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半导体学报(英文版)2007年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年5期页码:摘要： 提出一种适合微传感器读出电路的高精度折叠共源共栅放大器.基于斩波技术和动态元件匹配技术,降低了折叠共源共栅放大器的噪声和失调,采用低阻节点斩波的方法和低压共源共栅电流镜扩大了放大器可处理的输...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年5期页码:摘要： 设计了一种采用0.25μm CMOS低压/中压/高压混合电压工艺的TFT-LCD驱动芯片内置电源电路IP核.该IP模块包括低压降线性稳压电路、电荷泵升压/反压电路、VCOM驱动电路和VGOF...
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153. SiC单晶生长及其晶片加工技术的进展刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年5期页码:摘要： 回顾了SiC单晶的发展历史,总结了目前的发展状况,同时介绍了SiC单晶生长所需要的温场和生长工艺,最后介绍了SiC单晶的加工技术.通过模拟计算与具体实验相结合的方法,调整坩埚在系统中的位置及...
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154. 投稿须知刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年5期页码:摘要：
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年6期页码:摘要： 基于转移电子效应提出半绝缘光电导开关延迟偶极畴工作模式,理论分析了强场下开关的周期性减幅振荡.指出开关的周期性减幅振荡是由于外电路的自激振荡和开关的转移电子振荡共同作用引起的.开关的偏置电场...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年6期页码:摘要： 介绍了一种由商用InGaP/GaAs异质结双极晶体管工艺制成、基于负阻原理的单片压控振荡器,此电路定位于5GHz频段下的无线应用.在实际使用中,除了旁路和去耦电容外,无需外接其他外部元件.测...
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157. 应用于C-X-Ku波段的宽带功率放大器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年6期页码:摘要： 采用0.25μm AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT工艺技术,研制出了6～18GHz三级MMIC全匹配宽带功率放大器单片.在6～18GHz的工作频率下,放大器的平均功率增益为1...
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158. 一个新颖的用于CT0标准的数字收发器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年6期页码:摘要： 介绍了一种新颖的用于CT0无绳电话标准的数字收发器.该收发器采用数字调制和解调技术来进行数据传输,取代了传统的模拟调制解调方式.在发射机中,使用小数分频锁相环实现了CPFSK调制;为了减小占...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年6期页码:摘要： 对垂直于沟道的二维电势分布函数提出了一种新的近似,给出了基于这种近似的杂质浓度呈高斯分布的非均匀掺杂全耗尽SOI-MOSFET的阈值电压解析模型.模型结果与MEDICI数值模拟结果符合得很好...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年6期页码:摘要： 考虑压力及屏蔽效应,同时计入量子阱结构中三类光学声子模(局域类体光学声子、半空间类体光学声子和界面光学声子)的作用,利用改进的LLP中间耦合方法处理电子-声子相互作用,讨论有限深量子阱中极化...
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161. GaAs (110)量子阱的电子自旋弛豫刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年6期页码:摘要： 采用固态源分子束外延的方法在GaAs(110)取向衬底上生长了GaAs/AlGaAs多量子阱结构.对样品进行了低温光致发光谱和时间分辨光致发光谱的测量,结果表明激发功率和激发波长对室温下量子...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年6期页码:摘要： 利用第一性原理计算方法,用广义梯度近似 (GGA) 处理电子之间的交换关联能,计算了BxIn1-xP,BxGa1-xP的带隙结构.BxIn1-xP的带隙弯曲参数b _Eg (Γ)=4.32e...
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163. 热处理气氛对直拉硅单晶中体缺陷的影响刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年6期页码:摘要： 研究了五种不同的热处理气氛对直拉硅中氧沉淀及其诱生缺陷的影响.实验结果表明,经过低-高退火处理的硅片继续在五种不同的气氛中高温退火,氧沉淀会部分溶解,其溶解量与热处理气氛没有明显的关系,但不...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年6期页码:摘要： 研究了化学气相传输法(CVT)生长ZnO单晶的传输过程、动力学和生长机理,分析了CVT法的传输机理、效率以及温场对传输速率和晶体生长的影响.利用气相-固相单晶成核和生长动力学理论研究了制约单...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年6期页码:摘要： 采用解析的方法计算了在基区掺杂为高斯分布,Ge组分分布为三角形分布和矩形三角形分布时基区内建电场的变化情况.重新拟合了价带有效态密度公式,并在计算内建电场时考虑了导带有效态密度的影响.发现加...
