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半导体学报(英文版)2008年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 采用标准0.25μm CMOS工艺实现了10GHz LC压控振荡器.为了适应高频工作,并实现低相位噪声,该压控振荡器采用了手动优化的带中心抽头的对称电感,将A-MOS变容二极管与无源金属-绝...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 设计了一种新的用于电压控制振荡器的延迟单元,并与源级耦合差分延时单元的时钟抖动进行了比较.提出了基于低时钟抖动的锁相环环路参数的优化技术.在0.35μm CMOS工艺下进行1.25GHz S...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 介绍了一个采用多种电路设计技术来实现高线性13位流水线A/D转换器.这些设计技术包括采用无源电容误差平均来校准电容失配误差、增益增强(gain-boosting)运放来降低有限增益误差和增益...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 为改善周期精确级功耗分析的准确度和速度问题,使用多维特征参数建立贝叶斯推理的动态功耗模型.基于功耗分布与电路内部节点状态的分析,发现仅使用端口信息作为参数的不足.定义了门单元级数的计算和对应...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 提出一种新的低成本射频识别标签模拟前端,同时兼容ISO 14443A和ISO 14443B协议.相比于传统模拟前端,本设计采用面积更小的单线圈天线代替传统大面积多圈天线,使得标签的封装成本大...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 提出了一种可以在915MHz ISM频带下工作的、符合ISO/IEC 18000-6B标准的无源UHF RFID应答器的阻抗匹配方法.该UHF RFID应答器具有复数阻抗并从射频电磁场接收能...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 用阴极射线致发光(CL)法、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)法研究了异质外延GaN材料的发光性质与结构特性的关系.结果表明,GaN外延层中的穿透位错是材料有效的非辐射复合中心,...
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98. 氢化对ZnO发光性质的影响刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 通过低温光致发光(PL)谱研究氢化对ZnO发光性质的影响.氢通过一个直流等离子体发生装置引入到ZnO晶体.研究发现氢的引入影响了束缚激子的相对发光强度,特别是氢化以后I4峰(3.363eV)...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 使用气相沉积SiO2和普通光刻以及湿法腐蚀方法,在C面蓝宝石上开出不同尺寸的正方形窗口,在窗口区域中露出衬底,然后使用氢化物气相外延(HVPE)方法选区外延GaN薄膜.采用光学显微镜、原子力...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 对红外透射光谱法测定HgCdTe液相外延材料纵向组分分布技术进行了深入的研究.红外透射光谱的理论计算采用了王庆学提出的组分分布模型,并考虑了光穿越组分梯度区时产生的干涉效应.通过测量同一样品...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 用透射电子显微镜对Si衬底生长GaN/InGaN多量子阱材料进行横断面测试,在衬底和缓冲层区域进行高分辨电子显微成像(HRTEM)、电子衍射衬度成像、选区电子衍射成像,在量子阱附近区域进行了...
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102. 解理面预处理方法对二次外延的影响刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 利用超晶格解理面方法制备定位生长的InAs量子线.首先以分子束外延技术在OaAs衬底上生长GaAs/AlGaAs超晶格,然后将样品取出外延系统进行解理,对解理面进行预处理之后在(110)解理...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 采用HWCVD技术在p型CZ晶体硅衬底上制备了纳米硅/晶体硅异质结太阳电池,测量了晶体硅表面在不同氢处理时间下的异质结的暗Ⅰ-Ⅴ特性和相应的电池性能参数.室温下的正向暗Ⅰ-Ⅴ特性采用双二极管...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 研制成功具有场板结构的AIGaN/GaN HEMT器件,对源场板、栅场板器件的性能进行了分析.场板的引入减小了器件漏电和肖特基漏电,提高了肖特基反向击穿电压.源漏间距4靘的HEMT的击穿电压...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 在非对称HALO结构的全耗尽SOI二维阈值电压解析模型的基础上,对阈值电压受隐埋层中二维效应的影响进行了讨论.通过与一维模型的比较,说明在深亚微米SOI MOSFET器件中隐埋层的二维效应会...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 在Si衬底上生长了GaN基LED外延材料,将其转移到新的硅基板上,制备了垂直结构蓝光LED芯片.本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性.在切割成单个芯片之前,对尺寸为200μ×...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 在蓝宝石上用MOCVD生长的材料制备了背入射Al0.42Ga0.58N/Al0.40Ga0.60N异质结p-I-n太阳光盲紫外探测器.从器件的正向Ⅰ-Ⅴ特性曲线计算了理想因子n与串联电阻Rs...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 采用Ni/Au作为肖特基接触制备了一维阵列MSM 4H-SiC紫外光电探测器,并测量和分析了阵列器件的Ⅰ-Ⅴ、光谱响应特性.结果表明,阵列探测器性能均匀性好,击穿电压均高于100V.阵列中单...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 针对碳纳米管(CNT)场发射阴极薄膜中,CNT个体差异及其与衬底的不良接触对发光均匀性的影响,引入反馈限流电阻层以改善阴极薄膜的场发射发光均匀性.采用丝网印刷工艺在衬底上制备氧化锌作为电阻限...
