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半导体学报(英文版)2007年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 采用非掺GaN为缓冲层,利用金属有机物气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上获得了晶体质量较好的InN单晶薄膜.用光学显微镜观察得到的InN薄膜,表面无铟滴生成.INN(0002)X射线双...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 根据流体动力学模型,研究了反应气体在反应室内的浓度分布,以及反应室的温场分布.NH3浓度在衬底附近分布均匀,而GaCl浓度在衬底中心区域较大,周边较小.实验结果表明,外延层在中心区生长速率为...
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483. 表面处理对p-GaN欧姆接触特性的影响刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 研究了王水溶液对p-GaN欧姆接触特性的作用.在蒸镀欧姆电极之前采用王水溶液对表面进行处理,使p-GaN的比接触电阻从8×10-3降低到2.9×10-4Ω·cm2.利用X射线光电子谱(XPS...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓ZnO(ZnO:Ga)透明导电薄膜,研究了溅射压强对ZnO:Ga透明导电薄膜结构、形貌和电光学性能的影响.X射线衍射结果表明,所制备的ZnO:Ga...
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485. RTD与HEMT在InP衬底上的单片集成刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 在半绝缘的50nm InP衬底上采用分子束外延的方法生长了RTD与HEMT的集成材料结构.RTD室温下峰谷电流比最高达到18.39,阻性截止频率大于20.05GHz.栅长为1μm的HEMT截...
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486. 室温低阈值分布反馈量子级联激光器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 报道了室温脉冲工作和低温下连续工作的分布反馈量子级联激光器(DFB-QCL),提出了一种新型波导和光栅制备技术,同时获得了合适的光耦合系数和低的波导损耗.利用这种方法研制出波长为7.7μm的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 设计并制作了一种在Y形波导的两个分支上集成分布反馈(distributed feedback,DFB)激光器的单片集成器件.DFB激光器的布拉格光栅一次曝光形成,具有相同的光栅周期.当注入电...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法生长的AlGaN/AlN/GaN/蓝宝石材料制备了AlGaN肖特基二极管.器件的肖特基接触和欧姆接触分别为Ti/Pt和Ti/Al/Ti/Au,均采用...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 对材料表面化学机械高精密加工的动力学过程及控制过程进行了深入研究.根据大量实验总结出了CMP的七个动力学过程,在ULSI衬底单晶硅片的CMP研究过程中,确定了在相同机械作用条件下由温度引起的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 采用基于计算流体力学(CFD)的数值计算方法,对自制的生长ZnO的MOCVD(金属有机物化学气相淀积)反应室内的流场进行了三维数值模拟和分析.数值模拟采用有限体积差分方法对系统的控制方程进行...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 研究了等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法制备N掺杂p型ZnO薄膜过程中生长参数如衬底温度、射频功率、锌源流量对ZnO薄膜结晶质量和电学性能的影响.
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 研究了无场调制板结构、有场调制板结构但无凹槽栅、结合场调制板结构和凹槽栅工艺三种AlGaN/GaN HEMT的动态I-V特性和微波特性,认为场调制板结构和凹槽栅工艺可以有效改善AlGaN/G...
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493. 硅基光子材料和器件的进展刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 评述硅基光子材料和器件的进展,包括硅二极管的受激发射、具有量子结构的RCE(谐振腔增进型)光电二极管、MOS高频光调制器、SOI光开关阵列和可调谐波长滤波器,重点介绍低插入损耗、快响应的SO...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 研究了包括四元合金在内的三种多量子阱结构,对以此为有源层的激光器进行了性能表征和比较分析.通过对阈值电流和外微分量子效率的测量以及增益分布的模拟分析,证实了四元合金用于量子阱结构生长对提高激...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 通过高温Hall测量研究了GaN和AlxGa1-xN/GaN异质结从室温到500℃高温下的输运性质.实验发现GaN背景载流子浓度随着温度的升高而升高,载流子浓度变化的幅度和GaN的位错密度存...
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496. InN的光学性质刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 对采用MOCVD(metalorganic chemical vapor phase deposition)技术生长在GaN/Sapphire衬底上的InN薄膜进行了Hall、吸收谱以及低温...
