InGaP/GaAs HBT器件的制备及其特性

• 作者: 何先良 周国 孙希国 崔玉兴 杜光伟 谭永亮
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT) InGaP钝化 直流增益 射频微波特性 表面复合
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 279-282,320
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.26|TN322.8
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.04.007

摘要

采用在发射区台面腐蚀时保留InGaP钝化层和去除InGaP钝化层的方法制备了两种InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)器件,研究了InGaP钝化层对HBT器件基区表面电流复合以及器件直流和射频微波特性的影响.对制备的两种器件进行了对比测试后得到:保留InGaP钝化层的HBT器件最大直流增益(β)为130,最高振荡频率(fmax)大于53 GHz,功率附加效率达到61％,线性功率增益为23 dB;而去除InGaP钝化层的器件最大β为50,fnax大于43 GHz,功率附加效率为57％,线性功率增益为18 dB.测试结果表明,InGaP钝化层作为一种耗尽型的钝化层能有效抑制基区表面电流的复合,提高器件直流增益,改善器件的射频微波特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙希国	中国电子科技集团公司第十三研究所	6	29	2.0	5.0
2	崔玉兴	中国电子科技集团公司第十三研究所	30	88	6.0	8.0
3	杜光伟	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	5	2.0	2.0
4	谭永亮	中国电子科技集团公司第十三研究所	3	16	2.0	3.0
5	周国	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	2	1.0	1.0
6	何先良	中国电子科技集团公司第十三研究所	3	16	2.0	3.0