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半导体学报(英文版)2008年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 以玻璃为衬底,室温条件下采用直流磁控溅射技术制备了Glass/Al/a-Si样品.在H2,N2和空气3种不同气氛中进行了退火处理.分别采用XRD,Raman光谱和SEM研究了退火气氛对a-S...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 采用超高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,逐次高速沉积非品硅顶电池及微晶硅底电池,形成pin/pin型非晶硅/微晶硅叠层电池.通常顶电池的n层与底电池的P层均采用微晶硅材料...
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303. 单晶硅片磨削损伤的透射电子显微分析刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 为了揭示硅片自旋转磨削加工表面层损伤机理,采用透射电子显微镜对硅片磨削表面层损伤特性进行了分析.结果表明:粗磨Si片的损伤层中有大量微裂纹和高密度位错;半精磨和精磨si片的损伤层中除了微裂纹...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 研制出在蓝宅石衬底上制作的MOS AIGaN/GaN HEMT.器件栅长1um,源漏间距4um,采用电子束蒸发4nm的Si02做栅介质.在4V栅压下器件饱和电流达到718mA/mm,最大跨导...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 分析了SPICE BSIM3模型对高压双扩散漏MOSFET(HV double diffuse drain MOSFET)模拟过程中产牛的较大偏差,有针对性地提出一种由nMOSFET,MES...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 在提出双栅双应变沟道全耗尽SOl MOSFET新结构的基础上,模拟了沟道长度为25nm时基于新结构的CMOS瞬态特性.结果表明,单栅工作模式下,传统应变SiGe(或应变Si)器件的CMOS电...
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307. 求解半导体器件流体力学模型的新方法刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 采用样条分步法SADI与高阶紧致差分相结合的方法,计算用于半导体器件模拟的流体力学模型.数值计算表明,相比当前最为流行的两种器件模拟方法CGS及Newton-S0R,这种方法可以降低方程的迭...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 在新型空穴传输聚合物聚TPD(PTPD)中掺杂电子传输有机小分子荧光染料Rubrene制成薄膜器件.考察了影响聚合物掺杂小分子薄膜器件发光性能的因素.实验表明,通过在器件中掺杂,可以控制器件...
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309. 微热板阵列的热干扰刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 针对微热板阵列建立了热路模型,并对热干扰进行分析.结果表明,由于微热板悬窄结构的热阻比硅芯片的热阻高3个数量级.因此微热板阵列芯片的热干扰温度取决于封装对环境的热阻,而芯片上器件的间距对热干...
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310. 基于PID技术的深能级光离化截面测试方法刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 在分析GaN中深能级中心与入射光子问相互作用的基础上,提出了一种基于PID(prortional-integral-deriva-tive)技术的深能级中心光离化截面的测试方法.在针对分子束...
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311. 基于侧壁压阻式的位移传感器研制及应用刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 为了提高面内运动位移检测的灵敏度和改善侧壁压阻工艺与其他工艺间的兼容性问题,研究了一种可用于面内运动位移检测的传感器,提出了利用离子注入工艺和深度反应离子刻蚀(DRIE)工艺相结合制作榆测梁...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 实现了一个应用于RFID系统的低功耗、低噪声的锁相环频率综合器.该频率综合器采用UMC 0.18μm CMOS工艺实现,输入时钟为13MHz,经测试验证输出频率为718～915MHz,相位噪...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 提出了一种全片内集成的低噪声CMOS低压差线性稳压器(LDO).首先建立传统LDO的噪声模型,分析了关键噪声来源并提出采用低噪声参考电压源来降低LDO输出噪声的方法.其次,提出一种带数字校正...
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314. 具有稳定工作状态的无线接收用超再生振荡器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 介绍了一种用于无线接收机的具有稳定工作状态的超再生振荡器.这一超再生振荡器的起振时间被由超再生振荡器、高效率包络检波器和高精度电荷泵等构成的类似于锁相环的环路锁定在某一固定状态上.文中建立了...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 提出了一种输m电流可达750mA,脉宽调制(PwM)和变频调制(PFM)双模式控制的,高效率、高稳定性直流.直流降压转换器.该转换器在负载电流大于80mA时,采用开关频率为lMHz的PwM工...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 为了防止在液晶显示面板上发生闪烁和减小栅驱动器的馈通现象,设计了一种基于升压型DC-DC和电荷泵的用于TFT-LCD液品显示的片内门宽调制控制器.该控制器能减小液品显示功耗,减少栅走线和液晶...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 针对电流模降压型DC-DC变换器,提出了一种新颖的CMOS片上电流采样电路.该电路结构简单,易于集成,功率损耗小,且通过MOSFET的匹配使采样比例几乎不受温度、模型以及电源电压变化影响.并...
