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半导体学报(英文版)2007年第9期出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 采用自主外延的4H-SiC外延片,利用PECVD生长的SiO2做场板介质,B+离子注入边缘终端技术,制造了Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管.测试结果表明,Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 以有机电致发光器件(OLED)为基础的显示或照明器件,通常会受到短路故障的影响,从而使得像素失效,降低面板的亮度,进而严重地影响亮度的均匀性,并且会产生大量的功耗.本文介绍了一种新的有源OL...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 设计并实现了一个高速12路并行CMOS单片光电集成接收机.其每一路都包括一个光探测器、一个跨阻放大器以及后续放大电路.双光电二极管(DPD)结构可以提高接收机速度,但同时降低了响应度.在跨阻...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 提出了一种基于全集成的无源射频身份识别(RFID)应答器芯片的电源供给方案,并在特许半导体的0.35μm嵌入EEPROM的CMOS工艺线上流片成功.提出的AC/DC和DC/DC电荷泵能够为R...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 应用分子动力学仿真研究了原子量级条件下磨粒钝圆半径、磨削深度和磨削速度对单晶硅磨削后亚表面损伤层深度的影响.分子动力学仿真结果表明:在磨削深度和磨削速度相同情况下,随着磨粒钝圆半径的减小,损...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 提出一种新型全耗尽双栅MOSFET,该器件具有异质栅和LDD结构.异质栅由主栅和两个侧栅组成,分区控制器件的沟道表面势垒.通过Tsuprem-4工艺模拟和Medici器件模拟验证表明,与普通...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 采用0.18μm CMOS工艺,设计并实现了应用于WLAN IEEE 802.11a的正交调制器和上变频器.正交调制器在传统的Gilbert单元基础上,采用负反馈跨导放大器来提高线性度;上变...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 设计了一种用于逐次逼近型模数转换器中的比较器失调和电容失配自校准电路.通过增加校准周期,该电容自校准结构即可与原电路并行工作,实现高精度与低功耗.校准精度可达14bit.采用该电路设计了一个...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 提出一种能够综合考虑IR drop和di/dt噪声的门级电路模型.实验表明,利用这种模型进行电源噪声估计,可以比传统模型提高5.3%的精度,同时运算时间降低10.7%.根据输入信号对最大电源...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 采用基于第一性原理的赝势平面波方法系统地计算了β-FeSi2基态的几何结构、能带结构和光学性质.能带结构计算表明β-FeSi2属于一种准直接带隙半导体,禁带宽度为0.74eV;其能态密度主要...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 用脉冲激光淀积(PLD)技术和离子注入的方法制备了掺Er氧化铪(HfO2)薄膜样品,观察到了样品中Er离子波长1535nm的室温和变温光致发光(PL)现象.分析了后期不同的退火温度对样品发光...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 根据pn结太阳电池的电流-电压方程,计算了在理想情况下,InGaN材料应用于单结、双结和三结太阳电池时,其转换效率可分别高达27.3%,36.6%和41.3%,均高于通常半导体材料太阳电池....
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 采用化学氧化法制备了导电聚吡咯(PPy).运用SEM和TEM表征了PPy的形貌,利用四探针技术测试了材料的电导率,对影响其电导率的因素进行了讨论,并对其导电机理进行研究.结果表明,氧化剂用量...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 采用射频磁控溅射ZnO陶瓷靶、直流磁控溅射Ag靶的方法制备了不同厚度Ag夹层的ZnO(60nm)/Ag/ZnO(60nm)多层膜.分别用X射线衍射仪、紫外可见分光光度计、四探针测试仪对样品的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 采用溶胶-凝胶法制备出高介电常数的Bi2O3-ZnO-Nb2Os(BZN)薄膜.总结出适合作为GaN金属-绝缘层-半导体场效应晶体管(MIS FET)栅介质的BZN薄膜的原料配比、烧结温度和...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 采用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上制备了一系列生长温度和As2/Ga束流等效压强比不同的样品,通过室温光致发光谱、高分辨X射线衍射仪和低温光致发光谱对这些样品进行了分析,找到了在G...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 提出一种基于SDB技术的非平面埋氧层SOI材料制备方法.其关键技术包括:通过干法刻蚀、高压氧化和淀积二氧化硅获得高质量非平面埋氧层;通过化学气相淀积多晶硅来形成键合缓冲层,并运用回刻光刻胶和...
