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半导体学报(英文版)2007年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
总被引数（次）
35317
半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年2期页码:摘要： 研究了热退火条件下Au/Ti/Ni-4H-SiC欧姆接触形成机制.通过950 ℃下的快速热退火形成的最低欧姆接触电阻为2.765×10-6 Ω·cm2.SIMS分析表明退火过程中NiSi化合...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年2期页码:摘要： 报道了具有基极微空气桥和发射极空气桥结构的InP单异质结双极型晶体管(SHBT).由于基极微空气桥和发射极空气桥结构有效地减小了寄生,发射极尺寸为2 μm×12.5 μm的InP HBT的截...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年2期页码:摘要： 基于薄膜全耗尽SOICMOS工艺,进行了建模分析,在300～600 K温度范围内,利用ISETCAD软件对SOICMOS器件单管高温特性进行了模拟分析,同时利用Verilog软件对激光测距电...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年2期页码:摘要： 提出了一种具有n+浮空层的横向super junction结构,此结构通过磷或砷离子注入在高阻衬底上形成n+浮空层来消除传统横向super junction结构中的衬底辅助耗尽效应.这种效应...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年2期页码:摘要： 在商用标准0.6μm体硅CMOS工艺下,设计了采用普通单栅及多栅版图结构的nMOS和pMOS晶体管作为测试样品,讨论其经过γ射线照射后的总剂量辐照特性.辐照中器件采用不同电压偏置,并在辐照前...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年2期页码:摘要： 描述了用于SDH光纤通信STM-1速率级光接收机主放大器的155 Mbps限幅放大器.该电路采用CSMC0.5 μm CMOS工艺实现,供电电压为3.3 V,功耗为198 mW.核心电路包含...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年2期页码:摘要： 提出了新型的应用于粒子探测器CMOS读出电路中的电荷灵敏放大器和CR-(RC)n半高斯整形器的结构.电荷灵敏放大器采用多晶硅电阻做反馈来减小噪声,仿真发现与传统结构相比,在探测器电容高达15...
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38. 考虑光学邻近效应的详细布线算法刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年2期页码:摘要： 提出了一种考虑光学邻近效应的详细布线算法.该算法在布线过程中,充分考虑了线网走线相对位置及布线线形对其光学邻近效应的影响,通过相应的光刻模拟模型定义了用于估计光学邻近效应(optical p...
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39. 硅基氧化锌薄膜中的发光和复合中心刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年2期页码:摘要： 报道了用MOCVD方法制备的硅基ZnO薄膜中的中性施主-价带D0h发光.ZnO/p-Si结构经空气中700 ℃退火1h,然后进行X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)谱和I-V特性测量.实验...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年2期页码:摘要： 对快中子辐照的直拉硅分别进行了650 ℃和120 ℃快速(RTP)预热处理.450 ℃下不同时间热处理激发热施主,通过四探针测量电阻率和载流子浓度的变化规律,应用傅里叶红外光谱(FTIR)测...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年2期页码:摘要： 利用物理气相传输法生长了直径40～50 mm、厚约8～10 mm的AlN多晶锭,最大晶粒尺寸为5 mm.用喇曼散射和阴极荧光谱研究了AlN晶体的结晶质量、缺陷和结构特性.分析了不同温度下Al...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年2期页码:摘要： 采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术,在相对较高气压和较高功率条件下,制备了不同硅烷浓度的微晶硅材料.材料沉积速率随硅烷浓度的增加而增大,通过对材料的电学特性和结构特性的分析得知:获得了沉...
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43. 利用金属过渡层低温键合硅晶片刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年2期页码:摘要： 在Si/Si之间采用Ti/Au金属过渡层,实现了Si/Si低温键合,键合温度可低至414 ℃.采用拉伸强度测试对Si/Si键合结构的界面特性进行测试,结果表明,键合强度高于1.27MPa;I...
