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半导体学报(英文版)2008年第12期出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 设计研制了一种新型的低噪声分布式放大器,采用了栅长为1μm的低噪声复合沟道Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN HEMT(CC-HEMT).给出了低噪声分布式放大器的仿...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 对接生长技术可以独立优化不同区域的波导结构,有利于制作高性能的半导体光电子集成器件.文中采用MOCVD对接生长技术制作了SGDBR激光器,通过载流子注入,器件准连续调谐范围为35nm,在调谐...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 研究了背照式ZnO焦平面成像阵列制作的刻蚀工艺.该ZnO焦平面阵列为128×128阵列,每个单元面积为25μm × 25μm,对该阵列的刻蚀结果进行了研究分析.刻蚀后阵列单元的剖面角约为80...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 通过减少奇数阵列波导的芯宽度,同时增加偶数阵列波导的芯宽度的技术,构造了箱型光谱-选用氟化聚芳醚FPE聚合物材料,设计并制备了17×17信道箱型光谱响应阵列波导光栅(AWG)波分复用器.测试...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 室温下采用RF磁控溅射技术在石英衬底E制备了多晶ZnO:Al(AZO)透明导电薄膜,通过XRD,AFM,AES,Hall效应及透射光谱等测试研究了RF溅射功率、氩气压强对薄膜的结构、电学和光...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 基于密度泛函理论(DFT)第一性原理计算了Zn1-xBexO化合物的电子结构和光学性质.计算结果表明Zn1-xBexO带隙随掺杂浓度的增加而变大.这种现象主要是由于价带顶O2p随掺杂量x的增...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 用脉冲电沉积技术,在ITO玻璃基片上制备了SnS:Ag薄膜.用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)观察了薄膜的物相结构和表面形貌,结果表明SnS:Ag薄膜出现了新物相Ag6SnS6,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 研究了如何减小等离子体干法刻蚀导致的大肖特基漏电.用X射线光电能谱(XPS)分析刻蚀前后的AlGaN表面,发现刻蚀后AlGaN表面出现了N窄位,导致肖特基栅电流偏离热电子散射模型,N空位做为...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 利用电子束光刻技术制备了200nm栅长GaAs基T型栅InAlAs/lnGaAs MHEMT器件.该GaAs基MHEMT器件具有优越的直流、高频和功率性能,跨导、饱和漏电流密度、阈值电压、电...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 通过优化张应变量子阱外延结构和设计线列阵双沟道深隔离槽腐蚀工艺,采用低压金属有机化学气相沉积法(LP-MOCVD)生长了GaAsP/GalnP/AlGaInP单量子阱分别限制异质结激光器材料...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 提出了基于多光刻胶有效扩散长度的光学临近效应修正模型校准方法,其考虑了一维和二维图形之间光刻胶有效扩散长度的不同.该方法的一个重要步骤在于建立起全新的校准流程,使得一维图形和二维图形具有相同...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 提出了一种基于新型算法SGLMS-CMA的高速QAM均衡器.SGLMS-CMA算法在stop-and-go原理指导下结合了经典CMA算法和DD-LMS算法.MATLAB仿真表明,与经典CMA...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 介绍了一个采用改进型1.5位/级结构的10位100MHz流水线结构模数转换器.测试结果表明,模数转换器的信噪失真比最高可以达到57dB,在100MHz输入时钟下,输入信号为57MHz的奈奎斯...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 考虑到温度和工艺参数浮动的影响,对休眠双阈值footed多米诺电路的漏电流特性进行了系统的量化研究和比较,得到了不同温度下的最佳休眠状态.基于65和45nm BSIM4模型的HSPICE仿真...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 利用水热法合成花状的ZnO纳米棒,并对其进行X射线衍射(X-ray diffraction,xRD)与扣描电子显微镜(scanning electron microscope,SEM)表征....
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在康宁7101型普通玻璃衬底上沉积了高度C轴择优取向的多晶GaN薄膜.利用反射高能电子衍射(RHEED),...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 研究了SiN钝化前利用感应耦合等离子体(ICP)对AlGaN/GaN HEMT表面进行NF3等离子体处理对器件性能的影响.结果表明,运用低能量的NF3等离子体处理钝化前的AlGaN/GaN ...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 基于GaN转移电子器件最基本的工作模式--畴渡越时间模式,计算了GaN转移电子器件的理想最高振荡频率,得到该类型微波转移电子器件的最高振荡频率可达4.7THz,接近GaAs转移电子器件最高振...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 在有源寻址有机发光二极管(active matrix organic light emitting diode,AM-OLED)显示基板中,将电学功能层--薄膜晶体管(thin film t...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 研究了有机交叉点存储器件中,有机物与电极界面化学反应形成的纳米颗粒对电学特征的影响.器件的阳极和阴极分别为氧化铟锡(ITO)导电玻璃和真空热蒸发沉积的～薄膜,有机半导体层为真空热蒸发沉积的2...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 针对Si基双极型低噪声放大器(LNA),用脉冲调制150MHz射频信号在其输入端进行了能量注入实验,研究结果表明Si基LNA的噪声系数和增益特性都足注人能最的敏感参数.样品解削和电路仿真显示...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 利用ICP对研制的SiC衬底上AlGaN/GaN HEMT刻蚀获得了深度为50μm的接地通孔.器件通孔制作前首先用机械研磨的方法将衬底减薄至50μm,在背面蒸发Ti/Ni并电镀Ni至3μm作...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 本文在不同条件下进行了选择性氧化实验,从中获得被氧化样品的微观结构图片和不同氧化深度处的各组分含量.由于氧化速率主要受扩散控制的影响,因而本研究运用扩散动力学方法对实验结果进行分析.所推导出...
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24. 新型低压高效叠层有机白光器件刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 以Bphen:Li/WO3作为电荷产生层制备了低压、高效有机叠层白光器件.实验中,首先在器件中引入高导电性的载流子注入和传输层,有效降低了器件的驱动电压,然后通过电荷产生层垂直堆叠两个低压白...
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25. 槽式聚光太阳能系统太阳电池阵列刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 基于槽式聚光太阳能系统分别对单晶硅电池阵列、多品硅电池阵列、空间太阳电池阵列和砷化镓电池阵列进行测试实验.结果表明,聚光后,前3种电池阵列的Ⅰ-Ⅴ曲线都趋于直线,输出功率急剧减少,系统效率下...
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26. 一种具有隔振框架的解耦硅微陀螺刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 提出了一种利用隔振框架解耦的硅微陀螺,其驱动模态和检测模态不仅有各自独立的支撑结构,还有各自独屯的惯性质量块,隔振框架隔离了驱动结构和检测结构,减小了模态之间的交叉耦合;利用TMAH湿法腐蚀...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 为了在节点化设计方法中对静电驱动的蝴蝶结状双端同支梁进行分析,采用伽辽金残余法建立了静电驱动梯形梁单元的节点化模型,在HSpice中构建了相应的等效电路模型.与有限元仿真结果及文献中给出的实...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 设计、制作了几种基于MMIC工艺的片上LC低通/带通滤波器并进行了测试.测试结果表明,一个3nH的MMIC电感在6.8GHz下品质因数达到13.8.自谐振频率达到15.5GHz;制作的LC低...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 提出了一种pn混合下拉网络技术,即在多米诺门的下拉网络中混合使用pMOS管和nMOS管来降低电路的功耗并提高电路的性能.首先,应用此技术设计了多米诺异或门,与标准的n型多米诺异或门相比,新型...
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30. 投稿须知刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年12期页码:摘要：
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
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| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
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