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薄膜金属化LTCC基板的薄膜阻碍层对共晶焊的影响
薄膜金属化LTCC基板的薄膜阻碍层对共晶焊的影响
作者:
吴申立
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
LTCC基板
薄膜金属化
共晶焊
阻碍层
剪切强度
摘要:
讨论了LTCC基板薄膜金属化技术中,有效阻碍层的选择对基板共晶焊的影响,实验结果表明,Ti/Ni是一种高可靠性的阻碍层,而且Ti/Ni/Au也是一种较理想的LTCC基板薄膜金属化结构。
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文献信息
篇名
薄膜金属化LTCC基板的薄膜阻碍层对共晶焊的影响
来源期刊
电子工艺技术
学科
工学
关键词
LTCC基板
薄膜金属化
共晶焊
阻碍层
剪切强度
年,卷(期)
2001,(2)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
71-73
页数
3页
分类号
TN44
字数
1428字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1001-3474.2001.02.008
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
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1
吴申立
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6
2.0
2.0
传播情况
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2019(2)
引证文献(2)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
LTCC基板
薄膜金属化
共晶焊
阻碍层
剪切强度
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子工艺技术
主办单位:
中国电子科技集团公司第二研究所
出版周期:
双月刊
ISSN:
1001-3474
CN:
14-1136/TN
开本:
大16开
出版地:
太原市115信箱
邮发代号:
22-52
创刊时间:
1980
语种:
chi
出版文献量(篇)
2306
总下载数(次)
10
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