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半导体技术2013年出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年6期页码:摘要： 传统的LED是以直流电驱动,在AC/DC转换过程中,有高达15％ ～ 30％的电力耗损.为避免该部分耗损,可直接用AC驱动的LED成为目前一个研究热点.通过对DC-LED器件进行AC驱动连接...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年6期页码:摘要： 传统材料制备的声表面波(SAW)滤波器的中心频率f大多位于较低的频段(f＜500 MHz),但是无线通信频段逐渐向着高频化的方向发展,因此在SAW器件领域中引入高声速材料如金刚石以提高中心频...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年6期页码:摘要： 报道了一种空气隙型S波段薄膜体声波谐振器,该谐振器采用一维Mason模型进行仿真,电极材料选用Mo,压电薄膜材料选用AlN,通过对AlN薄膜制备条件的优化,得到了半高宽为3.32°的AlN压...
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94. 二极管侧泵浦激光器的光斑优化研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年6期页码:摘要： 随着激光加工市场的逐步扩大,二极管泵浦的固体激光器需求越来越广泛,而晶体热效应所导致的光斑质量问题也越来越不可忽视.介绍了激光二极管侧泵浦激光器的基本结构和制造方法,并详细分析了热效应的起因...
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95. 新型抗蚀剂的电子束曝光性能研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年6期页码:摘要： 为了满足越来越多的特殊结构纳米电子器件的制作要求,亟需进一步提高电子束光刻的分辨率与质量,选择适合的高分辨率电子束抗蚀剂材料显得尤为重要.从曝光剂量以及显影与烘烤过程中具体工艺条件的影响等方...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年6期页码:摘要： 采用成本廉价的连续离子层沉积法在n型Si衬底上沉积β相的六方晶体结构的CuSCN薄膜制备了p-CuSCN/n-Si异质结.并通过测试其光照下的I-V和C-V特性对其光电特性以及载流子输运特性...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年6期页码:摘要： 采用物理气相传输法在自制[0001]偏8°晶向6H-SiC衬底上制备了直径42 mm、厚度320 μm的连续AlN单晶层,c轴方向生长速率为32 μm/h.AlN单晶层具有明显鱼鳞状宏台阶流...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年6期页码:摘要： 基于GaAs场效应晶体管(FET)微波脉冲固态功率放大器的输出脉冲包络,对输出脉冲波形的顶部降落与顶部过冲开展研究.从脉冲调制电路、GaAs FET的饱和深度以及沟道温度三个方面对脉冲顶降进...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年7期页码:摘要： 非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)沟道薄膜晶体管存储器在先进系统面板领域具有重要的应用前景.首先阐明了a-IGZO材料在系统面板和柔性器件等应用中所具有的优势,然后对a-IGZO薄膜的制备方法...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年7期页码:摘要： 基于5.8 GHz电子不停车收费系统(electronic toll collection,ETC)应用,介绍了射频收发芯片中唤醒接收机(wake-up receiver,WuR)的模拟前端...
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101. 适用于RoF的2.35 GHz频率综合器刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年7期页码:摘要： 在0.18 μm 1P6M CMOS工艺上实现了一款适应于光纤无线电系统的分数分频锁相环型频率综合器.锁相环环路由鉴频鉴相器、电荷泵、片外三阶低通环路滤波器、LC压控振荡器、正交I/Q高频除...
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102. 7～13.5 GHz单片低噪声放大器设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年7期页码:摘要： 采用0.15 μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款7～13.5 GHz宽带低噪声放大器单片集成电路.该单片集成电路可用于点对点、点对多点通信以及测试仪器和测试系统中.电路采用两级级联的...
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103. 小型化取样锁相介质振荡器的研制刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年7期页码:摘要： 提出了一种基于混合集成电路工艺制作的小型化取样锁相介质振荡器(PDRO)的设计方法.对取样鉴相电路与脉冲形成电路进行了理论分析,并深入探讨取样锁相技术原理,保证近端低相噪要求.采用自主设计的...
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104. 24 GHz低相位噪声单片集成VCO刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年7期页码:摘要： 介绍了一款基于砷化镓异质结双极晶体管(GaAs HBT)工艺的24 GHz单片压控振荡器(VCO),VCO芯片上同时集成了1/2次谐波输出及八分频器电路,可提供1/2和1/16次谐波输出.由...
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105. 压阻式压力传感器微结构塑性形变及影响刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年7期页码:摘要： 由于体硅微机械工艺制作绝压压阻式压力传感器的过程中,通过Si-Si直接键合形成的带真空腔的微结构在高温和大气压的作用下会产生塑性形变,对器件制作工艺中微结构发生的塑性变形及其对器件性能的影响...
