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半导体技术2007年出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 利用范德堡Hall方法和汞探针C-V方法,研究了不同Si调制掺杂浓度对AlGaN/GaN HEMT材料电学性质的影响.发现si掺杂可以改善材料电学性能,二维电子气(2DEG)面密度和方块电阻...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 采用溶胶-凝胶旋涂法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基底上成功地沉积出(Bi,Yb)4Ti3O12[Bi3.4Ybo.6Ti3O12,BYT]铁电薄膜.系统地研究了退火温度对...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 介绍了一种较为先进的光罩可制造性规则检查的方法及其系统构成.实验结果表明,通过整合各种EDA工具,在光罩检验前就可发现这些可能给光罩检验造成困难的图形,为后续光罩检验步骤提供参考,显著提高了...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 电路软核因费用较低和使用灵活而得到越来越多的应用,但目前的大部分加密方式不适合软核.介绍了一种适用于软IP核设计开始时采用的数字水印嵌入方法,并以4-2编码器为例说明数字水印嵌入软核的方法,...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 针对某SOC中嵌入的8K SRAM模块,讨论了基于March C-算法的BIST电路的设计.根据SRAM的故障模型和测试算法的故障覆盖率,研究了测试算法的选择、数据背景的产生,并完成了基于M...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年3期页码:摘要： CPCI总线为不同应用的高速数字系统提供了一个通用、开放的平台,它充分发挥了PCI总线的高性能、低成本、通用操作系统等特点,而LVDS接口技术无疑也将成为解决高速数字系统数据传输的首选方案....
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67. 半导体器件的贮存寿命刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 从失效机理出发,探讨了半导体器件的贮存寿命,提供了三种美国军用半导体器件长期贮存的实例.介绍了俄罗斯的规范,建议对超期复验中的有效贮存期作必要的修订.
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68. 发光二极管失效分析刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 基于发光二极管(LED)所具有的特点,系统地总结出一套发光二极管失效分析方法,并给出了几个典型失效分析案例,简要阐述了失效分析过程中的注意事项.通过失效分析,进一步优化和改善了LED的制造技...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 亚像素算法是一种高精度的边缘检测算法.分析了亚像素边缘检测的原理及现有算法的优缺点,根据现有用亚像素对表面贴装元器件图像检测的算法,提出了三次样条插值的亚像素算法进行边缘提取.通过实验比较,...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 通过分析焊接缺陷X射线检测方法的现状和目前存在的主要问题,针对缺陷图像的模糊特点和实际应用的要求,提出了一种基于动态合并准则的分水岭分割方法.阐述了在分水岭算法的基础上做的一些改进,其内容是...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 从喷射器出口端积聚的胶液体积及其平均流速,对胶滴形成及其特性具有重要的影响.喷射器出口胶液的流量是时刻变化的,导致在喷嘴出口端积聚的胶液体积及其平均流速不断变化.分别建立了牛顿流体和非牛顿流...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年3期页码:摘要：
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73. 产业新闻刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年3期页码:摘要：
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 研究总结了功率MOSFET器件与BJT器件相比的发展优势.介绍了作为VDMOSFET进一步发展的新型器件Trench MOSFET研究提出的背景及意义,并从其基本结构出发阐述了TrenchM...
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75. 光子射频移相器研究与进展刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 光子射频移相器是光控相控阵的关键器件,近几年引起了广泛的关注.介绍了基于光实时延迟线、基于外差混频技术和基于矢量和技术的光子射频移相器,对其工作原理和技术特点作了分析.集成光学技术的发展将推...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 为更好地实现晶圆企业的绩效指标,与传统半导体生产优化研究方法不同,以生产线平衡为优化目标,提出了一个多重入晶圆复杂制造系统在线优化调度系统(OOSS).该系统融合了生产线平衡思想、Drum-...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 在非掺杂LEC(liquid encapsulated Czochralski)半绝缘GaAs晶体中碳和硼是主要的残留杂质,这两种杂质影响衬底的半绝缘性能和制造的器件性能.在分析GaAs中碳...
