基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
推荐文章
1.0μm栅长GaAs基MHEMT器件及SPDT开关MMIC
MHEMT
Pt/Ti/Pt/Au
Ti/Pt/Au
SPDT
MMIC
GaAs MMIC可靠性研究与进展
砷化镓器件
单片微波集成电路
可靠性
失效
宽带GaAs MMIC功率放大器的设计
宽带
MMIC
功率
HFET
有耗匹配
DC-20GHz射频MEMS开关
微电子机械系统
射频开关
宽带
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 高性能DC-20 GHz反射型GaAs MMIC SPST和SPDT开关
来源期刊 固体电子学研究与进展 学科
关键词
年,卷(期) 2000,(2) 所属期刊栏目 研究简讯
研究方向 页码范围 234
页数 1页 分类号
字数 769字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-3819.2000.02.017
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈堂胜 56 225 8.0 12.0
2 陈继义 18 66 4.0 6.0
3 李拂晓 60 352 10.0 14.0
4 陈效建 40 253 9.0 14.0
5 李辉 17 105 6.0 10.0
6 戴永胜 17 48 4.0 6.0
7 俞土法 13 36 3.0 5.0
8 岑元飞 6 26 3.0 5.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (0)
节点文献
引证文献  (3)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
2000(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
2003(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
2013(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
2014(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
固体电子学研究与进展
双月刊
1000-3819
32-1110/TN
大16开
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东路524号)
1981
chi
出版文献量(篇)
2483
总下载数(次)
5
总被引数(次)
9851
论文1v1指导