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106. 逆导型非穿通绝缘栅双极晶体管仿真刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年7期页码:摘要： 仿真了逆导型(RC)非穿通-绝缘栅双极晶体管(NPT-IGBT)的器件结构及其“折回效应”现象的I-V特性曲线,研究了一些器件重要结构参数(背面阳极n+区域与p+区域尺寸比例Ln/Lp以及n...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年7期页码:摘要： 采用pin二极管技术,在输入端反射式pin组合开关的基础上,设计、制作了一种微波吸收式pin单刀双掷开关,并给出了详细设计原理图.用AWR软件分别对带有定向耦合器的反射式pin组合开关和吸收...
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108. 新型自对准石墨烯场效应晶体管制备工艺刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年7期页码:摘要： 提出了一种新型自对准石墨烯场效应晶体管(graphere field-effect transistor,GFET)制备工艺,该工艺可与现有Si CMOS工艺相兼容.利用该工艺制备的自对准栅...
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109. 合金条件对Al/n+-Ge欧姆接触的影响刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年7期页码:摘要： Ge比Si具有更高的电子和空穴迁移率,且Ge材料可以应用于1.3～1.5 μm近红外波段,因此Ge成为制备微电子和光电子器件的主要材料.然而由于Ge的费密能级钉扎效应以及难以获得高浓度的磷(...
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110. 信息动态刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年7期页码:摘要：
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111. 高纵横选择比低损伤多晶硅栅的工艺实现刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年7期页码:摘要： 分析了采用微波高密度等离子体刻蚀(HDP)系统刻蚀实现高纵横向刻蚀选择比、低等离子体损伤、精细线条尺寸的MOSFET多晶硅栅的可行性.研究了刻蚀用气体中CH4和SF6等离子体分别在多晶硅栅刻...
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112. 线径调制Ni纳米线的制备及其磁性刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年7期页码:摘要： 实验基于非对称二次阳极氧化方法,通过在多种不同的电解液中交替阳极氧化制备了孔径大小调制的多孔氧化铝,并以此为模板,电化学沉积了线径调制的Ni纳米线.采用场发射扫描电镜对Ni纳米线进行了形貌表...
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113. 用硅压阻应力传感器研究倒装芯片封装应力刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年7期页码:摘要： 电子封装是集成电路产品制造过程中的重要环节,而电子封装所产生的应力则可能会对芯片的性能及可靠性产生影响,因而受到业界的广泛关注.利用半导体压阻效应制造硅压阻应力传感器阵列芯片,将其倒装键合至...
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114. 基于加速退化晶体管贮存寿命的评估刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年7期页码:摘要： 为探求快速评价国产晶体管长期贮存寿命的方法,对国产3DK105B型晶体管开展了加速退化试验的分析和研究.通过三组不同温、湿度恒定应力的加速退化试验,确定了晶体管的失效敏感参数,利用其性能退化...
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115. 基于图案匹配LED芯片定位系统刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年7期页码:摘要： LED芯片定位是进行芯片检测、划片、扩晶、固晶及判断芯片电气特性、芯片管脚是否达到要求,能否成功分选LED芯片质量的关键一环.针对这一问题,提出了一种图案匹配的定位方法.首先通过获取物体图像...
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116. 隧穿晶体管研究进展刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年8期页码:摘要： 随着晶体管尺寸不断缩小,CMOS电路的功耗问题变得日益严重.隧穿晶体管是一种基于载流子的隧道效应工作的器件,可以在室温下实现小于60 mV/dec的亚阈值摆幅,具有很好的低功耗应用前景.但常...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年8期页码:摘要： 针对ISO/IEC 18000-6C协议的应用要求,设计了一款应用于手持超高频无线射频识别(UHF RFID)读写器输出端的两级SiGe功率放大器.在设计中采用了一种新型的晶体管面积推算方法...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年8期页码:摘要： 采用0.15 μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款DC～20 GHz宽带低噪声放大器,可作为驱动放大器用于光纤通信或作为宽带增益模块用于测试及测量系统中.电路采用分布式放大器结构,单节...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年8期页码:摘要： 设计了一款工作频率为DC～35 GHz的超宽带单刀四掷开关单片集成电路,其单片电路内部集成了驱动2∶4译码器.通过ADS软件对多种开关电路拓扑进行优化,设计出了一种合理的开关结构.采用先进的...
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120. 毫米波超宽带大功率单片单刀双掷开关刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年8期页码:摘要： 采用GaAs pin工艺设计和制作了毫米波超宽带大功率单刀双掷开关单片集成电路.在GaAs pin二极营建模阶段充分考虑寄生效应对模型的影响,获得高精度模型；在电路设计阶段采用GaAs pi...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
半导体技术评价信息
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
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