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半导体技术期刊
出版文献量（篇）
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄179信箱46分箱
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  • 1. 掺Al ZnO柔性透明导电薄膜研究进展
    作者： 刘云燕 刘汉法 张化福 袁玉珍
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年6期
    页码:  461-465
    摘要： 柔性透明导电薄膜ZAO具有优异的光电性能且资源丰富、成本低、对环境无污染,成为当前的研究热点.总结了近年来对柔性衬底材料处理的方法,分析了柔性透明导电薄膜的研究历史和现状.介绍了柔性透明导电...
  • 2. 倒装片可修复底部填充材料的研究现状及发展
    作者： 于鲲 梁彤祥 郭文利
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年6期
    页码:  466-469
    摘要： 有机基板上的倒装芯片一般采用底部填充技术以提高其封装的可靠性.有缺陷的芯片在倒装后难以进行返工替换,使得倒装芯片技术成本提高,限制了此技术的应用.提出新型可修复底部填充材料的开发成为解决这一...
  • 3. SiC化学机械抛光技术的研究进展
    作者： 于妍 李响 杨洪星 许德洪
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年6期
    页码:  470-472
    摘要： 介绍了半导体材料SiC抛光技术的发展及直接影响器件成品率的衬底材料几何参数和表面质量因素.讨论了SiC化学机械抛光方法(CMP),包括磨削、粗抛和精抛三个过程,其中粗抛又分重压和轻压两个过程...
  • 4. 840 nm VCSEL阵列湿法氧化研究
    作者： 侯立峰 冯源 姜晓光 谢浩锐 赵英杰 郝永芹 钟景昌
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年6期
    页码:  473-476
    摘要： 湿法氧化工艺已经成为制备垂直腔面发射激光器(VCSEL)及其阵列的关键技术,为提高器件的散热性能,对单元器件采用环行分布孔的氧化窗口,优化设计了分布孔的数目与间距.同时从瞬态热传导方程对构成...
  • 5. 高性能S波段Si微波脉冲功率晶体管研制
    作者： 刘英坤 崔现锋 张鸿亮 李明月 潘茹 胡顺欣 邓建国 马红梅
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年6期
    页码:  477-479
    摘要： 采用等平面自对准工艺技术研制成功的一种高增益、高效率和高可靠的S波段Si微波脉冲功率晶体管,该器件在f0为3.1～3.4 GHz、Vcc=32 V、Pw=500μs、D=10%条件下共基极C...
  • 6. TCAD技术及其在半导体工艺中的应用
    作者： 冯彬 尹胜连
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年6期
    页码:  480-482
    摘要： 阐述了计算机辅助设计技术(TCAD)的应用发展历程,介绍了相关软件(TSUPPREM4、MEDICI)的原理及功能.分别对以改善pn结边缘曲率效应,提高结击穿电压为目的功率器件结终端结构--...
  • 7. Mn掺杂GaN粉末的制备和性质研究
    作者： 侯登录 刘清华 周鸿娟 李秀玲 赵瑞斌 郭俊梅
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年6期
    页码:  483-487
    摘要： 利用溶胶.凝胶法制备了不同Mn质量分数(0%～7%)的GaMnN粉体样品.经XRD检测所有样品均为六角纤锌矿结构,没有发现第二相,而且晶格常数随Mn质量分数的增加而增加.光致发光谱(PL)结...
  • 8. 无酸水热法制备多孔硅及其PⅢ表面改性
    作者： 卢茜 吴子景 吴晓京 李慧
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年6期
    页码:  488-491,494
    摘要： 采用无酸水热法,制备了多孔硅材料.使用扫描电子显微镜、原子力显微镜等手段观察了样品表面形貌,比较了在不同氧化铋刻蚀剂量下得到的多孔硅结构,发现随着刻蚀剂浓度的增加,平均孔径尺寸变大,且孔径分...
  • 9. 快速退火在提高芯片背金质量中的应用
    作者： 侯海峰
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年6期
    页码:  492-494
    摘要： 论述了芯片背面蒸金在管式合金炉合金后存在的质量问题,通过分析影响焊接质量的原因,提出用快速退火炉合金代替传统的管式合金炉合金,并优化合金温度和时间,最终找出合适的工艺条件,彻底解决了背金质量...
  • 10. 半导体洁净室内分子级污染物的控制方法
    作者： 周金锋
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年6期
    页码:  495-496,500
    摘要： 对洁净室内分子级污染物(AMC)的分类、取样监测方法以及针对不同制程所采用通用的污染控制方法进行了较为全面的归纳和总结.对不同类型的污染源头进行分类识别,并举出实例.给出了几种控制污染的方法...
  • 11. 超声换能系统电特性实验研究
    作者： 姚钢 韩雷
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年6期
    页码:  497-500
    摘要： 超声换能系统是引线键合设备的核心部件,对其工作特性的深入了解有助于理解引线键合过程.通过实验,观察分析了超声引线键合过程中不同劈刀安装长度对换能系统电流、电压及功率的影响,发现电流及功率在不...
  • 12. 基于LSSVM的威布尔分布形状参数估计
    作者： 姚若河 邹心遥
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年6期
    页码:  501-505
    摘要： 固态介质击穿寿命特性通常用威布尔分布来描述,形状参数卢反应了固态介质的失效特征,因而需要精确估计β值.提出了在小样本情况下基于最小二乘支持向量机(LSSVM)的参数评估方法,并给出了LSSV...
  • 13. 低电压低功耗密勒OTA仿真设计
    作者： 伊廷荣 成立 植万江 王玲 范汉华
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年6期
    页码:  506-509