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110. 铒镱共掺波导放大器的增益特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 在忽略放大自发辐射(ASE)及均匀掺杂和稳态的情况下,在初始能量转移效率的基础上从速率方程和传输方程出发,推导出了用于分析铒镱共掺波导放大器(EYCDWA)的新公式.利用这些公式分析了泵浦光...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 设计并制作了一种结构新颖的镜面尺寸为6mm×4mm的电磁驱动MEMS光学扫描镜.这种背面为微型铜驱动线圈的MEMS硅基扭转镜面沉浸在由包含永磁体的磁回路产生的磁场中,当电流信号通过驱动线圈时...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 采用低摆幅低交叉点的高速CMOS电流开关驱动器结构和中心对称Q2随机游动对策拓扑方式的pMOS电流源阵列版图布局方式,基于TSMC 0.18靘 CMOS工艺实现了一种1.8V 10位120M...
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113. 一种自适应斜坡补偿电路的设计与实现刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 提出了一种应用于电流型DC-DC转换器的自适应斜坡补偿电路.在分析斜坡补偿原理的基础上,提出了一种动态的斜坡补偿方法.该方法利用跨导线性环电路对补偿电流信号进行叠加,无需外加引脚引入输出电压...
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114. 模拟集成电路参数型故障定位方法刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 针对模拟集成电路参数型故障的测试难题,提出了定位模拟集成电路参数型故障的功率谱相关分析方法.利用小波滤波器组对被测电路响应进行子带滤波后,计算子带响应序列的相干函数.通过对以相干函数序列表征...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 信息科学不断发展,半导体科学学科的资助范围也随之不断进行微调.45纳米以下的微电子学器件与工艺探索为大家提供了广阔的研究空间;自下而上的纳电子学、自旋电子学、分子电子学、生物电子学和量子信息...
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116. 投稿须知刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要：
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 本文描述半导体场引晶体管器件物理和理论所用的根本原则,它适用电场中有两种载流子的器件.讨论边界条件对器件电流电压特性的重要性.作为例子,计算两种边界条件下的转移直流电压特性:电势边界给出很高...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 本文报告用双极场引晶体管(BiFET)电化电流解析理论计算的内禀结构直流特性,晶体管有两块等同MOS栅,纳米厚度纯硅基,没有产生复合和俘获.用交叉双路或Z形单路递归循环算法,很快得到三个势变...
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119. CMOS射频集成电路ESD保护的挑战刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 随着集成电路(IC)T艺进入深亚微米水平,以及射频(Radi0.Frequency,RF)IC工作频率向数千兆赫兹频段迈进,片上防静电泄放(ESD)保护设计越来越成为RF IC设计的挑战.产...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 从理论和实验的角度研究了n型4H-SiC上的多晶硅欧姆接触.在P型4H-SiC外延层上使用P+离子注入来形成TLM结构的n阱.使用LPCVD淀积多晶硅并通过P+离子注入及扩散进行掺杂,得到的...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
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