6H-和4H-SiC功率VDMOS的比较与分析

• 作者: 张娟 徐俊平 杨银堂 柴常春
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 6H-碳化硅 4H-碳化硅 功率纵向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 器件制造与应用
• 页码范围: 133-136
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2287字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.02.011

摘要

采用二维器件模拟器ISE TCAD 7.0,对比研究了6H-SiC和4H-SiC VDMOS的基本特性.结果表明,在Vgs为8 V时,4H-SiC VDMOS的漏极电流比6H-SiC高约1.5倍,证实了4H-SiC具有较高的体迁移率,且受准饱和效应的影响较小,因此比6H-SiC器件具有更高的饱和电流密度,而两种器件的阈值电压基本相同,均为7 V左右.对器件开关时间和单位面积损耗的分析表明,4H-SiC比6H-SiC更适合用于VDMOS功率器件.此外,还研究了沟道长度对器件漏极饱和电流的影响,结果表明,随着沟道长度的减小,器件的漏极电流增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂		32	202	6.0	13.0
2	柴常春		2	3	1.0	1.0
3	张娟		1	3	1.0	1.0
4	徐俊平		1	3	1.0	1.0