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半导体技术2012年第2期出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 在体积、重量和功耗有严格约束的情况下,系统小型化遇到多种技术挑战,为了满足高密度计算和小型化的要求,高密度系统集成和单芯片多核处理器至关重要.讨论了高密度集成与单芯片多核处理器技术及其研究进...
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2. 薄膜太阳电池研究综述刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 薄膜太阳电池是最具发展潜力的新型能源之一,对缓解能源危机、保护人类生存环境提供了一种新的切实可行的方法.综述了目前国际上研究较多的几种薄膜太阳电池的最新进展,包括硅基薄膜(非晶硅、多晶硅)、...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 神经传导束中断是脊髓损伤后功能障碍的主要原因.微电子神经桥是利用微电子芯片或模块旁路受损神经传导束,重建因神经通路中断而丧失的功能.设计了一种基于0.5 μm CMOS工艺的低功耗、全集成微...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 设计了一种0.13 μm BiCMOS低压差线性稳压器(LDO),包括BiCMOS误差放大器、带软启动的BiCMOS带隙基准源、“套筒式”共源-共栅补偿电路等.为了改善线性瞬态响应性能,在B...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 采用六级VMMK - 2503高线性度增益方块级联,插入增益均衡与带通滤波模块,设计了一款小型化线性射频放大器,在5.8～8 GHz频带内,其小信号增益达70 dB,增益平坦度小于±1 dB...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 介绍了一种宽带放大器芯片,该放大器的工作频率覆盖了2～12 GHz,采用砷化镓( GaAs)赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)单片电路工艺实现.在一个宽带负反馈放大器的前面集成了一个幅度均...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 采用每级1.5 bit和每级2.5 bit相结合的方法设计了一种10位50 MHz流水线模数转换器.通过采用自举开关和增益自举技术的折叠式共源共栅运算放大器,保证了采样保持电路和级电路的性能...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年2期页码:摘要： Bi2Te3薄膜是室温下热电性能最好的热电材料,利用磁控溅射在长有一薄层SiO2的n型硅样品上制备Bi/Te多层复合薄膜,经后续退火处理生成Bi2Te3.通过分析Bi2Te3薄膜的生长和退火...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 由于石英晶体的刻蚀速率小,要实现石英晶体的高深宽比刻蚀,常用的光刻胶或金属掩膜不能满足工艺要求.提出使用双重掩蔽层的方法实现石英晶体的高深宽比刻蚀,即石英晶体和单晶硅键合,然后在单晶硅表面生...
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10. 低相位噪声微波频率源的研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 通过对微波频率源相位噪声的分析,针对一个C波段微波频率源低相位噪声的要求,对比分析了直接倍频、数字锁相以及高频鉴相之后再倍频三种方案之间的相位噪声差别.最终得出采用直接在超高频(UHF)波段...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 针对Class-E功率放大器传输效率受MOSFET寄生电容的影响,提出了一种提高传输效率的方法.通过调节RLC回路中串联谐振电容的数值,提高旁路电容的数值,调节负载回路,使其超过MOSFET...
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12. 超宽带谐波混频器的设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 叙述了一种超宽带谐波混频器的原理、设计以及测试结果.该混频器主要由微带线巴伦、倍频器、单平衡混频器三部分组成.按中心频率为4.5 GHz设计出微带线巴伦结构,平衡端口输出相位差180°,具有...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 提出了基于AlN压电薄膜多层结构的1.8 GHz射频薄膜体声波谐振器(FBAR),并进行了研究.采用修正后的MBVD等效电路模型对器件的谐振特性进行了分析和模拟.给出了采用半导体加工工艺制备...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 针对新型阻变存储器(RRAM)工艺良率不高的问题,提出了一种新型的修复解决方案,该方案基于阻变单元的特殊性能,即初始状态为高阻,经过单元初始化操作过程后转变为低阻.利用这样特性的阻变单元作为...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 提出了一种通过传递函数分析来确定在片传输线等效电路模型拓扑结构的新方法.通过这种方法,可分析得出由不同1-π单元组成的等效电路的拟合能力.通过对测量S参数的有理逼近构建了一个宽带宏模型.通过...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 准确地提取RF-LDMOS小信号模型参数对LDMOS大信号模型建模十分重要,而且好的小信号模型能很好地反映微波器件的性能.针对LDMOS提出了一种改进的小信号模型参数提取方法,此方法增加了测...
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17. 信息动态刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年2期页码:摘要：
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
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