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318. 投稿须知刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年8期页码:摘要：
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319. 32nm CMOS工艺技术挑战刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年9期页码:摘要： 根据国际半导体技术发展蓝图(international technology roadmap for semiconductor,ITRS),CMOS技术将于2009年进入32nm技术节点....
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年9期页码:摘要： 在蓝宝石衬底上制作AlGaN/GaN高电子迁移率品体管.由于使用了一种全新的T形栅电子束曝光版图,因此可以自由地改变T形栅的宽窄比(T形栅头部尺寸与栅长的比值)并优化T形栅的形状.所得的0....
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年9期页码:摘要： 采用量子阱方法集成半导体光放大器的取样光栅可调谐激光器,这在国内尚属首次.该器件波长调谐范围可达33nm,在放大器注入50mA电流时,输出光功率可达10mW,同时边模抑制比可达35dB以上.
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年9期页码:摘要： 研究了应用于目盲探测器的高Al组分Si掺杂n型Al0.6Ga0.4N与两层金属层Ti(20nm)/Al(100nm)之间的欧姆接触.在制作金属电极前用煮沸王水对样片进行表面预处理,会属制作后...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年9期页码:摘要： 描述了一种拓展电子束光刻中的临近效应来制备特征尺寸在亚20nm的金属Nanogap的方法.结合图形转移过程(如去胶等),利用临近效应灵活有效地制备了金属(如Au或者Ag等)Nanogap结构...
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324. (101)面生长双轴应变Si带边模型刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年9期页码:摘要： 采用结合形变势理论的k·p微扰法建立了(101)面弛豫Si1-xGex衬底上生长的双轴应变Si的带边模型.结果表明:[001],[001],[100]及[100]方向能谷构成了该应变Si的导...
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325. 磷扩散氧化锌单晶的性质刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年9期页码:摘要： 分别在550和800℃对CVT方法生长的非掺ZnO单品进行闭管磷扩散.通过Hall测试、X射线光电子谱(XPS)、光致发光(PL)以及喇曼散射对扩散后的样品进行测试分析.发现扩散掺杂后的Zn...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年9期页码:摘要： 利用电子束光刻技术制备出200nm栅长GaAs基InAlAs/InGaAs MHEMT器件.Ti/Pt/Au蒸发作为栅极金属.同时为了减少栅寄生电容和寄生电阻,采用3层胶工艺,实现了T型栅....
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327. 增强型AlGaN/GaN槽栅HEMT刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年9期页码:摘要： 成功研制出蓝宝石衬底的槽栅增强型AlGaN/GaN HEMT.栅长1.2μm.源漏间距4μm,槽深15nm的器件在3V栅压下饱和电流达到332mA/mm,最大跨导为221mS/mm,阈值电压...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年9期页码:摘要： 通过有限元分析设计了具有抑制边缘击穿的层叠边缘结结构的平面型InGaAs/InP盖革雪崩光电二极管.通过仔细地控制中央区域结的深度,光电二极管的击穿电压降至54.3V;同时通过调整InP倍增...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年9期页码:摘要： 采用三维TCAD模拟的手段,针对0.18μm工艺下的真实p-n结,研究了偏雎、温度、衬底掺杂浓度和LET对辐射诱导的SET电流脉冲的影响.研究结果表明,在1.62～1.98V的范围内,偏压对...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年9期页码:摘要： 提出了一种新的用于低功耗,节省面积的三级放大器频率补偿技术.该技术将有源电容进行嵌套连接从而克服了传统的嵌套式密勒补偿与反嵌套式密勒补偿的缺点.当将这一技术用标准的0.35μm工艺设计成电路...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
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| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
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