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497. 氮掺杂TiO2可见光响应的机理刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： TiO2是一种良好的光催化剂,具有稳定性好、光效率高和不产生二次污染等特点.但TiO2是宽禁带半导体,只有在紫外光下才具有活性,N掺杂能够明显延长TiO2的吸收光谱至可见光区,但其机理仍有争...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 为了制备性能良好的Co(W,P)抗氧化层薄膜材料,提出用SiH4或Si2H6对Co层进行硅化的方案.在整个硅化过程中存在着Si在Co中的扩散和Cu在Co中的扩散,为了实现较好的硅化效果有必要...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 在NH3和O2的混合气氛下,采用激光分子束外延法(L-MBE)在SiO2/p-Si衬底上制备了氮掺杂ZnO薄膜.XRD分析表明ZnO薄膜掺入微量的氮后仍有很高的结晶质量和高度的c轴择优取向性...
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500. 金刚石结构光子晶体的计算与制备刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 通过平面波法计算金刚石结构光子晶体的禁带特征,得出:当RA=0.16时,禁带宽度最大;当晶格常数a=8.5mm时,对应的最大禁带宽度为3.5GHz,对应的禁带范围为15.3～18.7GHz....
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501. InP外延材料的MBE生长模式刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 采用固态磷源分子束外延技术,在不同的生长条件下生长了InP外延材料,并用原子力显微镜对样品表面形貌进行了系统研究.实验结果表明,样品表面形貌的显著变化与生长模式发生变化有关;二维(2D)生长...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 通过籽晶分步包膜法ZnO复合掺杂物制备技术的研究,以及与其他三种不同工艺方法处理ZnO压敏电阻片掺杂物复合粉体的对比,特别是在复合掺杂物性能、混合浆料性能、喷雾造粒性能、电气性能和显微结构等...
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503. 基于Mg掺杂有机受体薄膜的有机发光二极管刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 采用Mg掺杂有机受体材料3,4,9,10 perylenetetracarboxylic dianhydride(PTCDA)做为电子注入层,Ag做为阴极,制备了一种新型的有机发光二极管.同...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 采用脉冲激光沉积技术制备了Li-N双受主共掺杂p型ZnO薄膜,其中Li来自Li掺杂ZnO陶瓷靶,N来自N2O生长气氛.室温Hall测试发现Li-N共掺p型ZnO薄膜的最低电阻率为3.99Ω·...
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505. 基于AlN压电层的薄膜体声波谐振器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 以AlN薄膜为压电层,采用体硅微细加工工艺制备了背空腔型结构薄膜体声波谐振器.材料测试结果表明,在优化溅射工艺下沉积的AlN薄膜具有(002)择优取向及良好的柱状晶结构.扫描电镜表征证实所制...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 使用Stillinger-Weber(SW)类型经典势,研究了InxGa1-xN合金的原子结构以及富铟Clusters引起的InGaN/GaN量子阱的形变.SW参数来自氮化铟晶体常数和闪锌矿...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法分别制备了本征、掺磷和掺硼的氢化纳米硅薄膜(nc-Si:H),并制备出纳米硅复合层状薄膜.对薄膜样品进行了喇曼(Raman)散射谱,X射线衍射等分...
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508. 带边工作的光子晶体平板的设计与制作刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 光子晶体的带边群速度反常特性可以用于放大一些光学过程,从而在光电子学领域中具有广泛的应用前景.文中以SOI材料为例,利用3D PWE法对带边工作的光子晶体结构参数进行设计,采用电子束曝光和I...
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509. m面非极性GaN材料MOCVD生长和特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 用MOCVD方法在(100)LiAlO2衬底上研制出m面的非极性GaN薄膜材料.研究了不同生长条件对材料特性的影响.通过优化生长,获得了非极化m面GaN单晶薄膜.
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510. 高阻GaN薄膜电阻率测量刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 建立了绝缘电阻大于1013Ω和温度起伏小于0.1℃的高阻GaN薄膜电阻率装置,并简述了其测量电阻率的原理.研究了环境温度、湿度、漏电流、数据读取时间、测量电压、样品尺寸等因素对电阻率与迁移率...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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