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78. VB-GaAs单晶生长技术刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 半导体GaAs单晶材料通常用于制作激光二极管和高亮度发光二极管.对于激光二极管而言,特别需要低位错材料.简要阐述了垂直布里奇曼(VB)法生长GaAs单晶材料的动力学原理及VB-GaAs单晶的...
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79. 硅片纳米微粒清洗洁净新技术刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 随着半导体技术的不断发展,集成电路的线宽正在不断减小,对硅片表面质量处理的要求也就越来越高.传统的湿法清洗已经不能满足要求,故必须研发新的微粒清洗方法.简述了硅片表面污染物杂质的类型、传统的...
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80. 高阻真空区熔硅单晶的生长刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 介绍了高阻真空区熔硅单晶的研制工艺,研制出了导电类型为p型,电阻率(3～5)×103 Ω·cm及(1～2)×104Ω·cm两种规格的真空区熔硅单晶,其中电阻率(3～5)×103Ω·cm规格单...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 通过理论计算与CAD的优化仿真实现了一种基于GaAs MESFET微波固态振荡器.电路结构简单、工程实用性强,且易于集成化.由实际测试表明,振荡器的中心频率为4.54 GHz,输出功率为14...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 从理论上分析了近似计算所引起的SiC基MOSFET两个重要参数阈值电压和沟道电流的误差.结果显示,在很多情况下近似计算都会带来很大的误差(＞5%),尤其对于沟道电流,在大部分情况下误差很大,...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 介绍了建模软件的结构和采用的新模拟方法,详细阐述了建模软件中所采用的模型以及方程,利用自主开发的窄脉冲测试系统测试GaN HEMT器件的Ⅰ-Ⅴ特性,并用国外先进仪器测试S参数,准确地建立Ga...
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84. ps级任意整形脉冲发生器刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 任意形状激光束需要有一个相应的形状任意可调的电脉冲.在各种任意脉冲产生技术中,FET行波结构可以达到较好的结果.采用20节GaAs FET行波结构,300 ps的触发脉冲经过多个250 ps...
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85. 多层金属化系统中的蓄水池效应刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 对于W通孔多层金属化系统来说,金属离子蓄水池效应对其电迁移寿命的影响很大.设计了12种不同的蓄水池结构,并进行电迁移实验;考察了蓄水池面积、通孔位置、数目及大小等对互连线的电迁移寿命的影响,...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 光刻工艺导致的IC晶片制造中缺陷种类多样,丢失物和冗余物缺陷是影响成品率下降的重要原因,其主要造成电路开路和短路.提出一种基于骨架特征的IC晶片丢失物和冗余物缺陷短路故障机器视觉识别方法,应...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 嵌入式串行EEPROM存储器已成为当今许多片上系统解决方案的一个重要组成部分.本研究以以太网接口卡芯片中EEPROM的嵌入式应用开发为例,介绍和提供了一种嵌入式系统中串行EEPROM的接口和...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 采用微波薄膜混合集成电路工艺设计并实现了一种砷化镓场效应管电压可变衰减器,在DC～20 GHz带宽内插入损耗小于3 dB,最大衰减量22 dB,输入输出端口驻波比小于2.0,衰减动态范围在1...
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89. 深亚微米SOC芯片分层设计方法刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 根据深亚微米SOC设计的特点和需求,提出了一种新的基于模块的全芯片分层设计方法,它把系统架构、逻辑设计以及物理实现有机结合到一起.通过渐进式时序收敛完成芯片的层次规划,并最终达到一次实现芯片...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 提出了一种仅用电流反馈放大器(current feedback amplifier,CFA)实现的高阶电压模式低通滤波器,给出了系统的设计公式.给出了4阶Butterworth低通滤波器应用...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
半导体技术评价信息
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
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