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166. 非故意掺杂n型GaN的负持续光电导现象刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年6期页码:摘要： 研究了MOCVD方法制备的非故意掺杂n型GaN薄膜的持续光电导现象.实验发现样品的光电导与入射光强有密切的关系,当入射光强由弱到强变化时,样品会依次出现正常持续光电导(PPC)、负光电导(N...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年6期页码:摘要： 采用反应热蒸发法制备掺Sn的In2O3(ITO)透明导电膜,系统研究了ITO薄膜生长的优先取向对其光电性能的影响.结果表明,ITO薄膜(400)取向的优先生长对其透过率影响很小,但可明显增加...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年6期页码:摘要： 通过固相反应法制备了ZnO:Dy3+纳米粉末,样品的X射线衍射、透射电镜和选区电子衍射证实了ZnO:Dy3+纳米粉末属于六方纤锌矿多晶结构.研究了光致发光谱与激发波长和掺杂离子浓度的依赖关系...
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169. AlInGaN量子阱垒层材料的优化刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年6期页码:摘要： 采用k·p方法理论,考虑了极化电场和自由载流子重新分布等因素,通过薛定谔方程和泊松方程自洽求解得到InGaN/AlInGaN,InGaN/GaN,InGaN/InGaN,InGaN/AlGa...
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170. 富铅配料的PbI2晶体生长与性能表征刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年6期页码:摘要： 以富Pb配料,采用特殊工艺生长出尺寸为Φ10mm×20mm的PbI2晶体.XRD分析结果表明该晶体为2H晶型,P3ml空间群;IR透过率测试结果表明1mm厚的PbI2晶片在400～1000c...
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171. 蓝宝石衬底上HVPE-GaN厚膜生长刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年6期页码:摘要： 采用氢化物气相外延(HVPE)方法,以蓝宝石作衬底,分别在MOCVD-GaN模板和蓝宝石衬底上直接外延生长GaN.模板上的GaN生长表面平整、光亮,但开裂严重.其(0002)的双晶衍射半高宽...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年6期页码:摘要： 使用分子束外延(MBE)技术在(0001)面蓝宝石衬底上生长混合极性的氮化镓(GaN)薄膜,利用不同极性面的GaN薄膜在强碱溶液中腐蚀特性的差异,混和极性样品经腐蚀处理后,得到了一层具有多孔...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年6期页码:摘要： 分别采用透明体模型、黑体模型、灰体模型、三谱带漫反射模型、三谱带镜反射模型和二谱带模型对石英壁面的辐射特性进行模拟,并结合求解辐射传递方程的谱带区域法模型,计算了不同壁面特性下径向三重流MO...
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174. 一种新型结构的静电感应晶体管刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年6期页码:摘要： 提出了一种新型结构的静电感应器件,设计了一道环绕的深槽,用以切断寄生效应.静电感应器件的寄生效应会导致器件性能的劣化甚至失效,文中提出了寄生效应的模型,并用PSPICE进行了仿真模拟,数值模...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年6期页码:摘要： 提出并制作了一种全新的平面分离双栅金属氧化物半导体场效应晶体管,该器件垂直于沟道方向的电场为一非均匀场.理论计算、TCAD三维器件仿真以及实验结果均表明,通过改变该器件中任何一个栅极偏置电压...
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176. 反向开关复合管的物理模型与数值方法实现刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年6期页码:摘要： 从大注入半导体物理的基本理论推导得到了反向开关复合管(RSD)工作的基本物理方程.通过考虑大注入和强电场效应,建立了RSD以pnn+二极管方式工作于反向预充阶段,以pin二极管方式工作于正向...
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177. LDMOS开关在不同频率下的热安全工作刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年6期页码:摘要： 研究了LDMOS器件内部的最高温度与开关频率之间的关系.结果表明:在较高频率工作时,器件内部的最高温度与器件的热容、功耗、占空比和连续工作时间有关,而与器件的热阻和信号周期无关,器件会一直处...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年6期页码:摘要： 为了降低InP DHBT的B-C之间的导带势垒,抑制电流阻挡效应,采用了一种含InGaAsP的复合式集电区结构.第一次从理论上分析了此种类型的复合式集电区各个参数对于DHBT性能的影响并给出...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年6期页码:摘要： 设计了正面入射的探测波长范围限制在326～365nm的AlxGa1-xN/GaN异质结pin光电探测器.利用自洽求解薛定谔-泊松方程计算了AlxGa1-xN/GaN异质结在无极化、完全极化和...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年6期页码:摘要： 提出了一种解决CMOS光电集成接收机灵敏度和速度问题的新方法--前均衡法,即在接收放大电路的前端对传输信号进行频率补偿,并分别采用并联谐振回路、三次阶梯网络和高通滤波器峰化技术设计了三种前均...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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