溅射AlN技术对GaN基LED性能的影响

• 作者: 张洁
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaN基发光二极管(LED) 图形化蓝宝石衬底(pss) 磁控溅射 AlN薄膜 位错
• 年，卷（期）: 2017,（9）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 706-710
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.055|TN312.8
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.09.011

摘要

研究了在图形蓝宝石衬底(PSS)上利用磁控溅射制备AlN薄膜的相关技术,随后通过采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)在相关AlN薄膜上生了长GaN基LED.通过一系列对比实验,分析了AlN薄膜的制备条件对GaN外延层晶体质量的影响,研究了AlN薄膜溅射前N2预处理功率和溅射后热处理温度对GaN基LED性能的作用机制.实验结果表明:AlN薄膜厚度的增加,导致GaN缓冲层成核密度逐渐升高和GaN外延膜螺位错密度降低刃位错密度升高;N2处理功率的提升会加剧衬底表面晶格损伤,在GaN外延膜引入更多的螺位错;AlN热处理温度的升高粗化了表面并提高了GaN成核密度,使得GaN外延膜螺位错密度降低刃位错密度升高;而这些GaN外延膜位错密度的变化又进一步影响到LED的光电特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张洁		1	3	1.0	1.0