SiC MESFET工艺在片检测技术

• 作者: 商庆杰 李亮 杨霏 潘宏菽 陈昊 霍玉柱
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 金属.半导体场效应晶体管 检测 干法刻蚀 比接触电阻率
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 封装、测试与设备
• 页码范围: 1095-1099
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.07
• 字数: 1552字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.12.013

摘要

介绍了SiC MESFET芯片加工工艺中的主要在片检测技术,包括芯片表面情况判定、干法刻蚀的监浏、等平面工艺的辅助测试、欧姆接触比接触电阻值的测试以及各种中间测试技术.芯片表面情况判定主要通过显微镜观察表面形貌、原子力显微镜测表面均匀性以及扫描电镜观察形貌以及组分分析.干法刻蚀的监测主要通过台阶仪结合椭偏仪实现,即保证了干法刻蚀按预想的深度刻蚀也验证了材料结构的参数.通过TLM图形测试的比接触电阻值可以确保良好的欧姆接触,减小器件的串联电阻,提高器件的电流处理能力,为实现高功率输出奠定基础.通过台阶仪测量和显微镜观察实现的等平面工艺大大提高了器件的性能,微波功率提高30%左右,增益提高1.5 dB以上,功率附加效率提高接近10%.