n型SiC极性面对欧姆接触性质的影响

• 作者: 徐明升 徐现刚 王翎
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: n型碳化硅 碳面和硅面 欧姆接触 Ⅰ-Ⅴ曲线 比接触电阻
• 年，卷（期）: 2014,（9）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 694-698
• 分类号: TN304.24
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.09.012

摘要

研究了n型碳化硅(SiC)极性表面、载流子浓度和退火温度对欧姆接触的影响,测试了不同样品的电流-电压曲线,并通过传输线方法计算比接触电阻.对于SiC衬底的硅面,GeNiTiAu合金材料的欧姆接触特性最好;而对于碳面,TiAu合金材料的接触电阻最小.衬底载流子浓度由1.5×1017cm-3逐步提高到2.0×1018 cm-3,金属与n型SiC衬底硅面的接触由肖特基接触变为欧姆接触,欧姆接触电阻随着栽流子浓度的提高而明显降低.GeTiAu舍金与SiC衬底硅面的接触电阻随着退火温度的提高非单调降低,900℃为最优退火温度.原子力显微镜结果显示,退火后样品表面粗糙度明显提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐现刚		77	407	10.0	16.0
2	王翎		5	9	2.0	3.0
3	徐明升		5	14	3.0	3.0