高隔离度S波段MEMS膜桥开关

• 作者: 周百令 张龙 朱健 贾世星 郁元卫 陆乐
• 来源期刊: 固体电子学研究与进展
• 学科: 工学
• 关键词: 微机电系统 射频开关 高隔离度
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 所属期刊栏目: 微电子机械系统
• 页码范围: 64-67
• 页数: 4页
• 分类号: TN4
• 字数: 1690字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3819.2004.01.013

摘要

常规的MEMS膜桥开关在10 GHz以上频段才具有低插损、高隔离度(＞20 dB)的优点.文中介绍了一种应用于微波低频段--S波段的高隔离MEMS膜桥开关,给出了开关的设计与优化方法,建立了开关的等效电路模型.通过双膜桥结构、选择高介电常数的介质膜、微电感结构膜桥这些措施,达到提高开关隔离度的目的.利用HFSS软件仿真的结果表明,该开关在微波低频段(3～6 GHz)有着很好的隔离性能.开关样品在片测试的电性能指标:插损＜0.3 dB,隔离度＞40 dB,驱动电压＜20 V.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱健	东南大学仪器科学与工程系	43	318	11.0	16.0
3	贾世星		20	158	8.0	11.0
4	周百令	东南大学仪器科学与工程系	106	1086	17.0	23.0
7	郁元卫		20	101	6.0	9.0
8	陆乐		5	52	4.0	5.0
9	张龙		7	66	4.0	7.0