),并对化合物的结构和热电性能进行了研究.结果表明:化合物的晶格常数随Ce填充量的增加而线...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 通过适当的工艺措施,采用传统布里奇曼法生长了尺寸为φ30mm×120mm的Cd0.8Mn0.2Te晶体.对晶体进行了X射线粉末衍射、X射线双晶摇摆曲线、紫外-可见光光谱、红外透过率及电阻率测...
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192. 微晶硅薄膜太阳电池中孵化层研究刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 对甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备的微晶硅薄膜太阳电池进行了研究.喇曼测试结果显示:微晶硅薄膜太阳电池在p/i界面存在着一定的非晶孵化层.孵化层的厚度随硅烷浓度的增加或辉光功率的降低而...
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193. 光子晶体的微腔特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 为了设计一种高品质因子的光子晶体微腔和研究单缺陷光子晶体微腔谐振模波长随晶格常数的变化规律,使用时域有限差分法(difference time-domain method)和基于Baker算...
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194. GaAs量子阱太阳能电池转换效率的计算刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 采用细致平衡模型计算了GaAs量子阱太阳能电池的转换效率,同时对量子阱结构带来的几种效应,如准费米能级分离、热载流子效应等进行了分析,并将碰撞离化效应引入此细致平衡模型中,通过计算研究了其对...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 对晶片进行亲水表面处理,在氮气保护下500℃热处理10min,成功实现GaAs与GaN晶片的直接键合,键合质量较好.扫描电子显微镜观测结果表明,键合界面没有空洞.光致发光谱观测结果表明,键合...
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196. Si基外延GaN中位错的光助湿法化学显示刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 采用1000W卤钨灯作为光源,对GaN外延膜在KOH溶液中进行化学腐蚀,以显示晶体位错.采用扫描电子显微镜、原子力显微镜观察位错密度及表面形貌,得到了清晰的腐蚀图形.提出了腐蚀机理,光照激发...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 采用激光分子束外延法(L-MBE)在SiNx/Si(111)衬底上制备了高质量的ZnO薄膜,用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对薄膜的晶体结构、表面形貌进行了表征,结果表明ZnO...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 比较有无AlN插入层AlGaN/GaN HEMTs在直流偏置应力条件下的电流崩塌程度,研究AlN插入层对电流崩塌的影响.从测试结果看,无AlN插入层的AlGaN/GaN HEMTs有更显著的...
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199. SiGe HBT传输电流模型研究刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 基于SiGe异质结双极晶体管(HBT)大信号等效电路模型,建立了SiGe HBT传输电流模型.重点考虑发射结能带的不连续对载流子输运产生的影响,通过求解流过发射结界面的载流子密度,建立了Si...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 报道了一种以InGaAs为基区的新结构InGaP/InGaAs/GaAs双异质结晶体管,获得了直流性能良好的器件.其共射直流增益β达到100,残余电压Voffset约为0.4V,膝点电压Vk...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 将SiGeC技术应用于功率半导体器件的特性改进,提出了一种新型p+(SiGeC)-n--n+异质结功率二极管结构.在分析SiGeC合金材料物理特性的基础上,给出了该结构的关键物理参数模型,并...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 针对SPICE BSIM3模型在对大量应用于高压集成电路中的轻掺杂漏高压MOS(简称HV MOS)晶体管建模上的不足,提出了基于BSIM3的高压MOS晶体管I-V模型改进.研究中使用Agil...
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203. 局域寿命控制NPT-IGBT瞬态模型刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 提出了局域寿命控制下NPT-IGBT的瞬态模型,并与数值分析结果进行了对比,验证了模型的正确性.该模型采用了准静态近似,将关断过程分为快速下降阶段和缓慢下降阶段分别加以求解而得到.基于该模型...
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204. 硅衬底片上螺旋电感宽带2π等效电路模型刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 针对高损耗硅衬底,基于部分元等效电路方法和全耦合变压器模型,建立了一种新的片上螺旋电感物理模型.该模型考虑了趋肤效应、邻近效应和衬底涡流损耗对螺旋电感中串联电感和串联电阻频率特性的制约,并通...
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205. PSJ高压器件的优化设计刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 基于Semi-SJ(super junction)结构,提出了SJ的比例可以从0～1渐变的PSJ(partial super junction)高压器件的概念.通过对PSJ比导通电阻的分析,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 给出了一种基于功率PHEMT工艺技术设计加工完成的紧凑型K波段单级反馈式MMIC宽带功率放大器.在21～28GHz的工作频段内,当漏极电压为6V,栅电压为-0.25V,电流为82mA时,1d...
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207. 快速遗传算法优化计算二维光子晶体刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 采用平面波展开法和快速遗传算法优化设计具有大禁带的二维光子晶体.从随机产生的晶体结构开始,在遗传算法中引入占空比控制算符和傅里叶变换数据备份机制,快速搜索到了具有较大绝对禁带的正方晶格光子晶...
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208. 硅基竖直耦合三环谐振波分复用器的特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 对1×N信道硅基竖直耦合三环谐振波分复用器的传输特性进行了分析,给出了光学传递函数的公式.在中心波长1550.918nm、波长间隔1.6nm的情况下,对其振幅耦合比率、波谱响应、分光光谱、插...
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209. 甚长波量子阱红外探测器光耦合性能刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 从实验、测试和计算结果出发,运用有限时域差分法(FDTD)和传统的模式扩展(MEM)理论,研究甚长波量子阱红外探测器(QWIP)几种衍射光耦合的表面近场效应和光耦合效率,重点考察QWIP 4...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 研究了ETOXTM结构FLASH memory单元器件在VFG≈VD/2的热载流子写入应力条件下,衬底负偏置对单元器件耐久性退化的影响.结果表明:在既定的栅、漏偏置条件下,随着衬底负偏置的增...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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