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44. 无压力辅助硅/玻璃激光局部键合刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年2期页码:摘要： 提出了一种新的无需外压力作用的硅/玻璃激光局部键合方法,通过对晶圆进行表面活化处理,选择合适的激光参数及加工环境,成功地实现了无压力辅助硅/玻璃激光键合.同时研究了该键合工艺参数如激光功率、...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年2期页码:摘要： 提出了一种测定材料湿法刻蚀启动时长的红外热像新方法.该方法的实质是利用反应启动时必然有化学热吸收或释放,从而引起材料表面液层温度变化这一特点,通过红外热像实时监测系统,采集液层温度变化过程的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年2期页码:摘要： 分析了目前几种主要的非正态工序能力指数计算模型,指出其适用范围和不足之处.根据数据的均值、标准偏差、偏度和峰度四个变量能够体现分布特性,结合切比雪夫-埃尔米特多项式,提出了新的非正态工序能力...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年2期页码:摘要： 研究了采用双RESURF技术的槽栅横向双扩散MOSFET(DRTG-LDMOS).讨论了双RESURF技术对击穿电压的影响,以及DRTG-LDMOS的电容特性.与传统的槽栅器件结构相比,新结...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年2期页码:摘要： 采用了一种新的方法研究纳米金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFETs)的亚阈值特性,即正则摄动法.由于在纳米MOSFETs中,常用的耗尽近似和页面电荷模型(charge-sheet mod...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年2期页码:摘要： 选取了采用0.25μm工艺的两组器件进行研究.通过对这两种器件关态泄漏电流、跨导和栅电流等电学参数进行分析,得出当器件发展到深亚微米阶段时,影响其辐射效应的主要原因是场氧化层中的陷阱电荷.并...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年2期页码:摘要： 提出了一种新的RF-CMOS晶体管在片测试结构寄生模型,模型综合考虑了射频/微波条件下RF-MOST器件在片测试结构中的各种寄生效应.模型考虑了PAD-互连金属、互连金属-DUT(devic...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年2期页码:摘要： 介绍了一种简单有效的自注入方法,通过该方法对直接调制的分布反馈半导体激光器进行光自注入,可以得到非常平坦的频率响应曲线.实验中使用一个环形器和一个1×2耦合器来实现光自注入.实验结果表明,在...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年2期页码:摘要： 研究了掺铒光纤环形腔激光器(EDFRL)的注入锁定现象,提出了一种实现可调谐的单纵模EDFRL波长及功率稳定的新方法,即利用注入锁定技术向法布里-珀罗可调滤波器结合复合腔结构的EDFRL腔内...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年2期页码:摘要： 在850 nm波长垂直腔面发射激光器的基础上制备了纳米孔径垂直腔面发射激光器.当小孔尺寸为400 nm×400 nm时,在25 mA驱动电流下,其最大输出光功率达到了0.3 mW,功率密度约...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年2期页码:摘要： 介绍了一种新型的利用激光驱动的可变形反射镜.它包括三个部分:以聚脂薄膜为主体做成的2μm厚的镜面,支撑镜面的6μm高栅格状的支撑柱,由光敏材料砷化镓(GaAs)构成的感光底层.同时在镜面与感...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年2期页码:摘要： 高速光器件的封装工艺中,光耦合占据重要的地位.文中针对一种高速光探测器中常用的光耦合方式——倾斜端面光纤到倒装芯片的耦合,提出了光纤耦合的柱透镜光学模型,并通过理论和光学软件模拟了各种封装工...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年2期页码:摘要： InP基微光机电系统(MOEMS)可调谐器件的梁在实验中常出现弯曲变形的现象,其原因是在生长的时候,As原子进入InP梁,产生了内部梯度应力.使用有限元分析软件,建立了一种无须测量内部应力的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年2期页码:摘要： 设计和制备了吸收层和倍增层分开的4H-SiC穿通型雪崩紫外光电探测器.设计器件的倍增层和吸收层厚度分别为0.25和1μm.采用multiple junction termination ex...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年2期页码:摘要： 基于一种新型的振荡机制,利用共振隧穿二极管(RTD)固有的负阻和双稳特性,与MOSFET器件相结合,首次实现了工作频率约为25MHz的RTD/MOSFET高频振荡电路.文章首先从理论上深入分...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年2期页码:摘要： 设计了一个用于GSM系统的Sigma-Delta调制器.GSM系统要求信号带宽大于200 kHz,动态范围大于80dB.为了能取得较低的过采样率以降低功耗,采用了级联结构(MASH)来实现,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年2期页码:摘要： 为满足小体积、多参数测量的要求,采用SOI硅片,设计了一种测量三轴加速度、绝对压力、温度参数的单片集成硅微传感器,其中加速度、绝对压力传感器基于掺杂硅压阻效应,温度传感器基于掺杂硅电阻温度效...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
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| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
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