论文降重
免费查重- 钛学术文献服务平台 \
- 学术期刊 \
- 工业技术期刊 \
- 无线电电子学与电信技术期刊 \
- 半导体学报(英文版)期刊 >
半导体学报(英文版)2008年第3期出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
总被引数（次）
35317
半导体学报(英文版)
分享
投稿
本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
总被引数（次）
35317
分享
文章浏览
目录
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 研究了原位退火对用氢化物外延方法在(0001)面蓝宝石衬底上生长的氮化镓(GaN)外延薄膜的结构和光学性能的影响.测试表明,氨气气氛下在生长温度进行的原位退火,明显提高了GaN外延膜的质量....
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 基于65nm CMOS工艺,综合考虑电容耦合与电感耦合效应,提出了一种互连线耦合串扰分布式RLC解析模型.采用函数逼近理论与降阶技术,在斜阶跃输入信号下,提出了被干扰线远端的串扰数值表达式....
-
3. 一种新型电容式压力传感器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 提出了一种新的电容式压力传感器.传感器结构为由Al/SiO2/n-type Si等三层方形膜构成的固态电容.传感器采用pn结自停止腐蚀和粘结剂键合的方式制造,制造过程仅需三块掩模板.对不同边...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 提出了一种适用于无源超高频射频识别标签的低电压低功耗射频/模拟前端电路.通过引入一个使用亚阈值技术的基准源,电路实现了温度补偿,从而使得系统时钟在～40～100℃的范围内保持稳定.在模块设计...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 研究了在外加电场作用下无限深GaAs半导体量子阱中束缚磁极化子的性质,采用线性组合算符及幺正变换方法导出了量子阱中弱耦合束缚磁极化子的基态能量与阱宽、电场强度、磁感应强度、库仑束缚势的变化关...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 基于对称性分析,应用KP微扰理论确定了应变Si1-xGex(0≤x<0.45)/(001),(111),(101)Si的△i能谷附近的色散关系.结果证明:应变Si1-xGx中的△i能级大小不...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 提出了一种适用于按比例缩小至亚10nm的圆柱体全包围栅场效应管.报道了圆柱体全包围栅场效应管器件物理分析、技术仿真结果以及器件制作详细工艺流程.与其他常规鳍形场效应管器件(FinFET)相比...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 研究了界面态对4H-SiC MESFET的肖特基栅接触的影响.栅接触工艺主要采用Ti/Pt/Au蒸发,经过剥离后形成.基于热电子理论提出了一种参数提取方法,得到界面态密度和界面电容分别为4....
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 研究了静电感应晶闸管的反向转折特性.当工作在正向阻断态的阳极电压增大到某一临界值时,静电感应晶闸管的Ⅰ-Ⅴ曲线呈现出反向转折特性,甚至转向导通态.在综合考虑了工作机理、双注入效应、空间电荷效...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 详细讨论了基于CMOS工艺宽带片上巴伦的实现.首先分析了应当采用的结构及参数化版图.然后给出了一个宽带集总元件等效电路模型,该模型考虑了各种必须考虑的物理效应.通过采用物理公式与优化拟合相结...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 采用金刚石膜电极的电化学方式在专用水基清洗剂中不断产生强氧化剂过氧焦磷酸根离子(P2O4-8),并将此方式作为金刚石膜电化学清洗工艺步骤的第一步,用于氧化去除硅片表面的有机沾污.通过与RCA...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 介绍了一种制作栅介质的新工艺--原位水汽生成工艺.基于Deal-Grove模型提出了原位水汽生成过程中活性氧原子和硅一硅键反应形成硅氧硅键的氧化模型,并通过MOS电容结构对原位水汽生成和炉管...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 介绍了一个采用多种电路设计技术来实现高线性13位流水线A/D转换器.这些设计技术包括采用无源电容误差平均来校准电容失配误差、增益增强(gain-boosting)运放来降低有限增益误差和增益...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 为改善周期精确级功耗分析的准确度和速度问题,使用多维特征参数建立贝叶斯推理的动态功耗模型.基于功耗分布与电路内部节点状态的分析,发现仅使用端口信息作为参数的不足.定义了门单元级数的计算和对应...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 提出一种新的低成本射频识别标签模拟前端,同时兼容ISO 14443A和ISO 14443B协议.相比于传统模拟前端,本设计采用面积更小的单线圈天线代替传统大面积多圈天线,使得标签的封装成本大...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 提出了一种可以在915MHz ISM频带下工作的、符合ISO/IEC 18000-6B标准的无源UHF RFID应答器的阻抗匹配方法.该UHF RFID应答器具有复数阻抗并从射频电磁场接收能...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 用阴极射线致发光(CL)法、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)法研究了异质外延GaN材料的发光性质与结构特性的关系.结果表明,GaN外延层中的穿透位错是材料有效的非辐射复合中心,...