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18. 凹栅AlGaN/GaN HFET刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 研究了总栅宽为100μm栅凹槽结构的AlGaN/GaN HFET,采用相同的外延材料,凹槽栅结构器件与平面栅结构器件比较其饱和电流变化小,跨导由260.3mS/mm增加到314.8mS/mm...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 优化了GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)的外延结构,有利于获得增强型PHEMT的正向阈值电压.采用光学接触式光刻方式,实现了单片集成0.8μ...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 对600V以上级具有高压互连线的多区双RESURF LDMOS击穿特性进行了实验研究,并对器件进行了二维、三维仿真分析.利用多区P-top降场层的结终端扩展作用以及圆形结构曲率效应的影响,增...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 通过考虑缓变基区4H-SiC BJT电流增益及器件内4种载流子复合过程,计算了4H-SiC BJT的厄利(Early)电压,分析了Early电压及电流增益的温度特性.结果表明,其他参数不变时...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 采用了新型的包含22元件的GaN HEMT小信号模型,通过增加与栅源电容Cgs和栅漏电容Cgd并联的电导Ggsf和Ggdf来表征GaN HEMT栅漏电情况.结果表明22元件小信号模型拟合度提...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 研究了SMIC 90nm工艺1.4nm栅厚度0.18μm×0.15μm尺寸nMOS器件随机电报信号(random telegraph signal,RTS)噪声幅度特性.在此基础上,提出了利...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 提出一种改进的累积型MOS变容管射频模型,改进后模型方程可精确描述累积型MOS变容管全工作区域特性;模型方程连续,且任意阶次可导,至少三阶导数求解结果可实现与测试结果的精确拟合,解决了原模型...
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25. 静电驱动可调微机械电容刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 利用简单MEMS技术制作了高品质因数的射频可调微机械电容.此电容由静电驱动,利用WYKO NT1100光学表面轮廓仪测量在不同外加直流电压下可变电容的表面轮廓和位移等信息.测试结果表明,电容...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 结合弹性多层板热应力理论和应力集中效应给出了Si基SiO2波导芯层热应力的解析解,推导了芯层应力差的解析表达式.说明对于传统阵列波导光栅,芯层应力差来源于初始翘曲和波导各层热膨胀系数差;系统...
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27. SU-8胶深紫外光刻模拟刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 综合了SU-8胶光刻过程中衍射、反射、折射、吸收率随光刻胶深度的变化及交联显影等各种效应,考虑了折射及吸收系数随时间的变化,建立了SU-8化学放大胶的光刻模型.模拟结果显示,该模型比现有的模...
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28. CMOS超高频整流器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 提出了一个适用于无源UHF RFID标签芯片的全CMOS整流器.整流器包括射频-直流转换电路、偏置电路、直流-直流转换电路和振荡器电路.整流器的工作频率范围是860～960 MHz.基于0....
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 在D类功率放大器的设计中,为了提高驱动效率,需要一个高电平驱动H桥的高端LDNMOS管.文中设计了一种新颖的适用于D类功放的驱动电路,在芯片内部采用一个电荷泵电路.当芯片正常工作时,H桥低端...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 设计、制造并测试了一种单片集成的压阻式高性能三轴高g加速度计,量程可达105g.x和y轴单元均采用一种带微梁的三梁-质量块结构,z轴单元采用三梁-双岛结构.与传统的单悬臂梁结构或者悬臂梁-质...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
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| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
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| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
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