VLSI芯片制备中的多层互连新技术

• 作者: 成立 李加元 李华乐 李岚 王振宇
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路 铜互连 低k介质 双嵌入(双大马士革)工艺 淀积 化学机械抛光
• 年，卷（期）: 2006,（11）
• 所属期刊栏目: 制造技术
• 页码范围: 839-842
• 页数: 4页
• 分类号: TN4
• 字数: 3272字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2006.11.011

摘要

在简要介绍多层互连材料的基础上,论述了若干种IC芯片制备中的多层互连技术,包括"Cu线+低k双大马士革"多层互连结构、平坦化技术、CMP工艺、"Cu+双大马士革+低k"技术、插塞和金属通孔填充工艺等,并提出了一些多层互连工艺中的关键技术措施.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	成立	江苏大学电气与信息工程学院	168	1567	21.0	32.0
2	王振宇	江苏大学电气与信息工程学院	81	628	15.0	21.0
3	李岚	江苏大学电气与信息工程学院	20	221	9.0	14.0
4	李加元	江苏大学电气与信息工程学院	9	97	5.0	9.0
5	李华乐	江苏大学电气与信息工程学院	8	87	5.0	8.0