-
18. 氢化对ZnO发光性质的影响刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 通过低温光致发光(PL)谱研究氢化对ZnO发光性质的影响.氢通过一个直流等离子体发生装置引入到ZnO晶体.研究发现氢的引入影响了束缚激子的相对发光强度,特别是氢化以后I4峰(3.363eV)...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 使用气相沉积SiO2和普通光刻以及湿法腐蚀方法,在C面蓝宝石上开出不同尺寸的正方形窗口,在窗口区域中露出衬底,然后使用氢化物气相外延(HVPE)方法选区外延GaN薄膜.采用光学显微镜、原子力...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 对红外透射光谱法测定HgCdTe液相外延材料纵向组分分布技术进行了深入的研究.红外透射光谱的理论计算采用了王庆学提出的组分分布模型,并考虑了光穿越组分梯度区时产生的干涉效应.通过测量同一样品...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 用透射电子显微镜对Si衬底生长GaN/InGaN多量子阱材料进行横断面测试,在衬底和缓冲层区域进行高分辨电子显微成像(HRTEM)、电子衍射衬度成像、选区电子衍射成像,在量子阱附近区域进行了...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 采用HWCVD技术在p型CZ晶体硅衬底上制备了纳米硅/晶体硅异质结太阳电池,测量了晶体硅表面在不同氢处理时间下的异质结的暗Ⅰ-Ⅴ特性和相应的电池性能参数.室温下的正向暗Ⅰ-Ⅴ特性采用双二极管...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 研制成功具有场板结构的AIGaN/GaN HEMT器件,对源场板、栅场板器件的性能进行了分析.场板的引入减小了器件漏电和肖特基漏电,提高了肖特基反向击穿电压.源漏间距4靘的HEMT的击穿电压...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 在蓝宝石上用MOCVD生长的材料制备了背入射Al0.42Ga0.58N/Al0.40Ga0.60N异质结p-I-n太阳光盲紫外探测器.从器件的正向Ⅰ-Ⅴ特性曲线计算了理想因子n与串联电阻Rs...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 针对碳纳米管(CNT)场发射阴极薄膜中,CNT个体差异及其与衬底的不良接触对发光均匀性的影响,引入反馈限流电阻层以改善阴极薄膜的场发射发光均匀性.采用丝网印刷工艺在衬底上制备氧化锌作为电阻限...
-
26. 铒镱共掺波导放大器的增益特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 在忽略放大自发辐射(ASE)及均匀掺杂和稳态的情况下,在初始能量转移效率的基础上从速率方程和传输方程出发,推导出了用于分析铒镱共掺波导放大器(EYCDWA)的新公式.利用这些公式分析了泵浦光...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 采用低摆幅低交叉点的高速CMOS电流开关驱动器结构和中心对称Q2随机游动对策拓扑方式的pMOS电流源阵列版图布局方式,基于TSMC 0.18靘 CMOS工艺实现了一种1.8V 10位120M...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 提出了一种应用于电流型DC-DC转换器的自适应斜坡补偿电路.在分析斜坡补偿原理的基础上,提出了一种动态的斜坡补偿方法.该方法利用跨导线性环电路对补偿电流信号进行叠加,无需外加引脚引入输出电压...
-
29. 模拟集成电路参数型故障定位方法刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 针对模拟集成电路参数型故障的测试难题,提出了定位模拟集成电路参数型故障的功率谱相关分析方法.利用小波滤波器组对被测电路响应进行子带滤波后,计算子带响应序列的相干函数.通过对以相干函数序列表征...
-
30. 投稿须知刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要：
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
被引趋势
(/次)
(/年)
学科分布
研究主题
推荐期刊
- 期刊分类
- 最新期刊
- 期刊推荐
- 相关期刊
一般工业技术
交通运输
军事科技
冶金工业
动力工程
化学工业
原子能技术
大学学报
建筑科学
无线电电子学与电信技术
机械与仪表工业
水利工程
环境科学与安全科学
电工技术
石油与天然气工业
矿业工程
自动化技术与计算机技术
航空航天
轻工业与手工业
金属学与金属工艺
安徽电子信息职业技术学院学报
半导体光电
半导体光子学与技术(英文版)
半导体技术
半导体学报(英文版)
北京电子
电信建设
北京通信之窗
吉林大学学报(信息科学版)
重庆邮电大学学报(自然科学版)
湖南邮电职业技术学院学报
磁性材料及器件
电波科学学报
电声技术
电讯技术
电子学报
电子学报(英文)
电力电子
电力系统通信
电路与系统学报
电气电子教学学报
电视技术
影视制作
电信工程技术与标准化
电信交换