    摘要： 设计了一种电源电压低于阈值电压的低电压、低功耗、输入/输出全摆幅的密勒运算跨导放大器(OTA),采用衬底驱动差分对和直流电平偏移技术,使MOS器件工作在亚闲值区,降低了对电源电压VDD的要求...
  • 14. 锁相环电荷泵稳定性研究
    作者： 叶青 吴永俊
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年6期
    页码:  510-513
    摘要： 建立了锁相环中电荷泵模型,对比无补偿和Cr补偿下电路的稳定裕度,提出了一种新的改善电荷泵稳定性的RcCc补偿方法,应用这种方法设计了一款高摆幅、低电流失配的电荷泵.电路采用HJTC 0.18...
  • 15. 0.8～8.5 GHz宽带单片低噪声放大器
    作者： 吴洪江 张务永 柳现发 王德宏 王绍东
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年6期
    页码:  514-516,519
    摘要： 利用负反馈放大器设计原理,采用GaAs PHEMT工艺技术,设计制作了一种微波宽带GaAs PHEMT低噪声放大器芯片,并给出了详细测试曲线.该放大器由两级组成,采用负反馈结构,工作频率0....
  • 16. 高阻衬底集成电路抗闩锁效应研究
    作者： 吕洪涛 张铮栋 程东方
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年6期
    页码:  517-519
    摘要： 研究用增加多子保护环的方法抑制功率集成电路的闩锁效应,首次给出环距、环宽设计与寄生闩锁触发阈值的数量关系,并比较了不同结深的工序作为多子环的效果.对于确定的设计规则.还比较了不同电阻率衬底材...
  • 17. D类功放中输入斩波运放电路的设计
    作者： 刘诺 周长胜 赵海亮
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年6期
    页码:  520-523,538
    摘要： 基于n阱0.5μm DPDM CMOS工艺,完成了D类音频功放中输入斩波运算放大器的设计.分析了D类系统对输入运放的设计要求,在此基础上确定了电路采用两级全差分结构实现.并加入斩波结构降低噪...
  • 18. CMOS片上电源总线ESD保护结构设计
    作者： 王怡飞 胡新伟 郭立
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年6期
    页码:  524-526
    摘要： 随着集成电路制造技术的高速发展,特征尺寸越来越小,静电放电对器件可靠性的危害也日益增大,ESD保护电路设计已经成为IC设计中的一个重要部分.讨论了三种常见的CMOS集成电路电源总线ESD保护...
  • 19. ASIC后端设计中的时钟偏移以及时钟树综合
    作者： 千路 林平分
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年6期
    页码:  527-529
    摘要： 目前的ASIC设计中,时钟偏移成为限制系统时钟频率的主要因素,时钟树综合技术通过在时钟网络中插入缓冲器来减小时钟偏移.但是,有时这样做并不能达到系统要求的时钟偏移.以一款SMIC 0.18μ...
  • 20. 高动态短时突发扩频信号的快速捕获技术研究
    作者： 卜爱民 陆继珍
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年6期
    页码:  530-533
    摘要： 针对传统伪码捕获结构在处理高动态突发信号时存在的局限性,提出了一种基于载波信号功率谱特性的快速捕获电路结构,通过计算解扩信号功率谱最大值与次大值的比值,并将该比值与判决门限进行比较,从而判断...
  • 21. ADPLL数学建模与设计实现
    作者： 关永峰 庄钊文 李建成 赵信
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年6期
    页码:  534-538
    摘要： 全数字锁相环(ADPLL)与混合信号锁相环相比,具有功耗低、面积小、锁定时间短和易于移植等优点.提出了一种新的全数字锁相环结构,建立了该锁相环的系统级数学模型,通过Matlab仿真验证了系统...
  • 22. 微带双模带阻滤波器
    作者： 刘远庆 李宏军
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年6期
    页码:  539-541
    摘要： 滤波器的小型化是滤波器设计中的一项重要技术.采用微带线双模谐振器设计的带阻滤波器,因双模谐振器的双模谐振效应,不但可以减少谐振器的数目,同时还可以省去λ/4波长传输线,从而在很大程度上减小了...
  • 23. 低输入高效率高可调性DC/DC转换器的设计
    作者： 应建华 杨彪
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年6期
    页码:  542-545,549
    摘要： 设计了一种基于0.6 μm BiCMOS工艺的低功耗、微功率、低输入、高输出、高效率、高可调性PFM升压型DC/DC转换芯片.分别采用高低压结合、预充电和抗饱和、固定关闭时间电流模式控制结构...
  • 24. 一次微分高斯UWB脉冲发生器设计
    作者： 崔意奇 曾以成 黄妮
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年6期
    页码:  546-549
    摘要： 针对超宽带(UWB)通信技术迅速发展的需要,介绍了UWB脉冲发生器的当前技术状况及其局限性.以传统UWB脉冲发生器为基础,结合LRC并联回路放电规律,设计了直接产生近似一次微分高斯单周期脉冲...
  • 25. 飞思卡尔ColdFire(R) LCD器件让开发人员为工业HMI应用"添加触摸功能"
    作者： 飞思卡尔半导体(中国)有限公司
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年6期
    页码:  550-551
    摘要：
  • 26. 产业新闻
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年6期
    页码:  552-553
    摘要：

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
2. 中国科技论文统计用刊
3. 中文核心期刊

半导体技术统计分析

被引趋势
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(/年)
学科分布
研究主题
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